高电子迁移率晶体管 (HEMT)

筛选条件

显示 1 - 1 个产品,共 1 个
每页显示搜索结果
描述 价格 安装类型 宽度 封装类型 尺寸 引脚数目 最大功率耗散 最大栅源电压 最大漏源电压 最大漏门电压 最大连续漏极电流 最高工作温度 配置 长度 高度
RS 库存编号 839-9941
制造商零件编号ATF-34143-BLKG
品牌Broadcom
RMB27.56
/个 (每包:2个)
单位
表面贴装 1.35mm SOT-343 2.25 x 1.35 x 1mm 4 725 mW -5 V 5.5 V -5V 145 mA +160 °C 双源 2.25mm 1mm

高电子迁移率晶体管 (HEMT)

高电子迁移率晶体管 (HEMT) 是一种 FET(场效应晶体管),即利用电场控制设备电气性能的晶体管,可在微波频率下带来非常高水平的性能。




高电子迁移率晶体管的工作原理是什么?


高电子迁移率晶体管包含一个专用 PN(正-负)接线,接线两侧采用不同材料。这些材料可带来高水平的基本电子移动性,这正是设备运行所必需的。它们具有组合功能,可在非常高的频率水平下运行,同时噪声指数较低。




高电子迁移率晶体管有哪些应用?


高电子迁移率晶体管广泛用于微波无线电通信链路,以及移动电信和多种其他 RF(射频)设计应用。如同其他 FET 一样,它们可将低电压控制信号放大为大功率电流。它们还在 IC(集成电路)中用作数字转换开关。




高电子迁移率晶体管还可见于高频率产品中,例如:

  • 卫星电视接收器

  • 雷达设备

  • 功率放大器

  • 电压转换器

  • 移动电话