双极型晶体管

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描述 价格 晶体管类型 最大直流集电极电流 最大集电极-发射极电压 封装类型 安装类型 最大功率耗散 最小直流电流增益 晶体管配置 最大集电极-基极电压 最大发射极-基极电压 最大工作频率 引脚数目 每片芯片元件数目 接口
RS 库存编号 711-4976
制造商零件编号MMDT5551-7-F
品牌DiodesZetex
RMB1.508
/个 (每包:25个)
单位
NPN 200 mA 160 V SOT-363 (SC-88) 贴片 200 mW 80 隔离式 180 V 6 V 300 MHz 6 2 -
RS 库存编号 781-4250
制造商零件编号MMBT5551LT3G
品牌onsemi
RMB0.339
/个 (每包:100个)
单位
NPN 600 mA 160 V SOT-23 贴片 225 mW 80 180V 直流 6 V - 3 1 -
RS 库存编号 545-2298
制造商零件编号BD137G
品牌onsemi
RMB4.87
单位
NPN 1.5 A 60 V TO-225 通孔 1.25 W 40 60 V 5 V - 3 1 -
RS 库存编号 124-1314
制造商零件编号2N3906BU
品牌onsemi
RMB0.493
个 (以毎袋:1000)
单位
PNP -200 mA -40 V TO-92 通孔 625 mW - -40 V -5 V - 3 1 -
RS 库存编号 805-1065
制造商零件编号2N3906TFR
品牌onsemi
RMB0.611
/个 (每包:200个)
单位
PNP -200 mA -40 V TO-92 通孔 625 mW 100 -40 V -5 V 250 MHz 3 1 -
RS 库存编号 178-7579
制造商零件编号MMBT5551LT1G
品牌onsemi
RMB0.175
个 (在毎卷:3000)
单位
NPN 600 mA 140 V SOT-23 贴片 300 mW 80 180 V 6 V - 3 1 -
RS 库存编号 739-0375
制造商零件编号2N3906BU
品牌onsemi
RMB1.743
/个 (每包:10个)
单位
PNP -200 mA -40 V TO-92 通孔 625 mW - -40 V -5 V - 3 1 -
RS 库存编号 178-4694
制造商零件编号MMBT5551LT3G
品牌onsemi
RMB0.134
个 (在毎卷:10000)
单位
NPN 600 mA 160 V SOT-23 贴片 225 mW 80 180V 直流 6 V - 3 1 -
RS 库存编号 545-0400
制造商零件编号MMBT5551LT1G
品牌onsemi
RMB1.16
/个 (每包:10个)
单位
NPN 600 mA 160 V SOT-23 贴片 300 mW 80 180 V 6 V - 3 1 -
RS 库存编号 124-9960
制造商零件编号BD243CG
品牌onsemi
RMB6.402
毎管:50 个
单位
NPN 6 A 100 V TO-220 通孔 65 W 20 100 V 直流 5 V 1 MHz 3 1 -
RS 库存编号 170-4169
制造商零件编号BC550C A1
RMB0.378
Each (On a Tape of 4000)
单位
NPN 100 mA 45 V TO-92 通孔 500 mW 420 50 V 6 V - 3 1 -
RS 库存编号 796-9739
制造商零件编号BC550C A1
RMB0.955
/个 (每包:250个)
单位
NPN 100 mA 45 V TO-92 通孔 500 mW 420 50 V 6 V - 3 1 -
RS 库存编号 790-5292
制造商零件编号BD243CG
品牌onsemi
RMB8.61
/个 (每包:5个)
单位
NPN 6 A 100 V TO-220 通孔 65 W 20 100 V 直流 5 V 1 MHz 3 1 -
RS 库存编号 774-3234
制造商零件编号2N5885G
品牌onsemi
RMB59.20
单位
NPN 25 A 60 V TO-204AA 通孔 200 W - 60 V 5 V 1 MHz 2 1 -
RS 库存编号 178-7137
制造商零件编号BC849C,215
品牌Nexperia
RMB0.171
个 (在毎卷:3000)
单位
NPN 100 mA 30 V SOT-23 (TO-236AB) 贴片 250 mW 420 30 V 5 V 100 MHz 3 1 -
RS 库存编号 806-4513
制造商零件编号KSC5502DTM
品牌onsemi
RMB5.019
/个 (每包:10个)
单位
NPN 2 A 600 V DPAK (TO-252) 贴片 50 W 12 1200 V 12 V 1 MHz 3 1 -
RS 库存编号 145-3093
制造商零件编号MJE4343G
品牌onsemi
RMB24.008
毎管:30 个
单位
NPN 16 A 160 V SOT-93 通孔 125 W 15 160 V 7 V 1 MHz 3 1 -
RS 库存编号 166-2043
制造商零件编号KSC5502DTM
品牌onsemi
RMB2.639
个 (在毎卷:2500)
单位
NPN 2 A 600 V DPAK (TO-252) 贴片 50 W 12 1200 V 12 V 1 MHz 3 1 -
RS 库存编号 124-9941
制造商零件编号2N5686G
品牌onsemi
RMB97.308
Each (In a Tray of 100)
单位
NPN 50 A 80 V TO-204 通孔 300 mW 15 80 V 5 V - 2 1 -
RS 库存编号 486-4561
制造商零件编号MJE2955T
RMB7.91
/个 (每包:5个)
单位
PNP -10 A -60 V TO-220 通孔 75 W 20 70 V 5 V 2 MHz 3 1 -

双极型晶体管

双极型晶体管是什么?

双极型晶体管,也叫双极性晶体管、晶体三极管,是一种具有三个终端的电子器件,由三部分掺杂程度不同的半导体制成,晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。

双极型晶体管的应用

双极型晶体管能够放大信号,并且具有较好的功率控制、高速工作以及耐久能力,所以它常被用来构成放大器电路,或驱动扬声器、电动机等设备,并被广泛地应用于航空航天工程、医疗器械和机器人等应用产品中。

双极型晶体管的分类

  • NPN型晶体管:由两层N型掺杂区域和介于二者之间的一层P型掺杂半导体(基极)组成。输入到基极的微小电流将被放大,产生较大的集电极-发射极电流。当NPN型晶体管基极电压高于发射极电压,并且集电极电压高于基极电压,则晶体管处于正向放大状态。在这一状态中,晶体管集电极和发射极之间存在电流。被放大的电流,是发射极注入到基极区域的电子(在基极区域为少数载流子),在电场的推动下漂移到集电极的结果。由于电子迁移率比空穴迁移率更高,因此现在使用的大多数双极性晶体管为NPN型。
  • PNP型晶体管:由两层P型掺杂区域和介于二者之间的一层N型掺杂半导体组成。流经基极的微小电流可以在发射极端得到放大。也就是说,当PNP型晶体管的基极电压低于发射极时,集电极电压低于基极,晶体管处于正向放大区。

RS为您提供了不同品牌的双极型晶体管,如onsemiNexperiaDiodesZetexROHMInfineon等多款不同规格、型号的产品供您挑选,从而满足不同的应用场景需求。

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