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    IGBT

    IGBT是什么？

    IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

    IGBT与MOSFET的对比

    MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。

    • 优点：热稳定性好、安全工作区大。
    • 缺点：击穿电压低，工作电流小。

    IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。它的三个极分别是集电极（C）、发射极（E）和栅极（G）。

    • 特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。

    IGBT的典型应用

    • 电动机
    • 不间断电源
    • 太阳能面板安装
    • 电焊机
    • 电源转换器与反相器
    • 电感充电器
    • 电磁炉

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    Q0PACK - 箱 180AJ (无铅和无卤化物焊接引脚) (2)

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    TO247-3LD (4)

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    93x47 (焊接引脚) (无铅和无卤化物焊接引脚) ， Q2BOOST - PIM53 (2)

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    10.67 x 11.33 x 4.83mm (2)

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    15.7 x 5.7 x 24.7mm (2)

    15.7 x 3.2 x 26.7mm (2)

    15.8 x 5 x 20.1mm (2)

    15.8 x 5.2 x 22.74mm (6)

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    16.2 x 5 x 20.1mm (2)

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    83 x 37.9 x 12.5mm (2)

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    产品详述
    单价（不含税）
    品牌
    最大连续集电极电流
    最大集电极-发射极电压
    最大栅极发射极电压
    晶体管数
    最大功率耗散
    封装类型
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    安装类型
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    引脚数目
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    晶体管配置
    尺寸
    onsemi N沟道IGBT, Ic 120 A, VCEO 600 V, 3针, TO-247AB, 通孔安装
    • RS 库存编号 739-4945
    • 制造商零件编号 FGH60N60SMD
    个
    RMB45.46
    onsemi
    120 A
    600 V
    ±20V
    -
    600 W
    TO-247AB
    -
    通孔
    N
    3
    -
    单
    15.6 x 4.7 x 20.6mm
    onsemi N沟道IGBT, Ic 80 A, VCEO 1200 V, 3针, TO-247, 通孔安装
    • RS 库存编号 864-8855
    • 制造商零件编号 FGH40T120SMD
    个
    RMB57.38
    onsemi
    80 A
    1200 V
    ±25V
    -
    555 W
    TO-247
    -
    通孔
    N
    3
    -
    单
    15.87 x 4.82 x 20.82mm
    onsemi N沟道IGBT, Ic 120 A, VCEO 600 V, 3针, TO-247AB, 通孔安装
    • RS 库存编号 124-1320
    • 制造商零件编号 FGH60N60SMD
    毎管：30 个
    RMB28.902
    onsemi
    120 A
    600 V
    ±20V
    -
    600 W
    TO-247AB
    -
    通孔
    N
    3
    -
    单
    15.6 x 4.7 x 20.6mm
    onsemi N沟道IGBT, Ic 80 A, VCEO 1200 V, 3针, TO-247, 通孔安装
    • RS 库存编号 124-1446
    • 制造商零件编号 FGH40T120SMD
    毎管：30 个
    RMB44.461
    onsemi
    80 A
    1200 V
    ±25V
    -
    555 W
    TO-247
    -
    通孔
    N
    3
    -
    单
    15.87 x 4.82 x 20.82mm
    onsemi N沟道IGBT, Ic 80 A, VCEO 600 V, 3针, TO-247, 通孔安装
    • RS 库存编号 759-9267
    • 制造商零件编号 FGH40N60SFDTU
    个
    RMB38.60
    onsemi
    80 A
    600 V
    ±20V
    -
    290 W
    TO-247
    -
    通孔
    N
    3
    -
    单
    15.6 x 4.7 x 20.6mm
    onsemi N沟道IGBT, Ic 80 A, VCEO 600 V, 3针, TO-247, 通孔安装
    • RS 库存编号 124-1334
    • 制造商零件编号 FGH40N60SFDTU
    毎管：30 个
    RMB21.919
    onsemi
    80 A
    600 V
    ±20V
    -
    290 W
    TO-247
    -
    通孔
    N
    3
    -
    单
    15.6 x 4.7 x 20.6mm
    onsemi N沟道IGBT, Ic 41 A, VCEO 300 V, 3针, DPAK (TO-252), 贴片安装, 1MHz
    • RS 库存编号 178-7564
    • 制造商零件编号 FGD3040G2-F085
    个（每带 2500 ）
    RMB6.422
    onsemi
    41 A
    300 V
    ±10V
    -
    150 W
    DPAK (TO-252)
    -
    贴片
    N
    3
    1MHz
    单
    6.73 x 6.22 x 2.39mm
    onsemi N沟道IGBT, Ic 120 A, VCEO 650 V, 3针, TO-3PN, 通孔安装
    • RS 库存编号 166-2181
    • 制造商零件编号 FGA60N65SMD
    毎管：30 个
    RMB25.399
    onsemi
    120 A
    650 V
    ±20V
    -
    600 W
    TO-3PN
    -
    通孔
    N
    3
    -
    单
    15.8 x 5 x 20.1mm
    onsemi N沟道IGBT, Ic 120 A, VCEO 650 V, 3针, TO-3PN, 通孔安装
    • RS 库存编号 864-8795
    • 制造商零件编号 FGA60N65SMD
    个
    RMB33.24
    onsemi
    120 A
    650 V
    ±20V
    -
    600 W
    TO-3PN
    -
    通孔
    N
    3
    -
    单
    15.8 x 5 x 20.1mm
    onsemi N沟道IGBT, Ic 41 A, VCEO 300 V, 3针, DPAK (TO-252), 贴片安装, 1MHz
    • RS 库存编号 807-0767
    • 制造商零件编号 FGD3040G2-F085
    个（每托盘 5 ）
    RMB14.386
    onsemi
    41 A
    300 V
    ±10V
    -
    150 W
    DPAK (TO-252)
    -
    贴片
    N
    3
    1MHz
    单
    6.73 x 6.22 x 2.39mm
    onsemi N沟道IGBT, Ic 80 A, VCEO 1200 V, 3针, D2PAK (TO-263), 贴片安装, 1MHz
    • RS 库存编号 807-6660
    • 制造商零件编号 HGT1S10N120BNST
    个（每托盘 2 ）
    RMB22.97
    onsemi
    80 A
    1200 V
    ±20V
    -
    298 W
    D2PAK (TO-263)
    -
    贴片
    N
    3
    1MHz
    单
    10.67 x 11.33 x 4.83mm
    onsemi N沟道IGBT, Ic 80 A, VCEO 1200 V, 3针, D2PAK (TO-263), 贴片安装, 1MHz
    • RS 库存编号 124-1406
    • 制造商零件编号 HGT1S10N120BNST
    个（每带 800 ）
    RMB21.245
    onsemi
    80 A
    1200 V
    ±20V
    -
    298 W
    D2PAK (TO-263)
    -
    贴片
    N
    3
    1MHz
    单
    10.67 x 11.33 x 4.83mm
    onsemi N沟道IGBT, Ic 80 A, VCEO 600 V, 3针, TO-3PF, 通孔安装, 1MHz
    • RS 库存编号 124-1396
    • 制造商零件编号 FGAF40N60SMD
    毎管：30 个
    RMB21.743
    onsemi
    80 A
    600 V
    ±20V
    -
    115 W
    TO-3PF
    -
    通孔
    N
    3
    1MHz
    单
    15.7 x 3.2 x 26.7mm
    onsemi N沟道IGBT, Ic 80 A, VCEO 600 V, 3针, TO-247, 通孔安装
    • RS 库存编号 759-9273
    • 制造商零件编号 FGH40N60UFDTU
    个
    RMB32.77
    onsemi
    80 A
    600 V
    ±20V
    -
    290 W
    TO-247
    -
    通孔
    N
    3
    -
    单
    15.6 x 4.7 x 20.6mm
    onsemi N沟道IGBT, Ic 80 A, VCEO 600 V, 3针, TO-247, 通孔安装
    • RS 库存编号 759-9279
    • 制造商零件编号 FGH40N60SMD
    个
    RMB31.83
    onsemi
    80 A
    600 V
    ±20V
    -
    349 W
    TO-247
    -
    通孔
    N
    3
    -
    单
    15.6 x 4.7 x 20.6mm
    onsemi N沟道IGBT, Ic 80 A, VCEO 600 V, 3针, TO-3PF, 通孔安装, 1MHz
    • RS 库存编号 807-0763
    • 制造商零件编号 FGAF40N60SMD
    个（每托盘 2 ）
    RMB32.035
    onsemi
    80 A
    600 V
    ±20V
    -
    115 W
    TO-3PF
    -
    通孔
    N
    3
    1MHz
    单
    15.7 x 3.2 x 26.7mm
    onsemi N沟道IGBT, Ic 80 A, VCEO 600 V, 3针, TO-247, 通孔安装
    • RS 库存编号 124-1336
    • 制造商零件编号 FGH40N60SMD
    毎管：30 个
    RMB20.919
    onsemi
    80 A
    600 V
    ±20V
    -
    349 W
    TO-247
    -
    通孔
    N
    3
    -
    单
    15.6 x 4.7 x 20.6mm
    onsemi N沟道IGBT, Ic 80 A, VCEO 600 V, 3针, TO-247, 通孔安装
    • RS 库存编号 124-1335
    • 制造商零件编号 FGH40N60UFDTU
    毎管：30 个
    RMB20.054
    onsemi
    80 A
    600 V
    ±20V
    -
    290 W
    TO-247
    -
    通孔
    N
    3
    -
    单
    15.6 x 4.7 x 20.6mm
    onsemi N沟道IGBT, Ic 10 A, VCEO 450 V, 3针, DPAK (TO-252), 贴片安装
    • RS 库存编号 166-3807
    • 制造商零件编号 ISL9V2040D3ST
    个（每带 2500 ）
    RMB8.143
    onsemi
    10 A
    450 V
    ±14V
    -
    130 W
    DPAK (TO-252)
    -
    贴片
    N
    3
    -
    单
    6.73 x 6.22 x 2.39mm
    onsemi N沟道IGBT, Ic 40 A, VCEO 650 V, 3针, TO-3PN, 通孔安装
    • RS 库存编号 145-4447
    • 制造商零件编号 FGA40N65SMD
    毎管：30 个
    RMB19.892
    onsemi
    40 A
    650 V
    ±20V
    -
    349 W
    TO-3PN
    -
    通孔
    N
    3
    -
    单
    16.2 x 5 x 20.1mm
    每页结果数
    1
    2
    3
    9

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