onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 74 A, DFN, 贴片安装, 5引脚
- RS 库存编号:
- 185-8972P
- 制造商零件编号:
- NTMFS6H836NT1G
- 制造商:
- onsemi
不可供应
RS 不再对该产品备货。
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- NTMFS6H836NT1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 74 A | |
| 最大漏源电压 | 80 V | |
| 封装类型 | DFN | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻值 | 11.4 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 89 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 5.1mm | |
| 宽度 | 6.1mm | |
| 高度 | 1.05mm | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 74 A | ||
最大漏源电压 80 V | ||
封装类型 DFN | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻值 11.4 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 89 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 5.1mm | ||
宽度 6.1mm | ||
高度 1.05mm | ||
正向二极管电压 1.2V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
不符合
- COO (Country of Origin):
- MY
工业功率 MOSFET 采用 5 x 6 mm 扁平引线封装，设计用于紧凑型高效设计，包括高热性能。
体积小巧 (5x6 mm)
低 RDS（接通）
低 QG 和电容
紧凑设计
最大限度地减少传导损耗
最大限度地减少驱动器损耗
应用
切换电源
电源开关（高侧驱动器、低侧驱动器、半桥等）
48V 系统
电池管理和保护
最终产品
电动机控制
DC/DC 转换器
负载开关
同步整流
电池组和 ESS
低 RDS（接通）
低 QG 和电容
紧凑设计
最大限度地减少传导损耗
最大限度地减少驱动器损耗
应用
切换电源
电源开关（高侧驱动器、低侧驱动器、半桥等）
48V 系统
电池管理和保护
最终产品
电动机控制
DC/DC 转换器
负载开关
同步整流
电池组和 ESS