双极型晶体管

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描述 价格 晶体管类型 最大直流集电极电流 最大集电极-发射极电压 封装类型 安装类型 最大功率耗散 最小直流电流增益 晶体管配置 最大集电极-基极电压 最大发射极-基极电压 最大工作频率 引脚数目 每片芯片元件数目 接口
RS 库存编号 485-313
制造商零件编号PBSS4160DPN,115
品牌Nexperia
RMB1.716
/个 (每包:20个)
单位
NPN/PNP 1 A 60 V TSOP 贴片 700 mW 250 隔离式 80 V 5 V 220 MHz 6 2 -
RS 库存编号 145-4783
制造商零件编号MMBTA56LT3G
品牌onsemi
RMB0.121
个 (在毎卷:10000)
单位
PNP -500 mA -80 V SOT-23 贴片 225 mW 100 -80 V 直流 -4 V 100 MHz 3 1 -
RS 库存编号 178-5120
制造商零件编号2STF1360
RMB1.347
个 (在毎卷:2500)
单位
NPN 3 A 60 V SOT-89 贴片 1.4 W 160 80 V 6 V 130 MHz 3 1 -
RS 库存编号 803-1106
制造商零件编号BC548CTA
品牌onsemi
RMB0.598
/个 (每包:200个)
单位
NPN 100 mA 30 V TO-92 通孔 500 mW - 30 V 5 V 1 MHz 3 1 -
RS 库存编号 690-0123
制造商零件编号PZTA92T1G
品牌onsemi
RMB1.995
/个 (每包:10个)
单位
PNP -500 mA -300 V SOT-223 (SC-73) 贴片 1.5 W 40 300 V 5 V 50 MHz 3 + Tab 1 -
RS 库存编号 163-2710
制造商零件编号PZTA92T1G
品牌onsemi
RMB0.831
个 (在毎卷:1000)
单位
PNP -500 mA -300 V SOT-223 (SC-73) 贴片 1.5 W 40 300 V 5 V 50 MHz 3 + Tab 1 -
RS 库存编号 922-7945
制造商零件编号ZTX951
品牌DiodesZetex
RMB4.739
个 (以毎袋:4000)
单位
PNP -4 A -60 V TO-92 通孔 1.2 W 100 100 V 6 V 120 MHz 3 1 -
RS 库存编号 774-0749
制造商零件编号2SC5706-TL-H
品牌onsemi
RMB6.174
/个 (每包:5个)
单位
NPN 5 A 50 V TP-FA 贴片 15 W 200 100 V 6 V 1 MHz 4 1 -
RS 库存编号 169-3164
制造商零件编号BD912
RMB9.25
单位
PNP -15 A -100 V TO-220 通孔 90 W 15 100 V 5 V 3 MHz 3 1 -
RS 库存编号 463-218
制造商零件编号MJE350G
品牌onsemi
RMB3.329
/个 (每包:20个)
单位
PNP -500 mA -300 V TO-225 通孔 20 W 30 - 3 V - 3 1 -
RS 库存编号 121-9965
制造商零件编号FZT658TA
品牌DiodesZetex
RMB2.40
个 (在毎卷:1000)
单位
NPN 500 mA 400 V SOT-223 (SC-73) 贴片 2 W 50 400 V 5 V 50 MHz 3 + Tab 1 -
RS 库存编号 711-4901
制造商零件编号MMST5401-7-F
品牌DiodesZetex
RMB1.506
/个 (每包:50个)
单位
PNP -200 mA -150 V SOT-323 (SC-70) 贴片 200 mW 60 -160 V -5 V 300 MHz 3 1 -
RS 库存编号 103-5141
制造商零件编号D45VH10G
品牌onsemi
RMB5.082
毎管:50 个
单位
PNP -15 A -80 V TO-220AB 通孔 83 W 20 - 7 V 20 MHz 3 1 -
RS 库存编号 711-4862
制造商零件编号BC857C-7-F
品牌DiodesZetex
RMB0.39
/个 (每包:100个)
单位
PNP -100 mA -45 V SOT-23 贴片 300 mW 420 -50 V -5 V 200 MHz 3 1 -
RS 库存编号 165-8684
制造商零件编号DXT5551-13
品牌DiodesZetex
RMB0.708
个 (在毎卷:2500)
单位
NPN 600 mA 160 V SOT-89 贴片 1.2 W 80 180 V 6 V 300 MHz 3 1 -
RS 库存编号 739-0492
制造商零件编号PN2907ATA
品牌onsemi
RMB1.701
/个 (每包:10个)
单位
PNP -800 mA -60 V TO-92 通孔 625 mW 100 60 V 5 V - 3 1 -
RS 库存编号 464-160
制造商零件编号PZT2907AT1G
品牌onsemi
RMB1.728
/个 (每包:50个)
单位
PNP -600 mA -60 V SOT-223 (SC-73) 贴片 1.5 W 100 60 V 5 V 200 MHz 3 + Tab 1 -
RS 库存编号 669-7663
制造商零件编号ZTX558
品牌DiodesZetex
RMB3.409
/个 (每包:10个)
单位
PNP -200 mA -400 V TO-92 通孔 1000 mW 100 400 V 5 V 50 MHz 3 1 -
RS 库存编号 168-6165
制造商零件编号TIP2955
RMB14.659
毎管:30 个
单位
PNP -15 A -60 V TO-247 通孔 90 W 20 100 V - 3 MHz 3 1 -
RS 库存编号 163-0786
制造商零件编号NJVNJD2873T4G
品牌onsemi
RMB2.278
个 (在毎卷:2500)
单位
NPN 2 A 50 V DPAK (TO-252) 贴片 15 W - 50 V 直流 5 V 0.1 MHz 3 1 -

双极型晶体管

双极型晶体管是什么?

双极型晶体管,也叫双极性晶体管、晶体三极管,是一种具有三个终端的电子器件,由三部分掺杂程度不同的半导体制成,晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。

双极型晶体管的应用

双极型晶体管能够放大信号,并且具有较好的功率控制、高速工作以及耐久能力,所以它常被用来构成放大器电路,或驱动扬声器、电动机等设备,并被广泛地应用于航空航天工程、医疗器械和机器人等应用产品中。

双极型晶体管的分类

  • NPN型晶体管:由两层N型掺杂区域和介于二者之间的一层P型掺杂半导体(基极)组成。输入到基极的微小电流将被放大,产生较大的集电极-发射极电流。当NPN型晶体管基极电压高于发射极电压,并且集电极电压高于基极电压,则晶体管处于正向放大状态。在这一状态中,晶体管集电极和发射极之间存在电流。被放大的电流,是发射极注入到基极区域的电子(在基极区域为少数载流子),在电场的推动下漂移到集电极的结果。由于电子迁移率比空穴迁移率更高,因此现在使用的大多数双极性晶体管为NPN型。
  • PNP型晶体管:由两层P型掺杂区域和介于二者之间的一层N型掺杂半导体组成。流经基极的微小电流可以在发射极端得到放大。也就是说,当PNP型晶体管的基极电压低于发射极时,集电极电压低于基极,晶体管处于正向放大区。

RS为您提供了不同品牌的双极型晶体管,如onsemiNexperiaDiodesZetexROHMInfineon等多款不同规格、型号的产品供您挑选,从而满足不同的应用场景需求。

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