MOSFET

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描述 价格 通道类型 最大连续漏极电流 最大漏源电压 封装类型 最大漏源电阻值 系列 安装类型 引脚数目 最大栅源电压 通道模式 最大栅阈值电压 最小栅阈值电压 最大功率耗散 晶体管配置
RS 库存编号 759-9655
制造商零件编号FDN86246
品牌onsemi
RMB7.942
/个 (每包:5个)
单位
N 1.6 A 150 V SOT-23 481 mΩ - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 - 2V 1.5 W
RS 库存编号 166-2695
制造商零件编号FDN86246
品牌onsemi
RMB4.344
个 (在毎卷:3000)
单位
N 1.6 A 150 V SOT-23 481 mΩ - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 - 2V 1.5 W
RS 库存编号 168-6002
制造商零件编号IRFR7440TRPBF
品牌Infineon
RMB4.515
个 (在毎卷:2000)
单位
N 180 A 40 V DPAK (TO-252) 2.4 mΩ - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 3.9V 2.2V 140 W -
RS 库存编号 130-0989
制造商零件编号IRFR7440TRPBF
品牌Infineon
RMB9.422
/个 (每包:5个)
单位
N 180 A 40 V DPAK (TO-252) 2.4 mΩ - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 3.9V 2.2V 140 W -
RS 库存编号 820-8867
制造商零件编号IRFS7530TRL7PP
品牌Infineon
RMB23.26
/个 (每包:2个)
单位
N 240 A 60 V D2PAK-7 1.4 mΩ - 贴片 7 -20 V、+20 V 增强 3.7V 2.1V 375 W
RS 库存编号 827-6274
制造商零件编号TK7P60W,RVQ(S
品牌Toshiba
RMB10.663
/个 (每包:8个)
单位
N 7 A 600 V DPAK (TO-252) 600 mΩ - 贴片 3 -30 V、+30 V 增强 3.7V - 60 W
RS 库存编号 799-5214
制造商零件编号TK7P60W,RVQ(S
品牌Toshiba
RMB6.426
/个 (每包:5个)
单位
N 7 A 600 V DPAK (TO-252) 600 mΩ - 贴片 3 -30 V、+30 V 增强 3.7V - 60 W
RS 库存编号 173-2850
制造商零件编号TK7P60W,RVQ(S
品牌Toshiba
RMB8.749
个 (在毎卷:2000)
单位
N 7 A 600 V DPAK (TO-252) 600 mΩ - 贴片 3 -30 V、+30 V 增强 3.7V - 60 W
RS 库存编号 485-7715
制造商零件编号STP55NF06
RMB9.292
/个 (每包:5个)
单位
N 50 A 60 V TO-220 18 mΩ - 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 4V 2V 110 W
RS 库存编号 178-0835
制造商零件编号IRF840APBF
品牌Vishay
RMB8.123
毎管:50 个
单位
N 8 A 500 V TO-220AB 850 mΩ - 通孔 3 -30 V、+30 V 增强 - 2V 125 W
RS 库存编号 542-9440
制造商零件编号IRF840APBF
品牌Vishay
RMB12.07
单位
N 8 A 500 V TO-220AB 850 mΩ - 通孔 3 -30 V、+30 V 增强 - 2V 125 W
RS 库存编号 920-8789
制造商零件编号STP55NF06
RMB8.824
毎管:50 个
单位
N 50 A 60 V TO-220 18 mΩ - 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 4V 2V 110 W
RS 库存编号 103-8398
制造商零件编号2N7002,215
品牌Nexperia
RMB0.248
个 (在毎卷:3000)
单位
N 300 mA 60 V SOT-23 5 Ω - 贴片 3 -30 V、+30 V 增强 2.5V 1V 830 mW
RS 库存编号 436-7379
制造商零件编号2N7002,215
品牌Nexperia
RMB1.386
/个 (每包:25个)
单位
N 300 mA 60 V SOT-23 5 Ω - 贴片 3 -30 V、+30 V 增强 2.5V 1V 830 mW
RS 库存编号 162-9720
制造商零件编号CAS120M12BM2
品牌Wolfspeed
RMB3,407.576
个 (以毎盒:10)
单位
N 193 A 1200 V 半桥 30 mΩ - 螺钉 7 -10 V, +25 V 增强 2.6V 1.8V 925 W 串行
RS 库存编号 916-3879
制造商零件编号CAS120M12BM2
品牌Wolfspeed
RMB5,479.68
单位
N 193 A 1200 V 半桥 30 mΩ - 螺钉 7 -10 V, +25 V 增强 2.6V 1.8V 925 W 串行
RS 库存编号 110-7749
制造商零件编号IPB180P04P4L02ATMA1
品牌Infineon
RMB21.841
Each (On a Tape of 10)
单位
P 180 A 40 V D2PAK-7 3.9 mΩ - 贴片 7 -16 V、+16 V 增强 2.2V 1.2V 150 W
RS 库存编号 752-7773
制造商零件编号2N7002H6327XTSA2
品牌Infineon
RMB0.523
/个 (每包:100个)
单位
N 300 mA 60 V SOT-23 4 Ω - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 2.5V 1.5V 500 mW
RS 库存编号 168-4755
制造商零件编号IXFN44N100Q3
品牌IXYS
RMB408.354
毎管:10 个
单位
N 38 A 1000 V SOT-227 220 mΩ - 螺钉 4 -30 V、+30 V 增强 6.5V - 960 W
RS 库存编号 124-9035
制造商零件编号2N7002H6327XTSA2
品牌Infineon
RMB0.308
个 (在毎卷:3000)
单位
N 300 mA 60 V SOT-23 4 Ω - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 2.5V 1.5V 500 mW

MOSFET

MOSFET是什么?

MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管,是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。

MOSFET的分类

  • PMOSFET:箭头方向永远从P端指向N端,所以箭头从通道指向基极端的为P型的MOSFET,或简称PMOS(代表此元件的通道为P型)。
  • NMOSFET:若箭头从基极指向通道,则代表基极为P型,而通道为N型,此元件为N型的MOSFET,简称NMOS。
  • 增强型MOSFET:就像一个可变电阻器,比耗尽型MOSFET更常见。增强型MOSFET用于“常开型”的开关上。
  • 耗尽型MOSFET:就像一个闭合的开关一样工作。不施加电流时电流通过。如果施加负电压,电流将停止。耗尽型MOSFET最大的应用是在“常闭型”的开关。

这样,MOSFET就有了4钟类型:P沟道增强型,P沟道耗尽型,N沟道增强型,N沟道耗尽型。

MOSFET的工作原理

MOSFET封装上的引脚为源极、栅极和漏极。当在栅极和源极端子之间施加电压时,电流可从漏极流至源极。当施加到栅极的电压发生变化时,从漏极到源极的电阻也将发生变化。施加的电压越低,电阻越大。随着电压升高,从漏极到源极的电阻减小。

RS 欧时为您提供了不同品牌的MOSFET,如InfineonVishayON SemiconductorDiodesZetexSTMicroelectronics等多款不同规格、型号的产品供您挑选,从而满足不同的应用场景需求。

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