危害物质禁限用指令RoHS 关于遵守的声明 在制造特定类型的电气设备时,欧盟指令 2011/65/EU 和 2015/863 限制使用以下 10 种物质。 受限的物质和在同质的材料中所被允许的最大浓度分别是:虽然这项指令在法律上并不适用于电子元件,但是应当承认,对于很多客户而言电子元件也应同样符合该指令。 “遵守危害物质禁限用指令”的界定:
符合产品資料 |
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RS 库存号 | 839-9941 | ||||||||||||||||||||||
产品描述 | Broadcom ATF-34143-BLKG HEMT 晶体管, 145 mA, 5.5 V, 双源配置, 4引脚 SOT-343封装 | ||||||||||||||||||||||
制造商/品牌名 | Broadcom | ||||||||||||||||||||||
制造商产品编号 | ATF-34143-BLKG | ||||||||||||||||||||||
839-9941 | |
Broadcom ATF-34143-BLKG HEMT 晶体管, 145 mA, 5.5 V, 双源配置, 4引脚 SOT-343封装 | |
Broadcom | |
ATF-34143-BLKG |
日期 | Apr 25, 2024 |
高电子迁移率晶体管(HEMT,也称为异质结构或异质结 FET)是结型 FET,利用两种材料,具有不同带隙(即异质结),用作 MOSFET 中替换掺杂区的通道。 HEMT 晶体管具有良好的高频率特性且通常用于小信号、低噪声 RF 应用。
HEMT、HFET、HJ-FET 和 MODFET 是用于描述此类型晶体管的所有术语。
pHEMT 或假同晶 HEMT 是基本 HEMT 晶体管类型的变型,具有 E-pHEMT 设备,正成为增强模式类型。
一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。
属性 | 数值 |
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封装类型 | SOT-343 |
安装类型 | 表面贴装 |
最大功率耗散 | 725 mW |
引脚数目 | 4 |