描述 | 价格 | 通道类型 | 最大连续漏极电流 | 最大漏源电压 | 封装类型 | 最大漏源电阻值 | 系列 | 安装类型 | 引脚数目 | 最大栅源电压 | 通道模式 | 最大栅阈值电压 | 最小栅阈值电压 | 最大功率耗散 | 晶体管配置 | |
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RS 库存编号
759-9655
制造商零件编号FDN86246
品牌onsemi
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RMB7.942
/个 (每包:5个)
单位
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N | 1.6 A | 150 V | SOT-23 | 481 mΩ | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | - | 2V | 1.5 W | 单 |
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RS 库存编号
166-2695
制造商零件编号FDN86246
品牌onsemi
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RMB4.344
个 (在毎卷:3000)
单位
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N | 1.6 A | 150 V | SOT-23 | 481 mΩ | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | - | 2V | 1.5 W | 单 |
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RS 库存编号
168-6002
制造商零件编号IRFR7440TRPBF
品牌Infineon
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RMB4.515
个 (在毎卷:2000)
单位
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N | 180 A | 40 V | DPAK (TO-252) | 2.4 mΩ | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 3.9V | 2.2V | 140 W | - |
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RS 库存编号
130-0989
制造商零件编号IRFR7440TRPBF
品牌Infineon
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RMB9.422
/个 (每包:5个)
单位
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N | 180 A | 40 V | DPAK (TO-252) | 2.4 mΩ | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 3.9V | 2.2V | 140 W | - |
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RS 库存编号
820-8867
制造商零件编号IRFS7530TRL7PP
品牌Infineon
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RMB23.26
/个 (每包:2个)
单位
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N | 240 A | 60 V | D2PAK-7 | 1.4 mΩ | - | 贴片 | 7 | -20 V、+20 V | 增强 | 3.7V | 2.1V | 375 W | 单 |
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RS 库存编号
827-6274
制造商零件编号TK7P60W,RVQ(S
品牌Toshiba
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RMB10.663
/个 (每包:8个)
单位
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N | 7 A | 600 V | DPAK (TO-252) | 600 mΩ | - | 贴片 | 3 | -30 V、+30 V | 增强 | 3.7V | - | 60 W | 单 |
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RS 库存编号
799-5214
制造商零件编号TK7P60W,RVQ(S
品牌Toshiba
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RMB6.426
/个 (每包:5个)
单位
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N | 7 A | 600 V | DPAK (TO-252) | 600 mΩ | - | 贴片 | 3 | -30 V、+30 V | 增强 | 3.7V | - | 60 W | 单 |
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RS 库存编号
173-2850
制造商零件编号TK7P60W,RVQ(S
品牌Toshiba
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RMB8.749
个 (在毎卷:2000)
单位
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N | 7 A | 600 V | DPAK (TO-252) | 600 mΩ | - | 贴片 | 3 | -30 V、+30 V | 增强 | 3.7V | - | 60 W | 单 |
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RS 库存编号
485-7715
制造商零件编号STP55NF06
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RMB9.292
/个 (每包:5个)
单位
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N | 50 A | 60 V | TO-220 | 18 mΩ | - | 通孔 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 4V | 2V | 110 W | 单 |
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RS 库存编号
178-0835
制造商零件编号IRF840APBF
品牌Vishay
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RMB8.123
毎管:50 个
单位
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N | 8 A | 500 V | TO-220AB | 850 mΩ | - | 通孔 | 3 | -30 V、+30 V | 增强 | - | 2V | 125 W | 单 |
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RS 库存编号
542-9440
制造商零件编号IRF840APBF
品牌Vishay
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RMB12.07
个
单位
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N | 8 A | 500 V | TO-220AB | 850 mΩ | - | 通孔 | 3 | -30 V、+30 V | 增强 | - | 2V | 125 W | 单 |
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RS 库存编号
920-8789
制造商零件编号STP55NF06
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RMB8.824
毎管:50 个
单位
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N | 50 A | 60 V | TO-220 | 18 mΩ | - | 通孔 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 4V | 2V | 110 W | 单 |
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RS 库存编号
103-8398
制造商零件编号2N7002,215
品牌Nexperia
|
RMB0.248
个 (在毎卷:3000)
单位
|
N | 300 mA | 60 V | SOT-23 | 5 Ω | - | 贴片 | 3 | -30 V、+30 V | 增强 | 2.5V | 1V | 830 mW | 单 |
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RS 库存编号
436-7379
制造商零件编号2N7002,215
品牌Nexperia
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RMB1.386
/个 (每包:25个)
单位
|
N | 300 mA | 60 V | SOT-23 | 5 Ω | - | 贴片 | 3 | -30 V、+30 V | 增强 | 2.5V | 1V | 830 mW | 单 |
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RS 库存编号
162-9720
制造商零件编号CAS120M12BM2
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RMB3,407.576
个 (以毎盒:10)
单位
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N | 193 A | 1200 V | 半桥 | 30 mΩ | - | 螺钉 | 7 | -10 V, +25 V | 增强 | 2.6V | 1.8V | 925 W | 串行 |
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RS 库存编号
916-3879
制造商零件编号CAS120M12BM2
|
RMB5,479.68
个
单位
|
N | 193 A | 1200 V | 半桥 | 30 mΩ | - | 螺钉 | 7 | -10 V, +25 V | 增强 | 2.6V | 1.8V | 925 W | 串行 |
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RS 库存编号
110-7749
制造商零件编号IPB180P04P4L02ATMA1
品牌Infineon
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RMB21.841
Each (On a Tape of 10)
单位
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P | 180 A | 40 V | D2PAK-7 | 3.9 mΩ | - | 贴片 | 7 | -16 V、+16 V | 增强 | 2.2V | 1.2V | 150 W | 单 |
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RS 库存编号
752-7773
制造商零件编号2N7002H6327XTSA2
品牌Infineon
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RMB0.523
/个 (每包:100个)
单位
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N | 300 mA | 60 V | SOT-23 | 4 Ω | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 2.5V | 1.5V | 500 mW | 单 |
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RS 库存编号
168-4755
制造商零件编号IXFN44N100Q3
品牌IXYS
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RMB408.354
毎管:10 个
单位
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N | 38 A | 1000 V | SOT-227 | 220 mΩ | - | 螺钉 | 4 | -30 V、+30 V | 增强 | 6.5V | - | 960 W | 单 |
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RS 库存编号
124-9035
制造商零件编号2N7002H6327XTSA2
品牌Infineon
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RMB0.308
个 (在毎卷:3000)
单位
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N | 300 mA | 60 V | SOT-23 | 4 Ω | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 2.5V | 1.5V | 500 mW | 单 |
MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管,是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。
这样,MOSFET就有了4钟类型:P沟道增强型,P沟道耗尽型,N沟道增强型,N沟道耗尽型。
MOSFET封装上的引脚为源极、栅极和漏极。当在栅极和源极端子之间施加电压时,电流可从漏极流至源极。当施加到栅极的电压发生变化时,从漏极到源极的电阻也将发生变化。施加的电压越低,电阻越大。随着电压升高,从漏极到源极的电阻减小。
RS 欧时为您提供了不同品牌的MOSFET,如Infineon、Vishay、ON Semiconductor、DiodesZetex、STMicroelectronics等多款不同规格、型号的产品供您挑选,从而满足不同的应用场景需求。
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