描述 | 价格 | 最大连续集电极电流 | 最大集电极-发射极电压 | 最大栅极发射极电压 | 晶体管数 | 最大功率耗散 | 封装类型 | 配置 | 安装类型 | 通道类型 | 引脚数目 | 开关速度 | 晶体管配置 | 尺寸 | |
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RS 库存编号
748-1071
制造商零件编号VS-GT140DA60U
品牌Vishay
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RMB407.26
个
单位
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184 A | 600 V | ±20V | - | 577 W | SOT-227 | 单 | 面板 | N | 4 | 30kHz | 单 | 38.3 x 25.7 x 12.3mm |
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RS 库存编号
145-1977
制造商零件编号VS-GT140DA60U
品牌Vishay
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RMB411.361
个 (以毎盒:10)
单位
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184 A | 600 V | ±20V | - | 577 W | SOT-227 | 单 | 面板 | N | 4 | 30kHz | 单 | 38.3 x 25.7 x 12.3mm |
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RS 库存编号
180-7754
制造商零件编号SIA433EDJ-T1-GE3
品牌Vishay
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RMB4.104
/个 (每包:20个)
单位
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- | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
新产品
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RS 库存编号
276-6400
制造商零件编号VS-GT100TS065N
品牌Vishay
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RMB938.46
个 (以毎盒:15)
单位
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96 A | 650 V | ± 20V | 2 | 259 W | INT-A-PAK | 半桥 | 面板 | N | 7 | - | - | - |
新产品
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RS 库存编号
274-1336
制造商零件编号VS-GT55LA120UX
品牌Vishay
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RMB392.275
毎管:10 个
单位
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68 A | 1200 V | ± 20V | 1 | 291 W | SOT-227 | 单 | 面板 | N | 4 | - | - | - |
新产品
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RS 库存编号
276-6401
制造商零件编号VS-GT100TS065N
品牌Vishay
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RMB938.44
个
单位
|
96 A | 650 V | ± 20V | 2 | 259 W | INT-A-PAK | 半桥 | 面板 | N | 7 | - | - | - |
新产品
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RS 库存编号
274-1340
制造商零件编号VS-GT75LA60UF
品牌Vishay
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RMB262.723
毎管:10 个
单位
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81 A | 600 V | ± 20V | 1 | 231 W | SOT-227 | 单 | 面板 | N | 4 | - | - | - |
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RS 库存编号
180-7419
制造商零件编号SUM70060E-GE3
品牌Vishay
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RMB10.749
个 (在毎卷:800)
单位
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新产品
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RS 库存编号
274-1342
制造商零件编号VS-GT75NA60UF
品牌Vishay
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RMB245.292
毎管:10 个
单位
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81 A | 600 V | ± 20V | 1 | 231 W | SOT-227 | 单 | 面板 | N | 4 | - | - | - |
新产品
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RS 库存编号
276-6405
制造商零件编号VS-GT150TS065S
品牌Vishay
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RMB1,304.48
个
单位
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372 A | 650 V | ± 20V | 2 | 789 W | INT-A-PAK | 半桥 | 面板 | N | 7 | - | - | - |
新产品
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RS 库存编号
274-1337
制造商零件编号VS-GT55LA120UX
品牌Vishay
|
RMB392.18
个
单位
|
68 A | 1200 V | ± 20V | 1 | 291 W | SOT-227 | 单 | 面板 | N | 4 | - | - | - |
新产品
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RS 库存编号
274-1344
制造商零件编号VS-GT80DA120U
品牌Vishay
|
RMB398.483
毎管:10 个
单位
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139 A | 1200 V | ± 20V | 1 | 658 W | SOT-227 | 单 | 面板 | N | 4 | - | - | - |
新产品
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RS 库存编号
274-1335
制造商零件编号VS-GT50LA65UF
品牌Vishay
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RMB253.17
个
单位
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59 A | 650 V | ± 20V | 1 | 163 W | SOT-227 | 单 | 面板 | N | 4 | - | - | - |
新产品
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RS 库存编号
274-1341
制造商零件编号VS-GT75LA60UF
品牌Vishay
|
RMB290.67
个
单位
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81 A | 600 V | ± 20V | 1 | 231 W | SOT-227 | 单 | 面板 | N | 4 | - | - | - |
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RS 库存编号
180-7866
制造商零件编号SI7121ADN-T1-GE3
品牌Vishay
|
RMB3.605
/个 (每包:20个)
单位
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- | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
新产品
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RS 库存编号
276-6408
制造商零件编号VS-GT200TS065S
品牌Vishay
|
RMB1,576.595
个 (以毎盒:15)
单位
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476 A | 650 V | ± 20V | 2 | 1 kW | INT-A-PAK | 半桥 | 面板 | N | 7 | - | - | - |
新产品
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RS 库存编号
274-1343
制造商零件编号VS-GT75NA60UF
品牌Vishay
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RMB271.92
个
单位
|
81 A | 600 V | ± 20V | 1 | 231 W | SOT-227 | 单 | 面板 | N | 4 | - | - | - |
新产品
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RS 库存编号
274-1332
制造商零件编号VS-GT250SA60S
品牌Vishay
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RMB261.385
毎管:10 个
单位
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359 A | 600 V | ± 20V | 1 | 750 W | SOT-227 | 单 | 面板 | N | 4 | - | - | - |
新产品
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RS 库存编号
274-1328
制造商零件编号VS-GT100LA65UF
品牌Vishay
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RMB255.892
毎管:10 个
单位
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90 A | 650 V | ± 20V | 1 | 230 W | SOT-227 | 单 | 面板 | N | 4 | - | - | - |
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RS 库存编号
180-8025
制造商零件编号SUM70060E-GE3
品牌Vishay
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RMB13.954
/个 (每包:5个)
单位
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IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。
IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。
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