光电耦合器
光电耦合器是什么？
光电耦合器，简称光耦，也叫光电隔离器，是以光为媒介传输电信号的一种电一光一电转换器件。
光电耦合器的工作原理
光电耦合器主要由三部分组成：光的发射、光的接收及信号放大。在光电耦合器输入端加电信号使发光源发光，光的强度取决于激励电流的大小，此光照射到封装在一起的受光器上后，因光电效应而产生了光电流，由受光器输出端引出，这样就实现了电一光一电的转换。
光电耦合器的分类
按输出形式分：
- 光敏器件输出型，其中包括光敏二极管输出型，光敏三极管输出型，光电池输出型，光可控硅输出型等。
- NPN****三极管输出型，其中包括交流输入型，直流输入型，互补输出型等。
- 达林顿三极管输出型，其中包括交流输入型，直流输入型。
- 逻辑门电路输出型，其中包括门电路输出型，施密特触发输出型，三态门电路输出型等。
- 低导通输出型（输出低电平毫伏数量级）。
- 光开关输出型（导通电阻小余10Ω）。
- 功率输出型（IGBT/MOSFET等输出）。
光电耦合器的应用
光电耦合器在长线信息传输中作为终端隔离元件可以大幅度提高信噪比。因此，它在各种电路中得到了广泛的应用。目前已成为种类最多、用途最广的光电器件之一。
RS为您提供了不同品牌的光电耦合器，如Vishay、Toshiba、Wurth Elektronik、Broadcom、onsemi等多款不同规格、型号的产品供您挑选，从而满足不同的应用场景需求。
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83 产品
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比较 产品详述 单价（不含税） | 品牌 | 安装类型 | 输出设备 | 最大正向电压 | 通道数目 | 针数目 | 封装类型 | 输入电流类型 | 典型上升时间 | 最大输入电流 | 隔离电压 | 逻辑输出 | 最大电流传输比 | 典型下降时间 | 最小电流传输率 | 危险区域认证 | 系列 |
|---|
Renesas Electronics | 通孔 | 达林顿 | 1.4V | 4 | 16 | PDIP | 直流 | 100µs | 80 mA | 5 KVrms | - | 2000% | 100µs | 200% | - | PS | |||
Renesas Electronics | 通孔 | 达林顿 | 1.4V | 4 | 16 | PDIP | 直流 | 100µs | 80 mA | 5000 Vrms | - | 2000% | 100µs | 200% | - | PS | |||
Toshiba | 通孔 | 达林顿 | 1.3V | 2 | 8 | PDIP | 直流 | - | 50 mA | 2.5 kVrms | - | 2000% | - | 1000 % | - | - | |||
Vishay | 通孔 | 达林顿 | 1.5V | 1 | 6 | PDIP | 直流 | - | 60 mA | 5300 V ac | - | - | - | 500 % | - | 4N33 | |||
Vishay | 通孔 | 达林顿 | 1.5V | 1 | 6 | PDIP | 直流 | - | 60 mA | 5300 V 交流 | - | - | - | 500% | - | 4N33 | |||
onsemi | 通孔 | 达林顿 | 1.75V | 1 | 8 | DIP | 直流 | - | 1 A | 5 KVrms | - | 1600% | - | - | - | 6N138 | |||
Toshiba | 贴片 | 达林顿 | 1.4V | 1 | 4 | SOIC | 直流 | 40µs | 150 mA | 3.75 kVrms | - | 4000% | 15µs | - | - | TLP | |||
onsemi | 通孔 | 达林顿 | 2V | 1 | 6 | MDIP | 直流 | 8.5µs | 60 mA | 7500 V 交流 | - | 500% | 95µs | - | - | MOC | |||
onsemi | 通孔 | 达林顿 | 2V | 1 | 6 | MDIP | 直流 | 8.5µs | 60 mA | 7.5 kVrms | - | 500% | 95µs | - | - | MOC | |||
Toshiba | 贴片 | 达林顿 | 1.4V | 1 | 4 | SOIC | 直流 | 40µs | 150 mA | 3750 Vrms | - | 4000% | 15µs | - | - | TLP | |||
onsemi | 通孔 | 达林顿 | 1.75V | 1 | 8 | DIP | 直流 | - | 1 A | 5000 Vrms | - | 1600% | - | - | - | 6N138 | |||
Broadcom | 通孔 | 达林顿 | 1.7V | 2 | 8 | PDIP | 直流 | - | 20 mA | 5 KVrms | 是 | 5000% | - | 400% | - | HCPL | |||
毎管：50 个 RMB16.356 | Broadcom | 通孔 | 达林顿 | 1.7V | 2 | 8 | PDIP | 直流 | - | 20 mA | 5 KVrms | 是 | 5000% | - | 400% | - | HCPL | ||
Broadcom | 通孔 | 达林顿 | 1.7V | 1 | 8 | PDIP | 直流 | - | 20 mA | 3.75 kVrms | 是 | 2600% | - | 300% | - | 6N138 | |||
Broadcom | 通孔 | 达林顿 | 1.7V | 1 | 8 | PDIP | 直流 | - | 20 mA | 3.75 kVrms | 是 | 2600% | - | 300% | - | 6N138 | |||
onsemi | 贴片 | 达林顿 | 1.3V | 2 | 8 | SOIC | 直流 | 8µs | 60 mA | 2.5 kVrms | - | 1000% | 110µs | 500% | - | MOCD | |||
onsemi | 贴片 | 达林顿 | 1.3V | 2 | 8 | SOIC | 直流 | 8µs | 60 mA | 2.5 kVrms | - | 1000% | 110µs | 500% | - | MOCD | |||
onsemi | 通孔 | 达林顿 | 1.75V | 1 | 8 | DIP | 直流 | - | 1 A | 5 KVrms | - | 2000% | - | - | - | 6N139 | |||
毎管：50 个 RMB29.891 | Broadcom | 通孔 | 达林顿 | - | 1 | 8 | PDIP | 交流，直流 | 14µs | 50 mA | 3.75 kVrms | 是 | - | 0.4µs | - | - | HCPL | ||
Broadcom | 贴片 | 达林顿 | 1.7V | 1 | 8 | SOIC | 直流 | - | 20 mA | 3750 V 交流 | 是 | 5000% | - | 400% | - | HCPL | |||
