达林顿管

筛选条件

显示 1 - 20 个产品,共 508 个
每页显示搜索结果
描述 价格 晶体管类型 最大连续集电极电流 最大集电极-发射极电压 最大发射极-基极电压 封装类型 安装类型 引脚数目 晶体管配置 配置 每片芯片元件数目 最小直流电流增益 最大基极-发射极饱和电压 最大集电极-基极电压 最大集电极-发射极饱和电压
RS 库存编号 646-6311
制造商零件编号ULN2803ADW
RMB9.756
/个 (每包:5个)
单位
NPN 500 mA 50 V 50 V SOIC 表面贴装 18 共发射极 - 8 - - - 1.6 V
RS 库存编号 866-0196
制造商零件编号ULN2803ADW
品牌德州仪器
RMB7.799
毎管:40 个
单位
NPN 500 mA 50 V - SOIC 表面贴装 18 共发射极 - 8 - - - 1.6 V
RS 库存编号 922-2987
制造商零件编号ULN2003ADR
品牌德州仪器
RMB1.408
个 (在毎卷:2500)
单位
NPN 500 mA 50 V - SOIC 表面贴装 16 共发射极 - 7 - - - 1.6 V
RS 库存编号 665-8699
制造商零件编号ULN2003ADR
RMB3.037
/个 (每包:10个)
单位
NPN 500 mA 50 V - SOIC 表面贴装 16 共发射极 - 7 - - - 1.6 V
RS 库存编号 121-8478
制造商零件编号ULN2003AD
RMB3.541
毎管:40 个
单位
NPN 500 mA 50 V 50 V SOIC 表面贴装 16 共发射极 - 7 - - - 1.6 V
RS 库存编号 714-1167
制造商零件编号ULN2803A
RMB7.688
/个 (每包:5个)
单位
NPN 500 mA 50 V 50 V PDIP 通孔 18 共发射极 - 8 1000 - - 1.1 V
RS 库存编号 168-6833
制造商零件编号ULN2803A
RMB4.438
毎管:20 个
单位
NPN 500 mA 50 V 50 V PDIP 通孔 18 共发射极 - 8 1000 - - 1.1 V
RS 库存编号 102-4101
制造商零件编号BDX53B
RMB2.429
毎管:50 个
单位
NPN 8 A 80 V 5 V TO-220 通孔 3 - 1 750 2.5 V 80 V 2 V
RS 库存编号 486-0042
制造商零件编号BDX53B
RMB6.732
/个 (每包:5个)
单位
NPN 8 A 80 V 5 V TO-220 通孔 3 - 1 750 2.5 V 80 V 2 V
RS 库存编号 774-3209
制造商零件编号MJ11032G
RMB69.99
单位
NPN 50 A 120 V 5 V TO-204 通孔 2 - 1 400 4.5 V 120 V 3.5 V
RS 库存编号 125-0063
制造商零件编号MJ11032G
RMB78.502
Each (In a Tray of 100)
单位
NPN 50 A 120 V 5 V TO-204 通孔 2 - 1 400 4.5 V 120 V 3.5 V
RS 库存编号 774-3426
制造商零件编号2N6039G
RMB4.08
/个 (每包:5个)
单位
NPN 4 A 80 V 5 V TO-225AA 通孔 3 - 1 100 4 V 80 V 3 V
RS 库存编号 145-3891
制造商零件编号2N6039G
RMB2.19
个 (以毎盒:500)
单位
NPN 4 A 80 V 5 V TO-225AA 通孔 3 - 1 100 4 V 80 V 3 V
RS 库存编号 774-3202
制造商零件编号MJ11033G
RMB73.22
单位
PNP 50 A 120 V 5 V TO-204 通孔 2 - 1 400 4.5 V 120 V 3.5 V
RS 库存编号 122-0139
制造商零件编号MJ11033G
RMB82.30
Each (In a Tray of 100)
单位
PNP 50 A 120 V 5 V TO-204 通孔 2 - 1 400 4.5 V 120 V 3.5 V
RS 库存编号 809-5475
制造商零件编号ULN2003LVDR
RMB4.14
单位
NPN 140 mA 8 V - SOIC 表面贴装 16 共发射极 - 7 - - - 0.49 V
RS 库存编号 162-6795
制造商零件编号ULN2003LVDR
品牌德州仪器
RMB1.602
个 (在毎卷:2500)
单位
NPN 140 mA 8 V - SOIC 表面贴装 16 共发射极 - 7 - - - 0.49 V
RS 库存编号 168-6450
制造商零件编号ULN2003A
RMB1.70
毎管:25 个
单位
NPN 500 mA 50 V - PDIP 通孔 16 共发射极 - 7 1000 - - 1.6 V
RS 库存编号 688-1502
制造商零件编号MJ11015G
RMB29.015
/个 (每包:2个)
单位
PNP 30 A 120 V 5 V TO-204 通孔 3 - 1 200 5 V 120 V 4 V
RS 库存编号 686-8209
制造商零件编号ULN2003A
RMB3.214
/个 (每包:20个)
单位
NPN 500 mA 50 V - PDIP 通孔 16 共发射极 - 7 1000 - - 1.6 V

达林顿管

什么是达林顿晶体管?

达林顿晶体管也称作达林顿晶体管对,是两个标准 BJT 晶体管(双极接线晶体管)封装在一起。其中一个晶体管是高增益晶体管,另一个晶体管是高电流晶体管。它们用于放大一个电路向另一电路或微处理器传输的微弱信号。这意味着来自传感器或微控制器输入/输出引脚的微小电流可以被放大以驱动大负载。达林顿晶体管对也可作为开/关按钮使用。

达林顿晶体管对作为单个晶体管工作,但具有更高的电流增益。与单个晶体管相比,它们还可提供较高的输入阻抗。

它们是如何工作的?

发射器的一个晶体管连接至另一个晶体管的基座,可有效形成一个晶体管。

为何要使用达林顿晶体管对?

达林顿晶体管对提供非常高的电流增益。作为封装在一起的两个晶体管,达林顿晶体管对小巧紧凑,在电路板上占用的空间极小。

它们用于哪些应用?

达林顿晶体管具有较高的电流增益,非常适合驱动电机和继电器等电源应用。达林顿晶体管对特别适用于显示驱动器、音频输出、电源调节器、光传感器、触摸传感器和电源输出。不建议在需要高频的应用中使用它们,因为无法立即关闭基电流。

类型多样

达林顿晶体管对可包含 NPN(负-正-负)晶体管、PNP(正-负-正)晶体管,或同时包含这两类晶体管。

达林顿晶体管对通常以这两种方式随附。您可以在单个集成电路 (IC) 封装中将其作为阵列(称为达林顿阵列)购买,或者作为简单的单个分立元件购买。

标准封装类型示例包括 SOT-23、SOIC、TO-220 和 TO-252 (DPAK)。