晶体管 - IGBT

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描述 价格 最大连续集电极电流 最大集电极-发射极电压 最大栅极发射极电压 晶体管数 最大功率耗散 封装类型 安装类型 通道类型 引脚数目 开关速度 晶体管配置 长度 宽度 高度
RS 库存编号 829-7120
制造商零件编号STGF15H60DF
RMB14.148
/个 (每包:5个)
单位
30 A 600 V ±20V - 30 W TO-220FP 通孔 N 3 1MHz 10.4mm 4.6mm 16.4mm
RS 库存编号 168-8738
制造商零件编号STGF15H60DF
RMB12.021
毎管:50 个
单位
30 A 600 V ±20V - 30 W TO-220FP 通孔 N 3 1MHz 10.4mm 4.6mm 16.4mm
RS 库存编号 168-8650
制造商零件编号STGWT40H65DFB
RMB22.924
毎管:30 个
单位
80 A 650 V ±20V - 283 W TO-3P 通孔 N 3 - 15.8mm 5mm 20.1mm
RS 库存编号 792-5827
制造商零件编号STGW80V60DF
RMB47.68
单位
120 A 600 V ±20V - 469 W TO-247 通孔 N 3 - 15.75mm 5.15mm 20.15mm
RS 库存编号 920-6320
制造商零件编号STGW80V60DF
RMB41.139
毎管:30 个
单位
120 A 600 V ±20V - 469 W TO-247 通孔 N 3 - 15.75mm 5.15mm 20.15mm
RS 库存编号 686-8366
制造商零件编号STGP7NC60HD
RMB10.20
/个 (每包:2个)
单位
25 A 600 V ±20V - - TO-220 通孔 N 3 - 10.4mm 4.6mm 9.15mm
RS 库存编号 168-8941
制造商零件编号STGW15S120DF3
RMB38.318
毎管:30 个
单位
30 A 1200 V ±20V - 259 W TO-247 通孔 N 3 - 15.75mm 5.15mm 20.15mm
RS 库存编号 178-1479
制造商零件编号STGP7NC60HD
RMB8.663
毎管:50 个
单位
25 A 600 V ±20V - - TO-220 通孔 N 3 - 10.4mm 4.6mm 9.15mm
RS 库存编号 165-8040
制造商零件编号STGD5H60DF
RMB2.845
个 (在毎卷:2500)
单位
10 A 600 V ±20V - 83 W DPAK (TO-252) 表面贴装 N 3 - 6.6mm 6.2mm 2.4mm
RS 库存编号 168-6464
制造商零件编号STGW20NC60VD
RMB21.858
毎管:30 个
单位
60 A 600 V ±20V - - TO-247 通孔 N 3 - 15.75mm 5.15mm 20.15mm
RS 库存编号 168-8651
制造商零件编号STGWT40H65FB
RMB24.159
毎管:30 个
单位
80 A 650 V ±20V - 283 W TO-3P 通孔 N 3 - 15.8mm 5mm 20.1mm
RS 库存编号 168-7089
制造商零件编号STGD20N40LZ
RMB6.337
个 (在毎卷:2500)
单位
25 A 425 V 16V - 125 W DPAK (TO-252) 表面贴装 N 3 - 6.6mm 6.2mm 2.4mm
RS 库存编号 686-8388
制造商零件编号STGP6NC60HD
RMB7.264
/个 (每包:5个)
单位
15 A 600 V ±20V - - TO-220 通孔 N 3 - 10.4mm 4.6mm 9.15mm
RS 库存编号 145-9229
制造商零件编号STGW60V60DLF
RMB19.963
毎管:30 个
单位
60 A 600 V ±20V - 375 W TO-247 通孔 N 3 1MHz 15.75mm 5.15mm 20.15mm
RS 库存编号 906-2798
制造商零件编号STGD5H60DF
RMB5.598
/个 (每包:10个)
单位
10 A 600 V ±20V - 83 W DPAK (TO-252) 表面贴装 N 3 - 6.6mm 6.2mm 2.4mm
RS 库存编号 686-8354
制造商零件编号STGW20NC60VD
RMB25.81
单位
60 A 600 V ±20V - - TO-247 通孔 N 3 - 15.75mm 5.15mm 20.15mm
RS 库存编号 829-4509
制造商零件编号STGWT40H65FB
RMB28.48
单位
80 A 650 V ±20V - 283 W TO-3P 通孔 N 3 - 15.8mm 5mm 20.1mm
RS 库存编号 168-6470
制造商零件编号STGP6NC60HD
RMB6.518
毎管:50 个
单位
15 A 600 V ±20V - - TO-220 通孔 N 3 - 10.4mm 4.6mm 9.15mm
RS 库存编号 168-8808
制造商零件编号STGW30H60DFB
RMB19.792
毎管:30 个
单位
60 A 600 V ±20V - 260 W TO-247 通孔 N 3 - 15.75mm 5.15mm 20.15mm
RS 库存编号 686-8360
制造商零件编号STGF7NB60SL
RMB10.065
/个 (每包:2个)
单位
15 A 600 V ±20V - - TO-220FP 通孔 N 3 - 10.4mm 4.6mm 9.3mm

晶体管 - IGBT

IGBT(绝缘栅级双极)晶体管是一种半导体,主要用作开关设备以接通或断开功率流。它们具有许多优势,是两种最常见的晶体管 - 双极晶体管 和 MOSFET 的结合。

<bold>IGBT 的典型应用有哪些?</bold>
• 电动机
• UPS(不间断电源)
• 太阳能面板安装
• 电焊机
• 电源转换器与反相器
• 电感充电器
• 电磁炉

<bold>IGBT 晶体管是如何工作的?</bold>
IGBT 晶体管是三端子设备,通过应用电压到半导体改变其特性,在断开状态时阻止功率流,在接通状态时允许功率流通过。它们由金属氧化物半导体栅级结构控制。IGBT 晶体管可广泛用于切换焊接、电动汽车、空调、火车和不间断电源等应用中的电气电源。

<bold>有哪些不同类型的 IGBT 晶体管?</bold>
IGBT 晶体管有多种类型,它们按最高电压、集电极电流、封装类型和切换速度等参数进行分类。您选择的 IGBT 晶体管类型将根据具体的功率电平和应用要求而变化。

<bold>MOSFET 与 IGBT 有哪些区别?</bold>
在较高阻断电压额定器件中,IGBT 的正向压降远低于传统 MOSFET。然而,由于没有 IGBT 输出 BJT 中的二极管 Vf,MOSFET 的特点是在较低的电流密度下具有较低的正向电压。