双极型晶体管

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描述 价格 晶体管类型 最大直流集电极电流 最大集电极-发射极电压 封装类型 安装类型 最大功率耗散 最小直流电流增益 晶体管配置 最大集电极-基极电压 最大发射极-基极电压 最大工作频率 引脚数目 每片芯片元件数目 接口
RS 库存编号 122-0883
制造商零件编号BC857A-7-F
品牌DiodesZetex
RMB0.212
个 (在毎卷:3000)
单位
PNP -100 mA -45 V SOT-23 贴片 300 mW 125 -50 V -5 V 200 MHz 3 1 -
RS 库存编号 545-2282
制造商零件编号BD135G
品牌onsemi
RMB5.41
单位
NPN 1.5 A 45 V TO-225 通孔 1.25 W 40 45 V 5 V - 3 1 -
RS 库存编号 121-9941
制造商零件编号FZT749TA
品牌DiodesZetex
RMB1.738
个 (在毎卷:1000)
单位
PNP -3 A -25 V SOT-223 (SC-73) 贴片 2 W 100 35 V 5 V 160 MHz 3 + Tab 1 -
RS 库存编号 165-8893
制造商零件编号PMP5201Y,115
品牌Nexperia
RMB1.31
个 (在毎卷:3000)
单位
NPN/PNP 100 mA 45 V SOT-363 (SC-88) 贴片 300 mW 200 隔离式 -50 V -5 V 100 MHz 6 2 -
RS 库存编号 179-1076
制造商零件编号PMBTA56,215
品牌Nexperia
RMB0.187
个 (在毎卷:3000)
单位
PNP -500 mA -80 V SOT-23 (TO-236AB) 贴片 250 mW 100 80 V 5 V - 3 1 -
RS 库存编号 545-0444
制造商零件编号MMBTA56LT1G
品牌onsemi
RMB0.637
/个 (每包:50个)
单位
PNP -500 mA -80 V SOT-23 贴片 300 mW 100 80 V 4 V 50 MHz 3 1 -
RS 库存编号 792-4997
制造商零件编号2SA2039-TL-E
品牌onsemi
RMB4.241
/个 (每包:20个)
单位
PNP -5 A -50 V TP-FA 贴片 15 W 200 -50 V -6 V 360 MHz 3 1 -
RS 库存编号 166-0091
制造商零件编号BCM62B,215
品牌Nexperia
RMB0.914
个 (在毎卷:3000)
单位
PNP -100 mA -45 V SOT-143B 贴片 220 mW - -50 V -5 V 175 MHz 4 1 -
RS 库存编号 484-5065
制造商零件编号BC847C,215
品牌Nexperia
RMB0.533
/个 (每包:50个)
单位
NPN 100 mA 45 V SOT-23 (TO-236AB) 表面贴装 250 mW 420 50 V 6 V 100 MHz 3 1 -
RS 库存编号 169-8604
制造商零件编号BC33716TA
品牌onsemi
RMB0.383
Each (On a Tape of 2000)
单位
NPN 800mA 50 V TO-92 通孔 625 mW - 10 V 5 V 50 MHz 3 1 -
RS 库存编号 166-2728
制造商零件编号2N4401BU
品牌onsemi
RMB0.421
个 (以毎袋:10000)
单位
NPN 600 mA 40 V TO-92 通孔 625 mW - 60 V 6 V 250 MHz 3 1 -
RS 库存编号 166-0523
制造商零件编号PBSS5230T,215
品牌Nexperia
RMB0.743
个 (在毎卷:3000)
单位
PNP -2 A -30 V SOT-23 (TO-236AB) 贴片 480 mW 300 30 V 5 V 200 MHz 3 1 -
RS 库存编号 806-4627
制造商零件编号KSP92TA
品牌onsemi
RMB0.663
/个 (每包:100个)
单位
PNP -500 mA -300 V TO-92 通孔 625 mW 40 -300 V -5 V 100 MHz 3 1 -
RS 库存编号 166-0255
制造商零件编号PBSS5540X,135
品牌Nexperia
RMB1.555
个 (在毎卷:4000)
单位
PNP -4 A -40 V UPAK 贴片 2.5 W 250 40 V 6 V 60 MHz 4 1 -
RS 库存编号 806-4557
制造商零件编号KSD471ACYTA
品牌onsemi
RMB1.122
/个 (每包:100个)
单位
NPN 1 A 30 V TO-92 通孔 800 mW 120 40 V 5 V 1 MHz 3 1 -
RS 库存编号 124-9940
制造商零件编号2N5684G
品牌onsemi
RMB82.012
Each (In a Tray of 100)
单位
PNP -50 A -80 V TO-204 通孔 300 mW 15 -80 V -5 V - 2 1 -
RS 库存编号 145-4104
制造商零件编号BC807-40LT3G
品牌onsemi
RMB0.257
个 (在毎卷:10000)
单位
PNP -500 mA -45 V SOT-23 贴片 300 mW 250 50 V 5 V 100 MHz 3 1 -
RS 库存编号 124-1362
制造商零件编号BC640TA
品牌onsemi
RMB0.792
个 (在毎卷:2000)
单位
PNP -1 A -100 V TO-92 通孔 1 W - 100 V -5 V 100 MHz 3 1 -
RS 库存编号 518-2949
制造商零件编号PDTC124ET,215
品牌Nexperia
RMB0.565
/个 (每包:50个)
单位
NPN 100 mA 50 V SOT-23 (TO-236AB) 贴片 - - - 10 V - 3 1 -
RS 库存编号 168-5846
制造商零件编号BUL216
RMB11.177
毎管:50 个
单位
NPN 4 A 800 V TO-220 通孔 9 W 12 1600 V 9 V - 3 1 -

双极型晶体管

双极型晶体管是什么?

双极型晶体管,也叫双极性晶体管、晶体三极管,是一种具有三个终端的电子器件,由三部分掺杂程度不同的半导体制成,晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。

双极型晶体管的应用

双极型晶体管能够放大信号,并且具有较好的功率控制、高速工作以及耐久能力,所以它常被用来构成放大器电路,或驱动扬声器、电动机等设备,并被广泛地应用于航空航天工程、医疗器械和机器人等应用产品中。

双极型晶体管的分类

  • NPN型晶体管:由两层N型掺杂区域和介于二者之间的一层P型掺杂半导体(基极)组成。输入到基极的微小电流将被放大,产生较大的集电极-发射极电流。当NPN型晶体管基极电压高于发射极电压,并且集电极电压高于基极电压,则晶体管处于正向放大状态。在这一状态中,晶体管集电极和发射极之间存在电流。被放大的电流,是发射极注入到基极区域的电子(在基极区域为少数载流子),在电场的推动下漂移到集电极的结果。由于电子迁移率比空穴迁移率更高,因此现在使用的大多数双极性晶体管为NPN型。
  • PNP型晶体管:由两层P型掺杂区域和介于二者之间的一层N型掺杂半导体组成。流经基极的微小电流可以在发射极端得到放大。也就是说,当PNP型晶体管的基极电压低于发射极时,集电极电压低于基极,晶体管处于正向放大区。

RS为您提供了不同品牌的双极型晶体管,如onsemiNexperiaDiodesZetexROHMInfineon等多款不同规格、型号的产品供您挑选,从而满足不同的应用场景需求。

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