双极型晶体管

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描述 价格 晶体管类型 最大直流集电极电流 最大集电极-发射极电压 封装类型 安装类型 最大功率耗散 最小直流电流增益 晶体管配置 最大集电极-基极电压 最大发射极-基极电压 最大工作频率 引脚数目 每片芯片元件数目 接口
新产品
RS 库存编号 155-046
制造商零件编号FMMT458TA
品牌DiodesZetex
RMB2.487
/个 (每包:25个)
单位
NPN 225 mA 400 V SOT-23 表面贴装 500 mW 100 400 V 5 V 50 MHz 3 1 -
RS 库存编号 162-9607
制造商零件编号NSV60600MZ4T1G
品牌onsemi
RMB1.831
个 (在毎卷:1000)
单位
PNP -6 A -60 V SOT-223 (SC-73) 贴片 800 mW - -100 V 直流 -6 V 1 MHz 3 + Tab 1 -
RS 库存编号 166-3611
制造商零件编号KSA992FBU
品牌onsemi
RMB0.376
个 (以毎袋:10000)
单位
PNP -50 mA -120 V TO-92 通孔 500 mW 300, 430 -120 V -5 V 1 MHz 3 1 -
RS 库存编号 163-2501
制造商零件编号MJD50T4G
品牌onsemi
RMB1.925
个 (在毎卷:2500)
单位
NPN 1 A 400 V DPAK (TO-252) 贴片 1.56 W 30 500 V 5 V 10 MHz 3 1 -
RS 库存编号 112-5475
制造商零件编号PZT2907A,115
品牌Nexperia
RMB2.212
/个 (每包:5个)
单位
PNP -600 mA -60 V SOT-223 (SC-73) 贴片 1.15 W 100 60 V 5 V 200 MHz 4 1 -
RS 库存编号 688-1518
制造商零件编号MJD50T4G
品牌onsemi
RMB4.52
/个 (每包:2个)
单位
NPN 1 A 400 V DPAK (TO-252) 贴片 1560 mW 30 500 V 5 V 10 MHz 3 1 -
RS 库存编号 865-2104
制造商零件编号BCX56-16,115
品牌Nexperia
RMB1.051
/个 (每包:100个)
单位
NPN 1 A 80 V SOT-89 贴片 1.35 W 63 100 V 5 V 180 MHz 3 1 -
RS 库存编号 168-6433
制造商零件编号2STR2230
RMB0.88
个 (在毎卷:3000)
单位
PNP -1.5 A -30 V SOT-23 贴片 500 mW 170 30 V 5 V 100 MHz 3 1 -
RS 库存编号 486-4577
制造商零件编号MJE350
RMB4.788
/个 (每包:5个)
单位
PNP -500 mA -300 V SOT-32 通孔 20.8 W 30 300 V 3 V - 3 1 -
RS 库存编号 177-5499
制造商零件编号2N2907ACSM
品牌Semelab
RMB647.007
Each (In a Tray of 100)
单位
PNP -600 mA -60 V LCC 1 贴片 500 mW - -60 V -5 V - 3 1 -
RS 库存编号 124-6545
制造商零件编号DTC114EMT2L
品牌ROHM
RMB0.841
/个 (每包:150个)
单位
NPN 100 mA 50 V SC-105AA 贴片 150 mW 30 - - - 3 1 -
RS 库存编号 166-0459
制造商零件编号MMST3906-7-F
品牌DiodesZetex
RMB0.291
个 (在毎卷:3000)
单位
PNP -200 mA -40 V SOT-323 (SC-70) 贴片 200 mW 100 -40 V -5 V - 3 1 -
RS 库存编号 922-7715
制造商零件编号FZT753TA
品牌DiodesZetex
RMB2.015
个 (在毎卷:1000)
单位
PNP -2 A -100 V SOT-223 (SC-73) 贴片 2 W 100 120 V 5 V 140 MHz 3 + Tab 1 -
RS 库存编号 166-0509
制造商零件编号PBSS4140T,215
品牌Nexperia
RMB0.452
个 (在毎卷:3000)
单位
NPN 1 A 40 V SOT-23 (TO-236AB) 贴片 450 mW 300 40 V 5 V 150 MHz 3 1 -
RS 库存编号 166-2172
制造商零件编号FJL4215OTU
品牌onsemi
RMB27.839
毎管:25 个
单位
PNP -17 A -250 V TO-264 通孔 150 W 55 -250 V -5 V 30 MHz 3 1 -
RS 库存编号 168-6254
制造商零件编号MJE350
RMB4.20
毎管:50 个
单位
PNP -500 mA -300 V SOT-32 通孔 20.8 W 30 300 V 3 V - 3 1 -
RS 库存编号 790-5494
制造商零件编号TIP29CG
品牌onsemi
RMB5.946
/个 (每包:10个)
单位
NPN 1 A 100 V TO-220 通孔 30 W 15 100 V 直流 5 V 1 MHz 3 1 -
RS 库存编号 155-052
制造商零件编号FMMT459TA
品牌DiodesZetex
RMB2.963
/个 (每包:25个)
单位
NPN 150 mA 450 V SOT-23 贴片 806 mW 50 500 V 6 V 50 MHz 3 1 -
RS 库存编号 518-3706
制造商零件编号PUMD13,115
品牌Nexperia
RMB1.11
/个 (每包:50个)
单位
NPN/PNP 100 mA 50 V SOT-363 (SC-88) 贴片 - - 隔离式 - 10 V - 6 2 -
RS 库存编号 669-7436
制造商零件编号ZHB6718TA
品牌DiodesZetex
RMB15.125
/个 (每包:2个)
单位
NPN/PNP 2.5 A 20 V SM 贴片 2 W 300 全桥 20 V 5 V 140 MHz 8 4 -

双极型晶体管

双极型晶体管是什么?

双极型晶体管,也叫双极性晶体管、晶体三极管,是一种具有三个终端的电子器件,由三部分掺杂程度不同的半导体制成,晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。

双极型晶体管的应用

双极型晶体管能够放大信号,并且具有较好的功率控制、高速工作以及耐久能力,所以它常被用来构成放大器电路,或驱动扬声器、电动机等设备,并被广泛地应用于航空航天工程、医疗器械和机器人等应用产品中。

双极型晶体管的分类

  • NPN型晶体管:由两层N型掺杂区域和介于二者之间的一层P型掺杂半导体(基极)组成。输入到基极的微小电流将被放大,产生较大的集电极-发射极电流。当NPN型晶体管基极电压高于发射极电压,并且集电极电压高于基极电压,则晶体管处于正向放大状态。在这一状态中,晶体管集电极和发射极之间存在电流。被放大的电流,是发射极注入到基极区域的电子(在基极区域为少数载流子),在电场的推动下漂移到集电极的结果。由于电子迁移率比空穴迁移率更高,因此现在使用的大多数双极性晶体管为NPN型。
  • PNP型晶体管:由两层P型掺杂区域和介于二者之间的一层N型掺杂半导体组成。流经基极的微小电流可以在发射极端得到放大。也就是说,当PNP型晶体管的基极电压低于发射极时,集电极电压低于基极,晶体管处于正向放大区。

RS为您提供了不同品牌的双极型晶体管,如onsemiNexperiaDiodesZetexROHMInfineon等多款不同规格、型号的产品供您挑选,从而满足不同的应用场景需求。

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