晶体管 - IGBT

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描述 价格 最大连续集电极电流 最大集电极-发射极电压 最大栅极发射极电压 晶体管数 最大功率耗散 封装类型 安装类型 通道类型 引脚数目 开关速度 晶体管配置 长度 宽度 高度
RS 库存编号 877-6411
制造商零件编号VS-GB90DA120U
品牌Vishay
RMB634.23
单位
149 A 1200 V ±20V - 862 W SOT-227 面板安装 N 4 60kHz 38.3mm 25.7mm 12.3mm
RS 库存编号 145-1739
制造商零件编号VS-GB90DA120U
品牌Vishay
RMB601.501
个 (以毎盒:10)
单位
149 A 1200 V ±20V - 862 W SOT-227 面板安装 N 4 60kHz 38.3mm 25.7mm 12.3mm
RS 库存编号 165-6185
制造商零件编号VS-GT175DA120U
品牌Vishay
RMB396.50
个 (以毎盒:10)
单位
288 A 1200 V ±20V - 1.09 kW SOT-227 面板安装 N 4 30kHz 38.3mm 25.7mm 12.3mm
RS 库存编号 180-8844
制造商零件编号IRFIBF20GPBF
品牌Vishay
RMB21.216
/个 (每包:5个)
单位
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RS 库存编号 180-8846
制造商零件编号IRFD310PBF
品牌Vishay
RMB11.222
/个 (每包:5个)
单位
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RS 库存编号 180-8341
制造商零件编号IRFPS40N50LPBF
品牌Vishay
RMB70.888
毎管:25 个
单位
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RS 库存编号 180-8342
制造商零件编号IRFR210PBF
品牌Vishay
RMB5.402
毎管:75 个
单位
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RS 库存编号 180-8365
制造商零件编号IRLZ34PBF
品牌Vishay
RMB9.63
毎管:50 个
单位
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RS 库存编号 180-8688
制造商零件编号IRFPF40PBF
品牌Vishay
RMB26.284
/个 (每包:5个)
单位
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RS 库存编号 180-8304
制造商零件编号IRF740ALPBF
品牌Vishay
RMB17.016
毎管:50 个
单位
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RS 库存编号 180-8343
制造商零件编号IRFR420APBF
品牌Vishay
RMB7.024
毎管:75 个
单位
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RS 库存编号 180-8823
制造商零件编号IRLL014TRPBF
品牌Vishay
RMB4.923
/个 (每包:10个)
单位
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RS 库存编号 180-8305
制造商零件编号IRF740ASPBF
品牌Vishay
RMB12.165
毎管:50 个
单位
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RS 库存编号 180-8319
制造商零件编号IRFD220PBF
品牌Vishay
RMB4.931
毎管:100 个
单位
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RS 库存编号 180-7317
制造商零件编号SI7415DN-T1-GE3
品牌Vishay
RMB5.854
个 (在毎卷:3000)
单位
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RS 库存编号 180-8361
制造商零件编号IRLIZ34GPBF
品牌Vishay
RMB15.496
毎管:50 个
单位
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RS 库存编号 180-8347
制造商零件编号IRFR9214PBF
品牌Vishay
RMB9.123
毎管:75 个
单位
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RS 库存编号 180-8827
制造商零件编号IRFU9024PBF
品牌Vishay
RMB7.602
/个 (每包:10个)
单位
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RS 库存编号 180-8833
制造商零件编号IRLR110PBF
品牌Vishay
RMB5.922
/个 (每包:10个)
单位
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RS 库存编号 180-8762
制造商零件编号IRFR9214PBF
品牌Vishay
RMB10.788
/个 (每包:5个)
单位
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晶体管 - IGBT

IGBT(绝缘栅级双极)晶体管是一种半导体,主要用作开关设备以接通或断开功率流。它们具有许多优势,是两种最常见的晶体管 - 双极晶体管 和 MOSFET 的结合。

<bold>IGBT 的典型应用有哪些?</bold>
• 电动机
• UPS(不间断电源)
• 太阳能面板安装
• 电焊机
• 电源转换器与反相器
• 电感充电器
• 电磁炉

<bold>IGBT 晶体管是如何工作的?</bold>
IGBT 晶体管是三端子设备,通过应用电压到半导体改变其特性,在断开状态时阻止功率流,在接通状态时允许功率流通过。它们由金属氧化物半导体栅级结构控制。IGBT 晶体管可广泛用于切换焊接、电动汽车、空调、火车和不间断电源等应用中的电气电源。

<bold>有哪些不同类型的 IGBT 晶体管?</bold>
IGBT 晶体管有多种类型,它们按最高电压、集电极电流、封装类型和切换速度等参数进行分类。您选择的 IGBT 晶体管类型将根据具体的功率电平和应用要求而变化。

<bold>MOSFET 与 IGBT 有哪些区别?</bold>
在较高阻断电压额定器件中,IGBT 的正向压降远低于传统 MOSFET。然而,由于没有 IGBT 输出 BJT 中的二极管 Vf,MOSFET 的特点是在较低的电流密度下具有较低的正向电压。