IGBT
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筛选条件
| 描述 | 价格 | 最大连续集电极电流 | 最大集电极-发射极电压 | 最大栅极发射极电压 | 晶体管数 | 最大功率耗散 | 封装类型 | 配置 | 安装类型 | 通道类型 | 引脚数目 | 开关速度 | 晶体管配置 | 尺寸 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RS 库存编号
917-3378
制造商零件编号STGIB10CH60TS-L
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RMB107.26
个
单位
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15 A | 600 V | - | - | 66 W | SDIP2B | 阵列 | 通孔 | N | 26 | - | 3 相 | 38 x 24 x 3.5mm |
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RS 库存编号
168-8978
制造商零件编号STGIB10CH60TS-L
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RMB104.188
毎管：13 个
单位
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15 A | 600 V | - | - | 66 W | SDIP2B | 阵列 | 通孔 | N | 26 | - | 3 相 | 38 x 24 x 3.5mm |
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RS 库存编号
917-3380
制造商零件编号STGIB15CH60TS-L
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RMB123.23
个
单位
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20 A | 600 V | - | - | 81 W | SDIP2B | 阵列 | 通孔 | N | 26 | - | 3 相 | 38 x 24 x 3.5mm |
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RS 库存编号
170-8678
制造商零件编号STGIB15CH60TS-L
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RMB124.291
毎管：13 个
单位
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20 A | 600 V | - | - | 81 W | SDIP2B | 阵列 | 通孔 | N | 26 | - | 3 相 | 38 x 24 x 3.5mm |
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RS 库存编号
829-7120
制造商零件编号STGF15H60DF
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RMB9.986
/个 (每包:5个)
单位
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30 A | 600 V | ±20V | - | 30 W | TO-220FP | - | 通孔 | N | 3 | 1MHz | 单 | 10.4 x 4.6 x 16.4mm |
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RS 库存编号
168-8738
制造商零件编号STGF15H60DF
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RMB9.166
毎管：50 个
单位
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30 A | 600 V | ±20V | - | 30 W | TO-220FP | - | 通孔 | N | 3 | 1MHz | 单 | 10.4 x 4.6 x 16.4mm |
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RS 库存编号
792-5827
制造商零件编号STGW80V60DF
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RMB49.38
个
单位
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120 A | 600 V | ±20V | - | 469 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 15.75 x 5.15 x 20.15mm |
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RS 库存编号
920-6320
制造商零件编号STGW80V60DF
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RMB42.408
毎管：30 个
单位
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120 A | 600 V | ±20V | - | 469 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 15.75 x 5.15 x 20.15mm |
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RS 库存编号
686-8366
制造商零件编号STGP7NC60HD
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RMB10.465
/个 (每包:2个)
单位
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25 A | 600 V | ±20V | - | - | TO-220 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 10.4 x 4.6 x 9.15mm |
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RS 库存编号
178-1479
制造商零件编号STGP7NC60HD
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RMB10.067
毎管：50 个
单位
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25 A | 600 V | ±20V | - | - | TO-220 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 10.4 x 4.6 x 9.15mm |
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RS 库存编号
168-6464
制造商零件编号STGW20NC60VD
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RMB16.752
毎管：30 个
单位
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60 A | 600 V | ±20V | - | - | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 15.75 x 5.15 x 20.15mm |
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RS 库存编号
906-2798
制造商零件编号STGD5H60DF
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RMB5.954
/个 (每包:10个)
单位
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10 A | 600 V | ±20V | - | 83 W | DPAK (TO-252) | - | 贴片 | N | 3 | - | 单 | 6.6 x 6.2 x 2.4mm |
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RS 库存编号
165-8040
制造商零件编号STGD5H60DF
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RMB4.35
个 (在毎卷：2500)
单位
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10 A | 600 V | ±20V | - | 83 W | DPAK (TO-252) | - | 贴片 | N | 3 | - | 单 | 6.6 x 6.2 x 2.4mm |
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RS 库存编号
686-8388
制造商零件编号STGP6NC60HD
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RMB9.576
/个 (每包:5个)
单位
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15 A | 600 V | ±20V | - | - | TO-220 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 10.4 x 4.6 x 9.15mm |
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RS 库存编号
686-8354
制造商零件编号STGW20NC60VD
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RMB19.94
个
单位
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60 A | 600 V | ±20V | - | - | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 15.75 x 5.15 x 20.15mm |
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RS 库存编号
168-6470
制造商零件编号STGP6NC60HD
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RMB5.857
毎管：50 个
单位
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15 A | 600 V | ±20V | - | - | TO-220 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 10.4 x 4.6 x 9.15mm |
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RS 库存编号
170-8679
制造商零件编号STGIF10CH60TS-L
|
RMB91.938
毎管：13 个
单位
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15 A | 600 V | - | - | 33 W | SDIP2F | 阵列 | 通孔 | N | 26 | - | 3 相 | 38 x 24 x 3.5mm |
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|
RS 库存编号
917-3384
制造商零件编号STGIF10CH60TS-L
|
RMB96.58
个
单位
|
15 A | 600 V | - | - | 33 W | SDIP2F | 阵列 | 通孔 | N | 26 | - | 3 相 | 38 x 24 x 3.5mm |
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RS 库存编号
168-6466
制造商零件编号STGF7NB60SL
|
RMB10.892
毎管：50 个
单位
|
15 A | 600 V | ±20V | - | - | TO-220FP | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 10.4 x 4.6 x 9.3mm |
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RS 库存编号
791-7643
制造商零件编号STGW60V60DF
|
RMB30.184
/个 (每包:5个)
单位
|
60 A | 600 V | ±20V | - | 375 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | 1MHz | 单 | 15.75 x 5.15 x 20.15mm |
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IGBT
IGBT是什么？
IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT与MOSFET的对比
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。
- 优点：热稳定性好、安全工作区大。
- 缺点：击穿电压低，工作电流小。
IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。它的三个极分别是集电极（C）、发射极（E）和栅极（G）。
- 特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。
IGBT的典型应用
- 电动机
- 不间断电源
- 太阳能面板安装
- 电焊机
- 电源转换器与反相器
- 电感充电器
- 电磁炉
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