双极型晶体管

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描述 价格 晶体管类型 最大直流集电极电流 最大集电极-发射极电压 封装类型 安装类型 最大功率耗散 最小直流电流增益 晶体管配置 最大集电极-基极电压 最大发射极-基极电压 最大工作频率 引脚数目 每片芯片元件数目 接口
RS 库存编号 545-0387
制造商零件编号MMBT4403LT1G
品牌onsemi
RMB0.781
/个 (每包:50个)
单位
PNP -600 mA -40 V SOT-23 贴片 300 mW 100 40 V 5 V 200 MHz 3 1 -
RS 库存编号 865-2094
制造商零件编号BCX55,115
品牌Nexperia
RMB0.837
/个 (每包:100个)
单位
NPN 1 A 60 V SOT-89 贴片 1.35 W 63 60 V 5 V 180 MHz 3 1 -
RS 库存编号 922-7746
制造商零件编号ZTX751
品牌DiodesZetex
RMB2.84
个 (以毎盒:4000)
单位
PNP -2 A -60 V TO-92 通孔 1 W 100 80 V 5 V 140 MHz 3 1 -
RS 库存编号 162-9114
制造商零件编号NJVMJD32CT4G
品牌onsemi
RMB1.72
个 (在毎卷:2500)
单位
PNP -3 A -100 V DPAK (TO-252) 贴片 15 W - 100 V 5 V 1 MHz 3 1 -
RS 库存编号 165-6842
制造商零件编号STR2550
RMB0.999
个 (在毎卷:3000)
单位
PNP -500 mA -500 V SOT-23 贴片 500 mW 100 -500 V -7 V - 3 1 -
RS 库存编号 484-2606
制造商零件编号BSP41,115
品牌Nexperia
RMB2.762
/个 (每包:10个)
单位
NPN 1 A 60 V SOT-223 (SC-73) 贴片 1.3 W 30 70 V 5 V 100 MHz 4 1 -
RS 库存编号 124-6437
制造商零件编号2SC2412KT146Q
品牌ROHM
RMB0.507
/个 (每包:150个)
单位
NPN 150 mA 50 V SOT-346 表面贴装 200 mW 120 60 V 7 V 180 MHz 3 1 -
RS 库存编号 761-3943
制造商零件编号BC33725BU
品牌onsemi
RMB0.597
/个 (每包:100个)
单位
NPN 800mA 50 V TO-92 通孔 625 mW - 50 V 5 V 100 MHz 3 1 -
RS 库存编号 669-7708
制造商零件编号ZXTN2010GTA
品牌DiodesZetex
RMB5.392
/个 (每包:5个)
单位
NPN 6 A 60 V SOT-223 (SC-73) 贴片 3000 mW 100 150 V 7 V 130 MHz 3 + Tab 1 -
RS 库存编号 796-9672
制造商零件编号BC337-40 A1
RMB0.971
/个 (每包:250个)
单位
NPN 800mA 45 V TO-92 通孔 625 mW 250 50 V 5 V - 3 1 -
RS 库存编号 165-8711
制造商零件编号PBHV8118T,215
品牌Nexperia
RMB1.143
个 (在毎卷:3000)
单位
NPN 1 A 180 V SOT-23 贴片 300 mW 100 400 V 6 V 100 MHz 3 1 -
RS 库存编号 669-7530
制造商零件编号ZXTN2020FTA
品牌DiodesZetex
RMB4.451
/个 (每包:10个)
单位
NPN 4 A 100 V SOT-23 贴片 1.56 W 100 160 V 7 V 130 MHz 3 1 -
RS 库存编号 790-5299
制造商零件编号2N6491G
品牌onsemi
RMB6.43
/个 (每包:5个)
单位
PNP -15 A -80 V TO-220 通孔 75 W 20 90 V 直流 5 V 1 MHz 3 1 -
RS 库存编号 686-8076
制造商零件编号BD139-10
RMB1.123
/个 (每包:20个)
单位
NPN 3 A 80 V SOT-32 通孔 1250 mW - 80 V 5 V - 3 1 -
RS 库存编号 169-4139
制造商零件编号FZT851TA
品牌DiodesZetex
RMB6.09
单位
NPN 6 A 60 V SOT-223 (SC-73) 贴片 3 W 100 150 V 6 V - 3 + Tab 1 -
RS 库存编号 800-9705
制造商零件编号BSS63LT1G
品牌onsemi
RMB0.403
Each (On a Tape of 250)
单位
PNP -100 mA -100 V SOT-23 贴片 225 mW 30 - - 95 MHz 3 1 -
RS 库存编号 166-3787
制造商零件编号KSC2328AYTA
品牌onsemi
RMB0.846
Each (On a Tape of 2000)
单位
NPN 2 A 30 V TO-92 通孔 1 W 160 30 V 5 V 1 MHz 3 1 -
RS 库存编号 249-814
制造商零件编号STN93003
RMB3.828
/个 (每包:20个)
单位
PNP -1.5 A -400 V SOT-223 (SC-73) 表面贴装 1.6 W 16 - 5 V - 3 + Tab 1 -
RS 库存编号 545-2355
制造商零件编号MJE2955TG
品牌onsemi
RMB6.63
单位
PNP -10 A -60 V TO-220AB 通孔 75 W 20 70 V 5 V 2 MHz 3 1 -
RS 库存编号 103-8116
制造商零件编号BCM847BS,115
品牌Nexperia
RMB0.908
个 (在毎卷:3000)
单位
NPN 100 mA 45 V SOT-363 (SC-88) 贴片 300 mW 200 电流反射镜 50 V 6 V - 6 2 -

双极型晶体管

双极型晶体管是什么?

双极型晶体管,也叫双极性晶体管、晶体三极管,是一种具有三个终端的电子器件,由三部分掺杂程度不同的半导体制成,晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。

双极型晶体管的应用

双极型晶体管能够放大信号,并且具有较好的功率控制、高速工作以及耐久能力,所以它常被用来构成放大器电路,或驱动扬声器、电动机等设备,并被广泛地应用于航空航天工程、医疗器械和机器人等应用产品中。

双极型晶体管的分类

  • NPN型晶体管:由两层N型掺杂区域和介于二者之间的一层P型掺杂半导体(基极)组成。输入到基极的微小电流将被放大,产生较大的集电极-发射极电流。当NPN型晶体管基极电压高于发射极电压,并且集电极电压高于基极电压,则晶体管处于正向放大状态。在这一状态中,晶体管集电极和发射极之间存在电流。被放大的电流,是发射极注入到基极区域的电子(在基极区域为少数载流子),在电场的推动下漂移到集电极的结果。由于电子迁移率比空穴迁移率更高,因此现在使用的大多数双极性晶体管为NPN型。
  • PNP型晶体管:由两层P型掺杂区域和介于二者之间的一层N型掺杂半导体组成。流经基极的微小电流可以在发射极端得到放大。也就是说,当PNP型晶体管的基极电压低于发射极时,集电极电压低于基极,晶体管处于正向放大区。

RS为您提供了不同品牌的双极型晶体管,如onsemiNexperiaDiodesZetexROHMInfineon等多款不同规格、型号的产品供您挑选,从而满足不同的应用场景需求。

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