晶体管 - IGBT

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描述 价格 最大连续集电极电流 最大集电极-发射极电压 最大栅极发射极电压 晶体管数 最大功率耗散 封装类型 安装类型 通道类型 引脚数目 开关速度 晶体管配置 长度 宽度 高度
RS 库存编号 150-1490
制造商零件编号RGTH80TK65GC11
品牌ROHM
RMB15.53
/个 (每包:5个)
单位
31 A 650 V ±30V 1 66 W TO-3PFM 通孔 N 3 - 16mm 5mm 21mm
RS 库存编号 150-1458
制造商零件编号RGTH60TS65DGC11
品牌ROHM
RMB19.86
/个 (每包:5个)
单位
58 A 650 V ±30V 1 194 W TO-247N 通孔 N 3 - 16mm 5mm 21mm
RS 库存编号 148-6967
制造商零件编号RGTH00TK65GC11
品牌ROHM
RMB16.85
/个 (每包:5个)
单位
35 A 650 V ±30V 1 72 W TO-3PFM 通孔 N 3 - 16mm 5mm 21mm
RS 库存编号 150-1516
制造商零件编号RGTH50TS65DGC11
品牌ROHM
RMB20.992
/个 (每包:5个)
单位
50 A 650 V ±30V 1 174 W TO-247N 通孔 N 3 - 16mm 5mm 21mm
RS 库存编号 150-1498
制造商零件编号RGTH50TK65DGC11
品牌ROHM
RMB15.824
/个 (每包:5个)
单位
26 A 650 V ±30V 1 59 W TO-3PFM 通孔 N 3 - 16mm 5mm 21mm
RS 库存编号 150-1456
制造商零件编号RGTH40TK65DGC11
品牌ROHM
RMB14.796
/个 (每包:5个)
单位
23 A 650 V ±30V 1 56 W TO-3PFM 通孔 N 3 - 16mm 5mm 21mm
RS 库存编号 148-6964
制造商零件编号RGTH00TK65DGC11
品牌ROHM
RMB20.656
/个 (每包:5个)
单位
35 A 650 V ±30V 1 72 W TO-3PFM 通孔 N 3 - 16mm 5mm 21mm
RS 库存编号 150-1532
制造商零件编号RGTH60TK65DGC11
品牌ROHM
RMB16.85
/个 (每包:5个)
单位
28 A 650 V ±30V 1 61 W TO-3PFM 通孔 N 3 - 16mm 5mm 21mm
RS 库存编号 150-1486
制造商零件编号RGTH40TS65GC11
品牌ROHM
RMB14.728
/个 (每包:5个)
单位
40 A 650 V ±30V 1 144 W TO-247N 通孔 N 3 - 16mm 5mm 21mm
RS 库存编号 150-1506
制造商零件编号RGTH80TS65GC11
品牌ROHM
RMB22.792
/个 (每包:5个)
单位
70 A 650 V ±30V 1 234 W TO-247N 通孔 N 3 - 16mm 5mm 21mm
RS 库存编号 150-1508
制造商零件编号RGTH50TK65GC11
品牌ROHM
RMB13.48
/个 (每包:5个)
单位
26 A 650 V ±30V 1 59 W TO-3PFM 通孔 N 3 - 16mm 5mm 21mm
RS 库存编号 150-1479
制造商零件编号RGTH80TK65DGC11
品牌ROHM
RMB18.314
/个 (每包:5个)
单位
31 A 650 V ±30V 1 66 W TO-3PFM 通孔 N 3 - 16mm 5mm 21mm
RS 库存编号 150-1522
制造商零件编号RGTH50TS65GC11
品牌ROHM
RMB19.06
/个 (每包:5个)
单位
50 A 650 V ±30V 1 174 W TO-247N 通孔 N 3 - 16mm 5mm 21mm
RS 库存编号 150-1475
制造商零件编号RGTH40TS65DGC11
品牌ROHM
RMB17.46
/个 (每包:5个)
单位
40 A 650 V ±30V 1 144 W TO-247N 通孔 N 3 - 16mm 5mm 21mm
RS 库存编号 150-1464
制造商零件编号RGTH40TK65GC11
品牌ROHM
RMB12.454
/个 (每包:5个)
单位
23 A 650 V ±30V 1 56 W TO-3PFM 通孔 N 3 - 16mm 5mm 21mm
RS 库存编号 148-6979
制造商零件编号RGTH60TK65GC11
品牌ROHM
RMB14.066
/个 (每包:5个)
单位
28 A 650 V ±30V 1 61 W TO-3PFM 通孔 N 3 - 16mm 5mm 21mm
RS 库存编号 150-1500
制造商零件编号RGTH80TS65DGC11
品牌ROHM
RMB24.392
/个 (每包:5个)
单位
70 A 650 V ±30V 1 234 W TO-247N 通孔 N 3 - 16mm 5mm 21mm
RS 库存编号 148-6976
制造商零件编号RGTH00TS65GC11
品牌ROHM
RMB24.924
/个 (每包:5个)
单位
85 A 650 V ±30V 1 277 W TO-247N 通孔 N 3 - 16mm 5mm 21mm
RS 库存编号 150-1468
制造商零件编号RGTH60TS65GC11
品牌ROHM
RMB19.526
/个 (每包:5个)
单位
58 A 650 V ±30V 1 194 W TO-247N 通孔 N 3 - 16mm 5mm 21mm

晶体管 - IGBT

IGBT(绝缘栅级双极)晶体管是一种半导体,主要用作开关设备以接通或断开功率流。它们具有许多优势,是两种最常见的晶体管 - 双极晶体管 和 MOSFET 的结合。

<bold>IGBT 的典型应用有哪些?</bold>
• 电动机
• UPS(不间断电源)
• 太阳能面板安装
• 电焊机
• 电源转换器与反相器
• 电感充电器
• 电磁炉

<bold>IGBT 晶体管是如何工作的?</bold>
IGBT 晶体管是三端子设备,通过应用电压到半导体改变其特性,在断开状态时阻止功率流,在接通状态时允许功率流通过。它们由金属氧化物半导体栅级结构控制。IGBT 晶体管可广泛用于切换焊接、电动汽车、空调、火车和不间断电源等应用中的电气电源。

<bold>有哪些不同类型的 IGBT 晶体管?</bold>
IGBT 晶体管有多种类型,它们按最高电压、集电极电流、封装类型和切换速度等参数进行分类。您选择的 IGBT 晶体管类型将根据具体的功率电平和应用要求而变化。

<bold>MOSFET 与 IGBT 有哪些区别?</bold>
在较高阻断电压额定器件中,IGBT 的正向压降远低于传统 MOSFET。然而,由于没有 IGBT 输出 BJT 中的二极管 Vf,MOSFET 的特点是在较低的电流密度下具有较低的正向电压。