14068 产品有关于 onsemi
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- RS 库存编号 186-8916
- 制造商零件编号 NOIL1SM0300A-QDC
- 品牌 onsemi
- 图象大小 -
- 系列 -
- 帧速 250fps
- 接口类型 串行 - SPI
- 安装类型 贴片
- 封装类型 LCC
- 引脚数目 48
- 尺寸 14.22 x 14.22 x 1.55mm
- 长度 14.22mm
- 宽度 14.22mm
- 高度 1.55mm
- 最大工作电源电压 3.3 V
- 最高工作温度 +70 °C
- 最小工作电源电压 2.5 V
- 最低工作温度 -40°C
个(每套 25)
RMB1,071.339
- RS 库存编号 102-1379
- 制造商零件编号 MC12093DG
- 品牌 onsemi
- 分频 2/4/8
- 最大频率 1.1GHz
- 最低频率 -
- 最小频率 100MHz
- 典型输出电压 0.8V
- 典型电源电流 3mA
- 安装类型 贴片
- 封装类型 SOIC
- 引脚数目 8
- 尺寸 5 x 4 x 1.5mm
- 高度 1.5mm
- 长度 5mm
- 最大工作电源电压 5.5 V
- 最高工作温度 +85 °C
- 最小工作电源电压 2.7 V
每管:98 个
RMB38.348
- RS 库存编号 248-5818P
- 制造商零件编号 NTHL025N065SC1
- 品牌 onsemi
- 通道类型 N
- 最大连续漏极电流 99 A
- 最大漏源电压 650 V
- 封装类型 TO-247
- 最大漏源电阻值 -
- 系列 -
- 安装类型 通孔
- 引脚数目 3
- 最大栅源电压 -
- 通道模式 -
- 最大栅阈值电压 -
- 最小栅阈值电压 -
- 最大功率耗散 -
- 晶体管配置 -
- 类别 -
- 典型栅极电荷@Vgs -
- 宽度 -
- 晶体管材料 -
- 最高工作温度 -
- 每片芯片元件数目 -
- 长度 -
个 (以每管装提供)
RMB113.05
- RS 库存编号 248-5381
- 制造商零件编号 NCN8026AMNGEVB
- 品牌 onsemi
- 模拟功能 -
- 套件分类 评估测试板
- 使用于 -
- 适用于 -
- 功能完备的设备 NCN8026A
- 套件名称 NCN8026A Evaluation Board
个
RMB1,667.91
- RS 库存编号 463-931
- 制造商零件编号 MC12080DG
- 品牌 onsemi
- 分频 10/20/40/80
- 最大频率 1.1GHz
- 最低频率 -
- 最小频率 100MHz
- 典型输出电压 1.2V
- 典型电源电流 3.7mA
- 安装类型 贴片
- 封装类型 SOIC
- 引脚数目 8
- 尺寸 5 x 4 x 1.5mm
- 高度 1.5mm
- 长度 5mm
- 最大工作电源电压 5.5 V
- 最高工作温度 +85°C
- 最小工作电源电压 4.5 V
个
RMB37.69
- RS 库存编号 244-9162
- 制造商零件编号 NCV57081ADR2G
- 品牌 onsemi
- 逻辑类型 -
- 输出电流 -
- 电源电压 22V
- 引脚数目 8
- 下降时间 13ns
- 封装类型 SOIC
- 输出数目 -
- 驱动器类型 MOSFET
- 上升时间 -
- 拓扑 -
- 高压侧和低压侧相关性 -
- 延时 -
- 驱动器数目 -
- 电桥类型 -
- 极性 -
- 安装类型 -
个(每带 2500 )
RMB23.094
- RS 库存编号 463-921
- 制造商零件编号 MC12026ADG
- 品牌 onsemi
- 分频 8/9/16/17
- 最大频率 1.1GHz
- 最低频率 -
- 最小频率 100MHz
- 典型输出电压 1.6V
- 典型电源电流 4mA
- 安装类型 贴片
- 封装类型 SOIC
- 引脚数目 8
- 尺寸 5 x 4 x 1.5mm
- 高度 1.5mm
- 长度 5mm
- 最大工作电源电压 5.5 V
- 最高工作温度 +85 °C
- 最小工作电源电压 4.5 V
个
RMB40.56
- RS 库存编号 181-1859
- 制造商零件编号 FDP4D5N10C
- 品牌 onsemi
- 通道类型 N
- 最大连续漏极电流 128 A
- 最大漏源电压 100 V
- 封装类型 TO-220
- 最大漏源电阻值 4.5mΩ
- 系列 -
- 安装类型 通孔
- 引脚数目 3
- 最大栅源电压 ±20 V
- 通道模式 增强
- 最大栅阈值电压 4V
- 最小栅阈值电压 2V
- 最大功率耗散 150 W
- 晶体管配置 单
- 类别 -
- 典型栅极电荷@Vgs 48 nC @ 10 V
- 宽度 4.67mm
- 晶体管材料 -
- 最高工作温度 +175 °C
- 每片芯片元件数目 1
- 长度 10.36mm
每管:800 个
RMB25.269
- RS 库存编号 284-9068P
- 制造商零件编号 NTHL022N120M3S
- 品牌 onsemi
- 通道类型 N
- 最大连续漏极电流 89 A
- 最大漏源电压 1200 V
- 封装类型 TO-247-4L
- 最大漏源电阻值 -
- 系列 -
- 安装类型 通孔
- 引脚数目 4
- 最大栅源电压 -
- 通道模式 增强
- 最大栅阈值电压 -
- 最小栅阈值电压 -
- 最大功率耗散 -
- 晶体管配置 -
- 类别 -
- 典型栅极电荷@Vgs -
- 宽度 -
- 晶体管材料 SiC
- 最高工作温度 -
- 每片芯片元件数目 1
- 长度 -
个 (以每管装提供)
RMB117.20
- RS 库存编号 102-2227
- 制造商零件编号 MC12080DG
- 品牌 onsemi
- 分频 10/20/40/80
- 最大频率 1.1GHz
- 最低频率 -
- 最小频率 100MHz
- 典型输出电压 1.2V
- 典型电源电流 3.7mA
- 安装类型 贴片
- 封装类型 SOIC
- 引脚数目 8
- 尺寸 5 x 4 x 1.5mm
- 高度 1.5mm
- 长度 5mm
- 最大工作电源电压 5.5 V
- 最高工作温度 +85 °C
- 最小工作电源电压 4.5 V
每管:98 个
RMB29.51
- RS 库存编号 172-3437
- 制造商零件编号 NTH027N65S3F-F155
- 品牌 onsemi
- 通道类型 N
- 最大连续漏极电流 75 A
- 最大漏源电压 650 V
- 封装类型 TO-247
- 最大漏源电阻值 27.4 mΩ
- 系列 NTH027N65S3F
- 安装类型 通孔
- 引脚数目 3
- 最大栅源电压 ±30 V
- 通道模式 增强
- 最大栅阈值电压 5V
- 最小栅阈值电压 3V
- 最大功率耗散 595 W
- 晶体管配置 单
- 类别 -
- 典型栅极电荷@Vgs 259 nC @ 10 V
- 宽度 4.82mm
- 晶体管材料 -
- 最高工作温度 +150 °C
- 每片芯片元件数目 1
- 长度 15.87mm
1 包 1 套
RMB136.69
- RS 库存编号 186-9920
- 制造商零件编号 NCV8403ASTT1G
- 品牌 onsemi
- 周边类型 -
- 外设类型 -
- 计时器/计数器数量 -
- 安装类型 贴片
- 封装类型 SOT-223
- 引脚数目 4
- 尺寸 6.7 x 3.7 x 1.75mm
- 长度 6.7mm
- 宽度 3.7mm
- 高度 1.75mm
- 最大工作电源电压 51 V
- 最高工作温度 +150 °C
- 最小工作电源电压 42 V
- 最低工作温度 -40°C
个(每托盘 10 )
RMB7.597
- RS 库存编号 195-2518
- 制造商零件编号 NVB150N65S3F
- 品牌 onsemi
- 通道类型 N
- 最大连续漏极电流 24 A
- 最大漏源电压 650 V
- 封装类型 D2PAK (TO-263)
- 最大漏源电阻值 150 mΩ
- 系列 -
- 安装类型 贴片
- 引脚数目 3
- 最大栅源电压 ±30 V
- 通道模式 增强
- 最大栅阈值电压 5V
- 最小栅阈值电压 3V
- 最大功率耗散 192 W
- 晶体管配置 单
- 类别 -
- 典型栅极电荷@Vgs 43 nC @ 10 V
- 宽度 9.65mm
- 晶体管材料 -
- 最高工作温度 +150 °C
- 每片芯片元件数目 1
- 长度 10.67mm
个(每托盘 10 )
RMB20.378
- RS 库存编号 186-1481
- 制造商零件编号 NVB082N65S3F
- 品牌 onsemi
- 通道类型 N
- 最大连续漏极电流 40 A
- 最大漏源电压 650 V
- 封装类型 D2PAK (TO-263)
- 最大漏源电阻值 82 mΩ
- 系列 -
- 安装类型 贴片
- 引脚数目 3
- 最大栅源电压 ±30 V
- 通道模式 增强
- 最大栅阈值电压 -
- 最小栅阈值电压 -
- 最大功率耗散 313 W
- 晶体管配置 单
- 类别 -
- 典型栅极电荷@Vgs 81 nC @ 10 V
- 宽度 9.65mm
- 晶体管材料 -
- 最高工作温度 +150 °C
- 每片芯片元件数目 1
- 长度 10.67mm
个(每托盘 2 )
RMB43.065
- RS 库存编号 178-4253
- 制造商零件编号 NTHL040N65S3F
- 品牌 onsemi
- 通道类型 N
- 最大连续漏极电流 65 A
- 最大漏源电压 650 V
- 封装类型 TO-247
- 最大漏源电阻值 40 mΩ
- 系列 -
- 安装类型 通孔
- 引脚数目 3
- 最大栅源电压 ±30 V
- 通道模式 增强
- 最大栅阈值电压 5V
- 最小栅阈值电压 3V
- 最大功率耗散 446 W
- 晶体管配置 单
- 类别 -
- 典型栅极电荷@Vgs 158 nC @ 10 V
- 宽度 4.82mm
- 晶体管材料 -
- 最高工作温度 +150 °C
- 每片芯片元件数目 1
- 长度 15.87mm
每管:30 个
RMB90.909
- RS 库存编号 823-4236P
- 制造商零件编号 PCA9535EMTTXG
- 品牌 onsemi
- I/O 通道数量 16
- 接口 I2C
- 针数目 24
- 封装类型 QFN
- 时钟频率 1MHz
- 安装类型 贴片
- 最大电源电压 5.5 V
- 最低电源电压 1.65 V
个 (以每卷装提供)
RMB14.306
- RS 库存编号 186-1348
- 制造商零件编号 NTMTS0D6N04CTXG
- 品牌 onsemi
- 通道类型 N
- 最大连续漏极电流 533 A
- 最大漏源电压 40 V
- 封装类型 DFNW8
- 最大漏源电阻值 μΩ μ m
- 系列 -
- 安装类型 贴片
- 引脚数目 8
- 最大栅源电压 ±20 V
- 通道模式 增强
- 最大栅阈值电压 4V
- 最小栅阈值电压 2V
- 最大功率耗散 245 W
- 晶体管配置 单
- 类别 -
- 典型栅极电荷@Vgs 187 nC @ 10 V
- 宽度 8mm
- 晶体管材料 -
- 最高工作温度 +175 °C
- 每片芯片元件数目 1
- 长度 8.1mm
个(每托盘 2 )
RMB33.115
- RS 库存编号 189-0375
- 制造商零件编号 NCV7344AD10R2G
- 品牌 onsemi
- 最高数据速率 5Mbps
- 收发器数目 1
- 接口 -
- 标准支持 -
- 芯片类型 CAN收发器芯片
- 断电模式 关闭
- 最大电源电流 70 mA
- 安装类型 贴片
- 封装类型 SOIC
- 引脚数目 8
- 尺寸 4.9 x 3.9 x 1.5mm
- 长度 4.9mm
- 宽度 3.9mm
- 高度 1.5mm
- 最大工作电源电压 5.25 V
- 最小工作电源电压 4.75 V
- 最高工作温度 +150 °C
个(每托盘 25 )
RMB5.101
- RS 库存编号 185-8135
- 制造商零件编号 NTBS2D7N06M7
- 品牌 onsemi
- 通道类型 N
- 最大连续漏极电流 110 A
- 最大漏源电压 60 V
- 封装类型 D2PAK (TO-263)
- 最大漏源电阻值 5 mΩ
- 系列 -
- 安装类型 贴片
- 引脚数目 3
- 最大栅源电压 ±20 V
- 通道模式 增强
- 最大栅阈值电压 4V
- 最小栅阈值电压 2V
- 最大功率耗散 176 W
- 晶体管配置 单
- 类别 -
- 典型栅极电荷@Vgs 80 nC @ 10 V
- 宽度 9.65mm
- 晶体管材料 -
- 最高工作温度 +175 °C
- 每片芯片元件数目 1
- 长度 10.67mm
个(每带 800 )
RMB33.058
- RS 库存编号 218-669
- 制造商零件编号 NVHL070N120M3S
- 品牌 onsemi
- 通道类型 N
- 最大连续漏极电流 34A
- 最大漏源电压 1200V
- 封装类型 TO-247-3L
- 最大漏源电阻值 -
- 系列 NVHL
- 安装类型 通孔
- 引脚数目 3
- 最大栅源电压 -
- 通道模式 增强
- 最大栅阈值电压 -
- 最小栅阈值电压 -
- 最大功率耗散 -
- 晶体管配置 -
- 类别 -
- 典型栅极电荷@Vgs -
- 宽度 -
- 晶体管材料 SiC
- 最高工作温度 -
- 每片芯片元件数目 1
- 长度 -
1 包 1 套
RMB95.18