重载连接器模块
重载连接器模块是什么?
重载连接器模块位于重载连接器的中心,用于将触点固定在外壳内。
重载连接器模块的工作原理
- 重载连接器包含连接器插件、触点和保护外壳。
- 重载连接器模块和插件由绝缘材料模制件制成,可安装在连接器罩或外壳内。
- 重载连接器模块由模制的介电材料制成,可安装在连接器外壳内以支持连接器触点。
- 然后,专门为每个不同的外壳尺寸和触点排列加工插件(电气开关中的电路组件、连接器或断路器)。
- 模块和插件由弹性材料制成。
重载连接器模块的类型
重载连接器模块可通过其高质量绝缘材料在小空间内安全传输高电压。重载连接器模块可使用不同材料,例如:
- 单种类型的塑料;
- 铝保护外壳防腐蚀;
- 不锈钢夹防水、防尘,由于外壳坚固,它们可在非常恶劣的环境条件下使用。
重载连接器模块的应用
重载连接器模块适用于需要额外防尘保护、防机械应力和湿度的应用场景。它们增强了机械的安全和快速装配,在某些情况下,允许电源进入单个连接器。例如:
- 自动化与控制
- 机器人技术
- 工业电缆接口
- 信号、电源和气动接口
- 运输和车辆
- 制造和生产
RS 欧时为您提供了不同品牌的重载连接器模块,如HARTING 、Amphenol Industria 、RS PRO 等多款不同规格、型号的产品供您挑选,从而满足不同的应用场景需求。
欢迎查看和订购RS 欧时的重载连接器模块及相关产品,订购现货24小时内发货,线上下单满额免运费。
1660 产品
1660 产品
比较 产品详述 单价(不含税) | 品牌 | 通道类型 | 最大连续漏极电流 | 最大漏源电压 | 封装类型 | 最大漏源电阻值 | 系列 | 安装类型 | 引脚数目 | 最大栅源电压 | 通道模式 | 最大栅阈值电压 | 最小栅阈值电压 | 最大功率耗散 | 晶体管配置 | 类别 | 典型栅极电荷@Vgs | 宽度 | 晶体管材料 | 最高工作温度 | 每片芯片元件数目 | 长度 |
---|
个(每带 3000 ) RMB4.692 | onsemi | N | 1.6 A | 150 V | SOT-23 | 481 mΩ | PowerTrench | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | - | 2V | 1.5 W | 单 | - | 2.9 nC @ 10 V | 2.92mm | Si | +150 °C | 1 | 1.4mm |
个(每托盘 5 ) RMB10.02 | onsemi | N | 1.6 A | 150 V | SOT-23 | 481 mΩ | PowerTrench | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | - | 2V | 1.5 W | 单 | - | 2.9 nC @ 10 V | 2.92mm | Si | +150 °C | 1 | 1.4mm |
个(每托盘 5 ) RMB3.862 | onsemi | N | 20 A | 60 V | DPAK (TO-252) | 50 mΩ | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 2.5V | - | 36 W | 单 | - | 15 nC @ 10 V | 6.22mm | Si | +150 °C | 1 | 6.73mm |
个(每托盘 10 ) RMB1.773 | onsemi | N | 200 mA | 60 V | TO-92 | 5 Ω | - | 通孔 | 3 | -30 V、+30 V | 增强 | - | 0.3V | 400 mW | 单 | - | - | 4.19mm | Si | +150 °C | 1 | 5.2mm |
个(每带 10000 ) RMB1.005 | onsemi | N | 200 mA | 60 V | TO-92 | 5 Ω | - | 通孔 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | - | 0.8V | 400 mW | 单 | - | - | 4.19mm | Si | +150 °C | 1 | 5.2mm |
个(每托盘 10 ) RMB0.832 | onsemi | N | 170 mA | 100 V | SOT-23 | 6 Ω | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 2.8V | - | 225 mW | 单 | - | - | 1.3mm | Si | +150 °C | 1 | 2.9mm |
个(每托盘 20 ) RMB2.769 | onsemi | N | 200 mA | 60 V | TO-92 | 5 Ω | - | 通孔 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | - | 0.8V | 400 mW | 单 | - | - | 4.19mm | Si | +150 °C | 1 | 5.2mm |
个(每带 2000 ) RMB0.692 | onsemi | N | 200 mA | 60 V | TO-92 | 5 Ω | - | 通孔 | 3 | -30 V、+30 V | 增强 | - | 0.3V | 400 mW | 单 | - | - | 4.19mm | Si | +150 °C | 1 | 5.2mm |
个(每托盘 100 ) RMB0.939 | onsemi | N | 200 mA | 60 V | TO-92 | 9 Ω | - | 通孔 | 3 | -40 V、+40 V | 增强 | - | 0.8V | 400 mW | 单 | - | - | 4.19mm | Si | +150 °C | 1 | 5.2mm |
个(每带 3000 ) RMB0.325 | onsemi | N | 170 mA | 100 V | SOT-23 | 6 Ω | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 2.8V | - | 225 mW | 单 | - | - | 1.3mm | Si | +150 °C | 1 | 2.9mm |
个(每带 3000 ) RMB0.35 | onsemi | N | 200 mA | 50 V | SOT-23 | 3.5 Ω | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 1.5V | - | 225 mW | 单 | - | - | 1.3mm | Si | +150 °C | 1 | 2.9mm |
个(每带 2500 ) RMB2.145 | onsemi | P | 5.3 A | 30 V | SOIC | 50 mΩ | PowerTrench | 贴片 | 8 | -25 V、+25 V | 增强 | - | 1V | 2.5 W | 单 | - | 10 nC @ 10 V | 4mm | Si | +175 °C | 1 | 5mm |
个(每托盘 200 ) RMB0.487 | onsemi | N | 115 mA | 60 V | SOT-23 | 7.5 Ω | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 2.5V | - | 300 mW | 单 | - | - | 1.4mm | Si | +150 °C | 1 | 3.04mm |
个(每托盘 50 ) RMB0.919 | onsemi | N | 115 mA | 60 V | SOT-23 | 7.5 Ω | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 2.5V | - | 300 mW | 单 | - | - | 1.3mm | Si | +150 °C | 1 | 2.9mm |
个(每带 10000 ) RMB0.245 | onsemi | N | 115 mA | 60 V | SOT-23 | 7.5 Ω | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 2.5V | - | 300 mW | 单 | - | - | 1.4mm | Si | +150 °C | 1 | 3.04mm |
个(每带 10000 ) RMB0.329 | onsemi | N | 200 mA | 50 V | SOT-23 | 3.5. Ω | BSS138L | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 1.5V | 0.5V | 225 mW | 单 | - | - | 1.3mm | Si | +150 °C | 1 | 2.9mm |
个(每托盘 10 ) RMB3.718 | onsemi | P | 5.3 A | 30 V | SOIC | 50 mΩ | PowerTrench | 贴片 | 8 | -25 V、+25 V | 增强 | - | 1V | 2500 mW | 单 | - | 10 nC @ 10 V | 4mm | Si | +175 °C | 1 | 5mm |
个(每托盘 25 ) RMB1.719 | onsemi | N | 200 mA | 50 V | SOT-23 | 3.5 Ω | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 1.5V | - | 225 mW | 单 | - | - | 1.3mm | Si | +150 °C | 1 | 2.9mm |
个(每托盘 25 ) RMB0.588 | onsemi | N | 200 mA | 50 V | SOT-23 | 3.5 Ω | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 1.5V | 0.5V | 225 mW | 单 | - | - | 1.3mm | Si | +150 °C | 1 | 2.9mm |
个(每带 3000 ) RMB0.245 | onsemi | N | 115 mA | 60 V | SOT-23 | 7.5 Ω | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 2.5V | - | 300 mW | 单 | - | - | 1.3mm | Si | +150 °C | 1 | 2.9mm |