照明连接器配件
照明连接器配件是什么?
照明连接器配件是连接照明系统的重要组成部分,以提供可靠的电力传输和数据控制措施。
照明连接器配件的工作原理
- 照明连接器配件是一种集成的工程设计解决方案,使照明连接器受到保护且安装简单。
- 无论您何时需要连接或保护照明系统,这些配件都不需要任何复杂的工具,这意味着您的照明应用项目容易实现。
- 照明连接器配件的用途取决于照明连接器的类型及其形成令人满意的电气控制系统的用途,无论您的项目是为家用项目、商业还是严格的工业环境。
照明连接器配件的类型
- 香蕉插头:提供足够的弹簧张力,确保出色的保持力和最小的触点电阻。
- 电缆环形螺母:是Nector M系列照明连接器的配件。
- 电缆密封件:是您可能遇到的连接器固定问题的解决方案。
- 电缆组件:(插入式/微型HVL)一端无端接插头,一端有插头,特别适用于家用家具或安装照明。
- 接线排:端接单根导线(单柱)。
- 保护盖:是重要的微型连接器配件,圆形,提供防水功能。
- 分配器盖:常用于商店或展示柜等照明行业应用。
- 垫圈渐缩管:该插件是与防水连接器一起使用的配件。
- 护罩:是GST18连接器系统的配件,提供1至3或1至5路分线块。
- IP罩:是针对照明应用的解决方案,其中尺寸和易于互连非常重要。
- 锁定:配件与Nector M系列照明连接器触点匹配。
- 插座触点:是与Nector M系列照明连接器插头和插座一起使用的解决方案。
RS 欧时为您提供了不同品牌的照明连接器配件,如Amphenol ICC、TE Connectivity 、Wieland 等多款不同规格、型号的产品供您挑选,从而满足不同的应用场景需求。
欢迎查看和订购RS 欧时的照明连接器配件及相关产品,订购现货24小时内发货,线上下单满额免运费。
77 产品
比较 产品详述 单价(不含税) | 品牌 | 通道类型 | 最大连续漏极电流 | 最大漏源电压 | 封装类型 | 最大漏源电阻值 | 系列 | 安装类型 | 引脚数目 | 最大栅源电压 | 通道模式 | 最大栅阈值电压 | 最小栅阈值电压 | 最大功率耗散 | 晶体管配置 | 类别 | 典型栅极电荷@Vgs | 宽度 | 晶体管材料 | 最高工作温度 | 每片芯片元件数目 | 长度 |
---|
个(每带 2500 ) RMB4.963 | Texas Instruments | N | 100 A | 60 V | VSONP | 8.5 mΩ | NexFET | 贴片 | 8 | -20 V、+20 V | 增强 | 2.3V | 1.5V | 3.2 W | 单 | - | 14 nC @ 4.5 V | 5mm | Si | +150 °C | 1 | 5.8mm |
个(每托盘 5 ) RMB9.812 | Texas Instruments | N | 100 A | 60 V | VSONP | 8.5 mΩ | NexFET | 贴片 | 8 | -20 V、+20 V | 增强 | 2.3V | 1.5V | 3.2 瓦 | 单 | - | 14 nC @ 4.5 V | 5mm | Si | +150 °C | 1 | 5.8mm |
个(每带 2500 ) RMB4.963 | Texas Instruments | N | 75 A | 40 V | VSONP | 9.8 mΩ | NexFET | 贴片 | 8 | -20 V、+20 V | 增强 | 2.4V | 1.5V | 3.1 W | 单 | - | 7.7 nC @ 4.5 V | 5mm | Si | +150 °C | 1 | 5.8mm |
每管:50 个 RMB24.581 | Texas Instruments | N | 273 A | 80 V | TO-220 | 2.8 mΩ | NexFET | 通孔 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 3.2V | 2.1V | 375 W | 单 | - | 120 nC @ 10 V | 4.7mm | Si | +175 °C | 1 | 10.67mm |
个(每托盘 2 ) RMB32.165 | Texas Instruments | N | 259 A | 100 V | TO-220 | 3.2 mΩ | NexFET | 通孔 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 3.2V | 2.1V | 375 W | 单 | - | 118 nC @ 10 V | 4.7mm | Si | +175 °C | 1 | 10.67mm |
个 RMB43.03 | Texas Instruments | N | 272 A | 100 V | D2PAK (TO-263) | 2.8 mΩ | NexFET | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | - | - | 375 W | 单 | - | 118 nC @ 0 V | 9.65mm | Si | +175 °C | 1 | 10.67mm |
个(每带 50 ) RMB35.952 | Texas Instruments | N | 272 A | 100 V | D2PAK (TO-263) | 2.8 mΩ | NexFET | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | - | - | 375 W | 单 | - | 118 nC @ 0 V | 9.65mm | Si | +175 °C | 1 | 10.67mm |
个(每托盘 5 ) RMB8.572 | Texas Instruments | N | 75 A | 40 V | VSONP | 9.8 mΩ | NexFET | 贴片 | 8 | -20 V、+20 V | 增强 | 2.4V | 1.5V | 3.1 W | 单 | - | 7.7 nC @ 4.5 V | 5mm | Si | +150 °C | 1 | 5.8mm |
个 RMB28.07 | Texas Instruments | N | 273 A | 80 V | TO-220 | 2.8 mΩ | NexFET | 通孔 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 3.2V | 2.1V | 375 W | 单 | - | 120 nC @ 10 V | 4.7mm | Si | +175 °C | 1 | 10.67mm |
每管:50 个 RMB24.581 | Texas Instruments | N | 259 A | 100 V | TO-220 | 3.2 mΩ | NexFET | 通孔 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 3.2V | 2.1V | 375 W | 单 | - | 118 nC @ 10 V | 4.7mm | Si | +175 °C | 1 | 10.67mm |
个(每托盘 5 ) RMB11.462 | Texas Instruments | N | 134 A | 60 V | VSONP | 5.8 mΩ | NexFET | 贴片 | 8 | -20 V、+20 V | 增强 | 2.3V | 1.5V | 3.1 W | 单 | - | 18 nC @ 4.5 V | 5mm | Si | +150 °C | 1 | 5.8mm |
个(每托盘 5 ) RMB10.39 | Texas Instruments | N | 100 A | 100 V | TO-220 | 20 MΩ | NexFET | 通孔 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | - | - | 118 W | 单 | - | 17.1 nC @ 0 V | 4.7mm | Si | +175 °C | 1 | 10.67mm |
个(每带 2500 ) RMB6.779 | Texas Instruments | N | 134 A | 60 V | VSONP | 5.8 mΩ | NexFET | 贴片 | 8 | -20 V、+20 V | 增强 | 2.3V | 1.5V | 3.1 W | 单 | - | 18 nC @ 4.5 V | 5mm | Si | +150 °C | 1 | 5.8mm |
个(每带 2500 ) RMB12.832 | Texas Instruments | N | 204 A | 40 V | VSON-CLIP | 3.3 mΩ | NexFET | 贴片 | 8 | -20 V、+20 V | 增强 | 2.2V | 1.5V | 3.2 W | 单 | - | 25 nC @ 4.5 V | 5.1mm | Si | +150 °C | 1 | 6.1mm |
个(每托盘 5 ) RMB16.70 | Texas Instruments | N | 204 A | 40 V | VSON-CLIP | 3.3 mΩ | NexFET | 贴片 | 8 | -20 V、+20 V | 增强 | 2.2V | 1.5V | 3.2 瓦 | 单 | - | 25 nC @ 4.5 V | 5.1mm | Si | +150 °C | 1 | 6.1mm |
个(每托盘 2 ) RMB15.615 | Texas Instruments | N | 157 A | 80 V | VSON-CLIP | 4.8 mΩ | NexFET | 贴片 | 8 | -20 V、+20 V | 增强 | 3.3V | 2.2V | 195 W | 单 | - | 130 nC @ 10 V | 5.1mm | - | +150 °C | 1 | 6.1mm |
个(每带 250 ) RMB6.048 | Texas Instruments | P | 104 A | 20 V | VSON-CLIP | 150 mΩ | NexFET | 贴片 | 8 | -12 V、+12 V | 增强 | 1.15V | 0.65V | 96 W | 单 | - | 10.8 nc @ 4.5 v | 3.4mm | - | +150 °C | 1 | 3.4mm |
个(每带 250 ) RMB14.887 | Texas Instruments | N | 157 A | 80 V | VSON-CLIP | 4.8 mΩ | NexFET | 贴片 | 8 | -20 V、+20 V | 增强 | 3.3V | 2.2V | 195 W | 单 | - | 130 nC @ 10 V | 5.1mm | - | +150 °C | 1 | 6.1mm |
个(每托盘 5 ) RMB10.562 | Texas Instruments | N | 100 A | 60 V | VSONP | 10.8 mΩ | NexFET | 贴片 | 8 | -20 V、+20 V | 增强 | 2.4V | 1.7V | 3.2 瓦 | 单 | - | 15 nC @ 10 V | 5mm | Si | +150 °C | 1 | 5.8mm |
个(每带 2500 ) RMB8.232 | Texas Instruments | N | 100 A | 25 V | VSON-CLIP | 3.8 mΩ | NexFET | 贴片 | 8 | -8 V,+10 V | 增强 | 1.4V | 0.9V | 3.1 W | 单 | - | 14 nC @ 4.5 V | 5.1mm | Si | +150 °C | 1 | 6.1mm |