描述 | 价格 | 最大连续集电极电流 | 最大集电极-发射极电压 | 最大栅极发射极电压 | 晶体管数 | 最大功率耗散 | 封装类型 | 配置 | 安装类型 | 通道类型 | 引脚数目 | 开关速度 | 晶体管配置 | 尺寸 | |
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RS 库存编号
796-5064
制造商零件编号GT50JR22
品牌Toshiba
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RMB45.03
个
单位
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50A | 600 V | ±25V | - | 230 瓦 | TO-3P | - | 通孔 | N | 3 | 1MHz | 单 | 15.5 x 4.5 x 20mm |
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RS 库存编号
168-7768
制造商零件编号GT50JR22
品牌Toshiba
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RMB44.629
毎管:25 个
单位
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50A | 600 V | ±25V | - | 230 瓦 | TO-3P | - | 通孔 | N | 3 | 1MHz | 单 | 15.5 x 4.5 x 20mm |
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RS 库存编号
804-7625
制造商零件编号IXA70I1200NA
品牌IXYS
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RMB355.82
个
单位
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100 A | 1200 V | ±20V | - | 350 W | SOT-227B | - | 表面贴装 | N | 4 | - | 单 | 38.23 x 25.25 x 9.6mm |
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RS 库存编号
168-4763
制造商零件编号IXA70I1200NA
品牌IXYS
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RMB222.012
毎管:10 个
单位
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100 A | 1200 V | ±20V | - | 350 W | SOT-227B | - | 贴片 | N | 4 | - | 单 | 38.23 x 25.25 x 9.6mm |
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RS 库存编号
917-3378
制造商零件编号STGIB10CH60TS-L
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RMB107.26
个
单位
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15 A | 600 V | - | - | 66 W | SDIP2B | 阵列 | 通孔 | N | 26 | - | 3 相 | 38 x 24 x 3.5mm |
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RS 库存编号
168-8978
制造商零件编号STGIB10CH60TS-L
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RMB104.188
毎管:13 个
单位
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15 A | 600 V | - | - | 66 W | SDIP2B | 阵列 | 通孔 | N | 26 | - | 3 相 | 38 x 24 x 3.5mm |
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RS 库存编号
145-9637
制造商零件编号FF300R12KS4HOSA1
品牌Infineon
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RMB1,395.80
Each (In a Tray of 10)
单位
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370 A | 1200 V | ±20V | - | 1950 瓦 | 62MM 模块 | 串行 | 面板 | N | 3 | - | 串行 | 106.4 x 61.4 x 30.9mm |
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RS 库存编号
761-3757
制造商零件编号FF300R12KS4HOSA1
品牌Infineon
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RMB1,395.80
个
单位
|
370 A | 1200 V | ±20V | - | 1950 瓦 | 62MM 模块 | 串行 | 面板 | N | 3 | - | 串行 | 106.4 x 61.4 x 30.9mm |
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RS 库存编号
165-8176
制造商零件编号IKW25N120T2FKSA1
品牌Infineon
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RMB52.093
毎管:30 个
单位
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50 A | 1200 V | ±20V | - | 349 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
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RS 库存编号
897-7403
制造商零件编号IKW25N120T2FKSA1
品牌Infineon
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RMB41.13
/个 (每包:2个)
单位
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50 A | 1200 V | ±20V | - | 349 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
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RS 库存编号
892-2129
制造商零件编号IKW08T120FKSA1
品牌Infineon
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RMB22.403
/个 (每包:4个)
单位
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16 A | 1200 V | ±20V | - | 70 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | 20kHz | 单 | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
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RS 库存编号
145-8706
制造商零件编号IKW08T120FKSA1
品牌Infineon
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RMB17.805
毎管:30 个
单位
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16 A | 1200 V | ±20V | - | 70 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | 20kHz | 单 | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
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RS 库存编号
111-6082
制造商零件编号FF150R12RT4HOSA1
品牌Infineon
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RMB772.00
个
单位
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150 A | 1200 V | ±20V | - | 790 W | AG-34MM-1 | 串行 | 面板 | N | - | - | 串行 | 94 x 34 x 30.2mm |
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RS 库存编号
166-0838
制造商零件编号FF150R12RT4HOSA1
品牌Infineon
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RMB770.477
Each (In a Tray of 10)
单位
|
150 A | 1200 V | ±20V | - | 790 W | AG-34MM-1 | 串行 | 面板 | N | - | - | 串行 | 94 x 34 x 30.2mm |
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RS 库存编号
917-3380
制造商零件编号STGIB15CH60TS-L
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RMB123.23
个
单位
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20 A | 600 V | - | - | 81 W | SDIP2B | 阵列 | 通孔 | N | 26 | - | 3 相 | 38 x 24 x 3.5mm |
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RS 库存编号
468-2498
制造商零件编号SKM300GB125D
品牌Semikron
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RMB3,289.31
个
单位
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300 A | 1200 V | ±20V | - | - | SEMITRANS3 | 双半桥 | 面板 | N | 7 | - | 串行 | 106.4 x 61.4 x 30.5mm |
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RS 库存编号
170-8678
制造商零件编号STGIB15CH60TS-L
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RMB124.291
毎管:13 个
单位
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20 A | 600 V | - | - | 81 W | SDIP2B | 阵列 | 通孔 | N | 26 | - | 3 相 | 38 x 24 x 3.5mm |
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RS 库存编号
864-8855
制造商零件编号FGH40T120SMD
品牌onsemi
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RMB62.45
个
单位
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80 A | 1200 V | ±25V | - | 555 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 15.87 x 4.82 x 20.82mm |
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RS 库存编号
808-0281
制造商零件编号IXYH50N120C3D1
品牌IXYS
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RMB92.96
个
单位
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90 A | 1200 V | ±20V | - | 625 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | 50kHz | 单 | 16.26 x 5.3 x 21.46mm |
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RS 库存编号
165-8131
制造商零件编号IKW25N120H3FKSA1
品牌Infineon
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RMB34.05
毎管:30 个
单位
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50 A | 1200 V | ±20V | - | 326 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。
IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。
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