Renesas Electronics

分立半导体

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描述
产品详情
  • RMB3.32
Renesas Electronics 达林顿晶体管, NPN三极管, 4 A, SOT-32封装, , 通孔安装, 3引脚
  • 晶体管类型NPN
  • 最大连续集电极电流4 A
  • 最大集电极-发射极电压80 V
  • 最大发射极-基极电压5 V
  • 封装类型SOT-32
查看更多类似产品 达林顿管
  • RMB45.076
    毎管:60 个
Renesas Electronics N沟道MOS管, Vds=12 V, 8 A, QFN, 贴片安装, ISL6144IRZA
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流8 A
  • 最大漏源电压12 V
  • 封装类型QFN
  • 安装类型贴片
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB45.775
    /个 (每包:2个)
Renesas Electronics 双向可控硅, 额定20A, 三个 PFM, 通孔安装, 3引脚, BCR20RM-30LA#B00
  • 额定平均通态电流20A
  • 安装类型通孔
  • 封装类型三个 PFM
  • 重复峰值反向电压1500V
  • 引脚数目3
查看更多类似产品 双向可控硅
  • RMB18.02
    /个 (每包:5个)
Renesas Electronics N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 40 A, LFPAK,SOT-669, 贴片安装, 4引脚
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流40 A
  • 最大漏源电压60 V
  • 封装类型LFPAK,SOT-669
  • 安装类型贴片
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB46.10
Renesas Electronics N沟道增强型MOSFET管, Vds=1500 V, 7 A, SC-65, 3引脚, 2SK1317-E
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流7 A
  • 最大漏源电压1500 V
  • 系列2SK1317
  • 封装类型SC-65
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB86.32
Renesas Electronics NPN晶体管, SOIC封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流65 mA, 最大集电极-发射电压8 V
  • 晶体管类型NPN
  • 最大直流集电极电流65 mA
  • 最大集电极-发射极电压8 V
  • 封装类型SOIC
  • 安装类型贴片
查看更多类似产品 双极型晶体管
  • RMB63.48
Renesas Electronics N沟道增强型MOS管, Vds=1500 V, 4 A, TO-3PN, 通孔安装, 3引脚, 2SK1835-E
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流4 A
  • 最大漏源电压1500 V
  • 封装类型TO-3PN
  • 安装类型通孔
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB52.26
Renesas Electronics N沟道MOS管, Vds=12 V, 8 A, QFN, 贴片安装, ISL6144IRZA
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流8 A
  • 最大漏源电压12 V
  • 封装类型QFN
  • 安装类型贴片
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB1.073
    /个 (每包:25个)
Renesas Electronics 稳压二极管, 标称12V, 最大200 mW, 单路, Super MiniMold, 贴片安装, 2引脚, RD12S-A
  • 二极管配置单路
  • 标称齐纳电压12V
  • 每片芯片元件数目1
  • 安装类型贴片
  • 最大功率耗散200 mW
查看更多类似产品 稳压二极管
  • RMB33.075
    毎管:30 个
Renesas Electronics 双向可控硅, 额定20A, 三个 PFM, 通孔安装, 3引脚, BCR20RM-30LA#B00
  • 额定平均通态电流20A
  • 安装类型通孔
  • 封装类型三个 PFM
  • 重复峰值反向电压1500V
  • 引脚数目3
查看更多类似产品 双向可控硅
  • RMB15.015
    个 (在毎卷:2500)
Renesas Electronics N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 40 A, LFPAK,SOT-669, 贴片安装, 4引脚
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流40 A
  • 最大漏源电压60 V
  • 封装类型LFPAK,SOT-669
  • 安装类型贴片
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB32.764
    毎管:30 个
Renesas Electronics N沟道增强型MOSFET管, Vds=1500 V, 7 A, SC-65, 3引脚, 2SK1317-E
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流7 A
  • 最大漏源电压1500 V
  • 系列2SK1317
  • 封装类型SC-65
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB45.281
    毎管:30 个
Renesas Electronics N沟道增强型MOS管, Vds=1500 V, 4 A, TO-3PN, 通孔安装, 3引脚, 2SK1835-E
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流4 A
  • 最大漏源电压1500 V
  • 封装类型TO-3PN
  • 安装类型通孔
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB35.50
    /个 (每包:2个)
Renesas Electronics P沟道MOS管, Vds=60 V, 100 A, 贴片安装
  • 通道类型P
  • 最大连续漏极电流100 A
  • 最大漏源电压60 V
  • 安装类型贴片
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB72.43
Renesas Electronics NPN/PNP晶体管, SOIC封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流65 mA, 最大集电极-发射电压8 V
  • 晶体管类型NPN/PNP
  • 最大直流集电极电流65 mA
  • 最大集电极-发射极电压8 V
  • 封装类型SOIC
  • 安装类型贴片
查看更多类似产品 双极型晶体管
  • RMB11.70
    /个 (每包:5个)
Renesas Electronics N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 25 A, LFPAK,SOT-669, 贴片安装, 4引脚
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流25 A
  • 最大漏源电压60 V
  • 封装类型LFPAK,SOT-669
  • 安装类型贴片
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB19.481
    毎管:800 个
Renesas Electronics P沟道MOS管, Vds=60 V, 100 A, 贴片安装, NP100P06PDG-E1-AY
  • 通道类型P
  • 最大连续漏极电流100 A
  • 最大漏源电压60 V
  • 安装类型贴片
查看更多类似产品 MOSFET
  • RMB65.379
    毎管:48 个
Renesas Electronics NPN/PNP晶体管, SOIC封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流65 mA, 最大集电极-发射电压8 V
  • 晶体管类型NPN/PNP
  • 最大直流集电极电流65 mA
  • 最大集电极-发射极电压8 V
  • 封装类型SOIC
  • 安装类型贴片
查看更多类似产品 双极型晶体管
  • RMB79.295
    毎管:48 个
Renesas Electronics NPN晶体管, SOIC封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流65 mA, 最大集电极-发射电压8 V
  • 晶体管类型NPN
  • 最大直流集电极电流65 mA
  • 最大集电极-发射极电压8 V
  • 封装类型SOIC
  • 安装类型贴片
查看更多类似产品 双极型晶体管
  • RMB6.032
    个 (在毎卷:2500)
Renesas Electronics N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 25 A, LFPAK,SOT-669, 贴片安装, 4引脚
  • 通道类型N
  • 最大连续漏极电流25 A
  • 最大漏源电压60 V
  • 封装类型LFPAK,SOT-669
  • 安装类型贴片
查看更多类似产品 MOSFET
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