双极型晶体管

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描述 价格 晶体管类型 最大直流集电极电流 最大集电极-发射极电压 封装类型 安装类型 最大功率耗散 最小直流电流增益 晶体管配置 最大集电极-基极电压 最大发射极-基极电压 最大工作频率 引脚数目 每片芯片元件数目 接口
RS 库存编号 124-1317
制造商零件编号2N3904TA
品牌onsemi
RMB0.308
个 (在毎卷:2000)
单位
NPN 200 mA 40 V TO-92 通孔 625 mW - 60 V 6 V 300 MHz 3 1 -
RS 库存编号 842-8015
制造商零件编号2N3904BU
品牌onsemi
RMB0.44
个 (以毎袋:1000)
单位
NPN 200 mA 40 V TO-92 通孔 625 mW - 60 V 6 V 100 MHz 3 1 -
RS 库存编号 805-1056
制造商零件编号2N3904TFR
品牌onsemi
RMB0.576
/个 (每包:200个)
单位
NPN 200 mA 40 V TO-92 通孔 625 mW 100 60 V 6 V 300 MHz 3 1 -
RS 库存编号 805-1043
制造商零件编号2N3904TAR
品牌onsemi
RMB0.624
/个 (每包:200个)
单位
NPN 200 mA 40 V TO-92 通孔 625 mW - 60 V 6 V 300 MHz 3 1 -
RS 库存编号 843-1575
制造商零件编号2N3904BU
品牌onsemi
RMB1.785
/个 (每包:50个)
单位
NPN 200 mA 40 V TO-92 通孔 625 mW - 60 V 6 V 100 MHz 3 1 -
RS 库存编号 463-105
制造商零件编号MJL3281AG
品牌onsemi
RMB29.24
/个 (每包:2个)
单位
NPN 15 A 200 V TO-3BPL 通孔 200 W - 230 V 7 V 30 MHz 3 1 -
RS 库存编号 296-273
制造商零件编号MJ15004G
品牌onsemi
RMB46.82
单位
PNP -20 A -140 V TO-204AA 通孔 250 W - 140 V 5 V 2 MHz 2 1 -
RS 库存编号 125-0069
制造商零件编号MJ802G
品牌onsemi
RMB38.367
Each (In a Tray of 100)
单位
NPN 30 A 90 V TO-204AA 通孔 200 W 25 100 V 4 V - 2 1 -
RS 库存编号 545-2254
制造商零件编号BC550CG
品牌onsemi
RMB1.21
单位
NPN 100 mA 45 V TO-92 通孔 625 mW - 50 V 5 V 250 MHz 3 1 -
RS 库存编号 122-0070
制造商零件编号MJ15004G
品牌onsemi
RMB35.91
Each (In a Tray of 100)
单位
PNP -20 A -140 V TO-204AA 通孔 250 W - 140 V 5 V 2 MHz 2 1 -
RS 库存编号 862-4972
制造商零件编号MJ802G
品牌onsemi
RMB47.72
/个 (每包:2个)
单位
NPN 30 A 90 V TO-204AA 通孔 200 W 25 100 V 4 V - 2 1 -
RS 库存编号 100-7571
制造商零件编号MJL3281AG
品牌onsemi
RMB22.982
毎管:25 个
单位
NPN 15 A 200 V TO-3BPL 通孔 200 W - 230 V 7 V 30 MHz 3 1 -
RS 库存编号 800-9995
制造商零件编号CPH5524-TL-E
品牌onsemi
RMB3.506
/个 (每包:25个)
单位
NPN/PNP 3 A 50 V CPH 表面贴装 1.2 W 200 共发射极 100 V -6 V, 6 V 390 MHz 5 2 -
RS 库存编号 601-1084
制造商零件编号2SA1015-Y(TPE2,F)
品牌Toshiba
RMB2,820.00
毎卷:3000 个
Reel(s)
PNP 150 mA 50 V TO-92 通孔 400 mW - - 50 V 5 V 80 MHz 3 1 -
RS 库存编号 601-1539
制造商零件编号2SC2458-Y(F)
品牌Toshiba
RMB1.04
/个 (每包:10个)
单位
NPN 150 mA 50 V E-Line 贴片 200 mW - - 50 V 5 V 80 MHz 3 1 -
RS 库存编号 163-2109
制造商零件编号CPH5524-TL-E
品牌onsemi
RMB1.585
个 (在毎卷:3000)
单位
NPN/PNP 3 A 50 V CPH 表面贴装 1.2 W 200 共发射极 100 V -6 V, 6 V 390 MHz 5 2 -
RS 库存编号 544-9393
制造商零件编号BC846BLT1G
品牌onsemi
RMB0.581
/个 (每包:20个)
单位
NPN 100 mA 65 V SOT-23 表面贴装 300 mW 200 80 V 6 V 100 MHz 3 1 -
RS 库存编号 773-7611
制造商零件编号BC846BLT3G
品牌onsemi
RMB0.63
/个 (每包:50个)
单位
NPN 100 mA 65 V SOT-23 表面贴装 300 mW 200 80 V 6 V 100 MHz 3 1 -
RS 库存编号 170-3459
制造商零件编号BC846BLT3G
品牌onsemi
RMB0.109
个 (在毎卷:10000)
单位
NPN 100 mA 65 V SOT-23 表面贴装 300 mW 200 80 V 6 V 100 MHz 3 1 -
RS 库存编号 103-2931
制造商零件编号BC846BLT1G
品牌onsemi
RMB0.144
个 (在毎卷:3000)
单位
NPN 100 mA 65 V SOT-23 表面贴装 300 mW 200 80 V 6 V 100 MHz 3 1 -

双极型晶体管

双极型晶体管是什么?

双极型晶体管,也叫双极性晶体管、晶体三极管,是一种具有三个终端的电子器件,由三部分掺杂程度不同的半导体制成,晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。

双极型晶体管的应用

双极型晶体管能够放大信号,并且具有较好的功率控制、高速工作以及耐久能力,所以它常被用来构成放大器电路,或驱动扬声器、电动机等设备,并被广泛地应用于航空航天工程、医疗器械和机器人等应用产品中。

双极型晶体管的分类

  • NPN型晶体管:由两层N型掺杂区域和介于二者之间的一层P型掺杂半导体(基极)组成。输入到基极的微小电流将被放大,产生较大的集电极-发射极电流。当NPN型晶体管基极电压高于发射极电压,并且集电极电压高于基极电压,则晶体管处于正向放大状态。在这一状态中,晶体管集电极和发射极之间存在电流。被放大的电流,是发射极注入到基极区域的电子(在基极区域为少数载流子),在电场的推动下漂移到集电极的结果。由于电子迁移率比空穴迁移率更高,因此现在使用的大多数双极性晶体管为NPN型。
  • PNP型晶体管:由两层P型掺杂区域和介于二者之间的一层N型掺杂半导体组成。流经基极的微小电流可以在发射极端得到放大。也就是说,当PNP型晶体管的基极电压低于发射极时,集电极电压低于基极,晶体管处于正向放大区。

RS为您提供了不同品牌的双极型晶体管,如onsemiNexperiaDiodesZetexROHMInfineon等多款不同规格、型号的产品供您挑选,从而满足不同的应用场景需求。

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