双极型晶体管

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描述 价格 晶体管类型 最大直流集电极电流 最大集电极-发射极电压 封装类型 安装类型 最大功率耗散 最小直流电流增益 晶体管配置 最大集电极-基极电压 最大发射极-基极电压 最大工作频率 引脚数目 每片芯片元件数目 接口
RS 库存编号 803-1128
制造商零件编号BC556ABU
品牌onsemi
RMB0.476
/个 (每包:200个)
单位
PNP -100 mA -65 V TO-92 通孔 500 mW - -80 V -5 V 10 MHz 3 1 -
RS 库存编号 145-4110
制造商零件编号CPH3116-TL-E
品牌onsemi
RMB1.12
个 (在毎卷:3000)
单位
PNP -1 A -50 V CPH 贴片 900 mW 200 -50 V -5 V 1 MHz 3 1 -
RS 库存编号 711-4875
制造商零件编号MMBT2907A-7-F
品牌DiodesZetex
RMB0.279
/个 (每包:100个)
单位
PNP -600 mA -60 V SOT-23 贴片 300 mW 100 -60 V -5 V - 3 1 -
RS 库存编号 145-3577
制造商零件编号MUN5235DW1T1G
品牌onsemi
RMB0.234
个 (在毎卷:3000)
单位
NPN 100 mA 50 V SOT-363 (SC-88) 贴片 256 mW - 隔离式 - - - 6 2 -
RS 库存编号 738-7587
制造商零件编号2N2907ADCSM
品牌Semelab
RMB588.40
单位
PNP -600 mA -60 V LCC 2 贴片 350 mW - 隔离式 -60 V -5 V - 6 2 -
RS 库存编号 781-4370
制造商零件编号MMUN2215LT1G
品牌onsemi
RMB0.253
/个 (每包:200个)
单位
NPN 100 mA 50 V SOT-23 贴片 400 mW - - - - 3 1 -
RS 库存编号 806-2545
制造商零件编号MBT2222ADW1T1G
品牌onsemi
RMB0.409
/个 (每包:200个)
单位
NPN 600 mA 40 V SOT-363 (SC-88) 贴片 150 mW - 隔离式 75 V 6 V 100 MHz 6 2 -
RS 库存编号 725-8625
制造商零件编号PMBS3904,215
品牌Nexperia
RMB0.237
/个 (每包:100个)
单位
NPN 100 mA 40 V SOT-23 (TO-236AB) 贴片 250 mW 100 60 V 6 V - 3 1 -
RS 库存编号 179-1032
制造商零件编号PDTC143XT,215
品牌Nexperia
RMB0.157
个 (在毎卷:3000)
单位
NPN 100 mA 50 V SOT-23 (TO-236AB) 贴片 - - - 7 V - 3 1 -
RS 库存编号 711-4856
制造商零件编号BC856A-7-F
品牌DiodesZetex
RMB0.383
/个 (每包:100个)
单位
PNP -100 mA -65 V SOT-23 表面贴装 300 mW 125 -80 V -5 V 200 MHz 3 1 -
RS 库存编号 816-7744
制造商零件编号BC860CW
品牌Nexperia
RMB0.261
/个 (每包:200个)
单位
PNP -100 mA -45 V SOT-323 (SC-70) 贴片 200 mW 420 -50 V -5 V 100 MHz 3 1 -
RS 库存编号 801-0086
制造商零件编号DTC114YM3T5G
品牌onsemi
RMB0.479
Each (On a Tape of 100)
单位
NPN 100 mA 50 V SOT-723 贴片 297 mW - - 6 V - 3 1 -
RS 库存编号 518-1980
制造商零件编号PBSS5350X,115
品牌Nexperia
RMB2.122
/个 (每包:10个)
单位
PNP -3 A -50 V UPAK 贴片 1.6 W 200 50 V 5 V 100 MHz 4 1 -
RS 库存编号 781-4376
制造商零件编号MMUN2133LT1G
品牌onsemi
RMB0.24
/个 (每包:200个)
单位
PNP -100 mA -50 V SOT-23 贴片 400 mW - - - - 3 1 -
RS 库存编号 770-5226
制造商零件编号ZXTN4006ZTA
品牌DiodesZetex
RMB2.455
/个 (每包:10个)
单位
NPN 1 A 200 V SOT-89 贴片 1.5 W 60 200 V 7 V - 3 1 -
RS 库存编号 122-0250
制造商零件编号FZT657TA
品牌DiodesZetex
RMB2.877
个 (在毎卷:1000)
单位
NPN 500 mA 300 V SOT-223 (SC-73) 贴片 2 W 40 300 V 5 V 30 MHz 3 + Tab 1 -
RS 库存编号 781-3945
制造商零件编号BC846ALT3G
品牌onsemi
RMB0.273
/个 (每包:200个)
单位
NPN 100 mA 65 V SOT-23 贴片 300 mW 110 80 V 直流 6 V 100 MHz 3 1 -
RS 库存编号 246-1895
制造商零件编号DTD113ZKT146
品牌ROHM
RMB1.986
/个 (每包:5个)
单位
NPN 500 mA 50 V SOT-346 (SC-59) 贴片 200 mW 56 - - - 3 1 -
RS 库存编号 122-2371
制造商零件编号MMBT2222AT-7-F
品牌DiodesZetex
RMB0.377
个 (在毎卷:3000)
单位
NPN 600 mA 40 V SOT-523 (SC-89) 贴片 150 mW 100 75 V 6 V 300 MHz 3 1 -
RS 库存编号 752-7947
制造商零件编号BC857BWH6327XTSA1
品牌Infineon
RMB0.363
/个 (每包:100个)
单位
PNP -100 mA -45 V SOT-323 (SC-70) 贴片 250 mW - 50 V 5 V 250 MHz 3 1 -

双极型晶体管

双极型晶体管是什么?

双极型晶体管,也叫双极性晶体管、晶体三极管,是一种具有三个终端的电子器件,由三部分掺杂程度不同的半导体制成,晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。

双极型晶体管的应用

双极型晶体管能够放大信号,并且具有较好的功率控制、高速工作以及耐久能力,所以它常被用来构成放大器电路,或驱动扬声器、电动机等设备,并被广泛地应用于航空航天工程、医疗器械和机器人等应用产品中。

双极型晶体管的分类

  • NPN型晶体管:由两层N型掺杂区域和介于二者之间的一层P型掺杂半导体(基极)组成。输入到基极的微小电流将被放大,产生较大的集电极-发射极电流。当NPN型晶体管基极电压高于发射极电压,并且集电极电压高于基极电压,则晶体管处于正向放大状态。在这一状态中,晶体管集电极和发射极之间存在电流。被放大的电流,是发射极注入到基极区域的电子(在基极区域为少数载流子),在电场的推动下漂移到集电极的结果。由于电子迁移率比空穴迁移率更高,因此现在使用的大多数双极性晶体管为NPN型。
  • PNP型晶体管:由两层P型掺杂区域和介于二者之间的一层N型掺杂半导体组成。流经基极的微小电流可以在发射极端得到放大。也就是说,当PNP型晶体管的基极电压低于发射极时,集电极电压低于基极,晶体管处于正向放大区。

RS为您提供了不同品牌的双极型晶体管,如onsemiNexperiaDiodesZetexROHMInfineon等多款不同规格、型号的产品供您挑选,从而满足不同的应用场景需求。

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