晶体管 - IGBT

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描述 价格 最大连续集电极电流 最大集电极-发射极电压 最大栅极发射极电压 晶体管数 最大功率耗散 封装类型 安装类型 通道类型 引脚数目 开关速度 晶体管配置 长度 宽度 高度
RS 库存编号 796-5064
制造商零件编号GT50JR22
品牌Toshiba
RMB38.87
单位
50 A 600 V ±25V - 230 W TO-3P 通孔 N 3 1MHz 15.5mm 4.5mm 20mm
RS 库存编号 168-7768
制造商零件编号GT50JR22
品牌Toshiba
RMB31.28
毎管:25 个
单位
50 A 600 V ±25V - 230 W TO-3P 通孔 N 3 1MHz 15.5mm 4.5mm 20mm
RS 库存编号 804-7625
制造商零件编号IXA70I1200NA
品牌IXYS
RMB149.39
单位
100 A 1200 V ±20V - 350 W SOT-227B 表面贴装 N 4 - 38.23mm 25.25mm 9.6mm
RS 库存编号 168-4763
制造商零件编号IXA70I1200NA
品牌IXYS
RMB105.933
毎管:10 个
单位
100 A 1200 V ±20V - 350 W SOT-227B 表面贴装 N 4 - 38.23mm 25.25mm 9.6mm
RS 库存编号 166-0961
制造商零件编号IHW20N120R3FKSA1
品牌Infineon
RMB22.791
毎管:30 个
单位
40 A 1200 V ±20V - 310 W TO-247 通孔 N 3 - 16.13mm 5.21mm 21.1mm
RS 库存编号 110-7751
制造商零件编号IHW20N120R3FKSA1
品牌Infineon
RMB26.858
/个 (每包:4个)
单位
40 A 1200 V ±20V - 310 W TO-247 通孔 N 3 - 16.13mm 5.21mm 21.1mm
RS 库存编号 168-4686
制造商零件编号FGW75N60HD
RMB84.733
毎管:30 个
单位
75 A 600 V ±20V - 500 W TO-247 通孔 N 3 - 15.9mm 5.03mm 20.95mm
RS 库存编号 897-7403
制造商零件编号IKW25N120T2FKSA1
品牌Infineon
RMB43.995
/个 (每包:2个)
单位
50 A 1200 V ±20V - 349 W TO-247 通孔 N 3 - 16.13mm 5.21mm 21.1mm
RS 库存编号 772-9026
制造商零件编号FGW75N60HD
RMB81.45
单位
75 A 600 V ±20V - 500 W TO-247 通孔 N 3 - 15.9mm 5.03mm 20.95mm
RS 库存编号 165-8176
制造商零件编号IKW25N120T2FKSA1
品牌Infineon
RMB37.185
毎管:30 个
单位
50 A 1200 V ±20V - 349 W TO-247 通孔 N 3 - 16.13mm 5.21mm 21.1mm
RS 库存编号 892-2129
制造商零件编号IKW08T120FKSA1
品牌Infineon
RMB27.193
/个 (每包:4个)
单位
16 A 1200 V ±20V - 70 W TO-247 通孔 N 3 20kHz 16.13mm 5.21mm 21.1mm
RS 库存编号 145-8706
制造商零件编号IKW08T120FKSA1
品牌Infineon
RMB23.124
毎管:30 个
单位
16 A 1200 V ±20V - 70 W TO-247 通孔 N 3 20kHz 16.13mm 5.21mm 21.1mm
RS 库存编号 864-8805
制造商零件编号FGB3040G2-F085
RMB16.71
/个 (每包:5个)
单位
41 A 400 V ±10V - 150 W D2PAK (TO-263) 表面贴装 N 3 - 10.67mm 9.65mm 4.83mm
RS 库存编号 796-1334
制造商零件编号NGTB20N135IHRWG
RMB26.035
/个 (每包:2个)
单位
40 A 1350 V ±20V - 394 W TO-247 通孔 N 3 1MHz 16.25mm 5.3mm 21.4mm
RS 库存编号 163-2256
制造商零件编号NGTB20N135IHRWG
RMB22.088
毎管:30 个
单位
40 A 1350 V ±20V - 394 W TO-247 通孔 N 3 1MHz 16.25mm 5.3mm 21.4mm
RS 库存编号 796-1359
制造商零件编号NGTB40N120FL2WG
RMB35.59
单位
80 A 1200 V ±20V - 535 W TO-247 通孔 N 3 1MHz 16.25mm 5.3mm 21.4mm
RS 库存编号 739-4945
制造商零件编号FGH60N60SMD
RMB30.64
单位
120 A 600 V ±20V - 600 W TO-247AB 通孔 N 3 - 15.6mm 4.7mm 20.6mm
RS 库存编号 541-2098
制造商零件编号IRG4PH50SPBF
品牌Infineon
RMB43.46
单位
57 A 1200 V ±20V - - TO-247AC 通孔 N 3 - 15.9mm 5.3mm 20.3mm
RS 库存编号 124-1446
制造商零件编号FGH40T120SMD
RMB35.822
毎管:30 个
单位
80 A 1200 V ±25V - 555 W TO-247 通孔 N 3 - 15.87mm 4.82mm 20.82mm
RS 库存编号 124-1320
制造商零件编号FGH60N60SMD
RMB26.095
毎管:30 个
单位
120 A 600 V ±20V - 600 W TO-247AB 通孔 N 3 - 15.6mm 4.7mm 20.6mm

晶体管 - IGBT

IGBT(绝缘栅级双极)晶体管是一种半导体,主要用作开关设备以接通或断开功率流。它们具有许多优势,是两种最常见的晶体管 - 双极晶体管 和 MOSFET 的结合。

<bold>IGBT 的典型应用有哪些?</bold>
• 电动机
• UPS(不间断电源)
• 太阳能面板安装
• 电焊机
• 电源转换器与反相器
• 电感充电器
• 电磁炉

<bold>IGBT 晶体管是如何工作的?</bold>
IGBT 晶体管是三端子设备,通过应用电压到半导体改变其特性,在断开状态时阻止功率流,在接通状态时允许功率流通过。它们由金属氧化物半导体栅级结构控制。IGBT 晶体管可广泛用于切换焊接、电动汽车、空调、火车和不间断电源等应用中的电气电源。

<bold>有哪些不同类型的 IGBT 晶体管?</bold>
IGBT 晶体管有多种类型,它们按最高电压、集电极电流、封装类型和切换速度等参数进行分类。您选择的 IGBT 晶体管类型将根据具体的功率电平和应用要求而变化。

<bold>MOSFET 与 IGBT 有哪些区别?</bold>
在较高阻断电压额定器件中,IGBT 的正向压降远低于传统 MOSFET。然而,由于没有 IGBT 输出 BJT 中的二极管 Vf,MOSFET 的特点是在较低的电流密度下具有较低的正向电压。