描述 | 价格 | 最大连续集电极电流 | 最大集电极-发射极电压 | 最大栅极发射极电压 | 晶体管数 | 最大功率耗散 | 封装类型 | 配置 | 安装类型 | 通道类型 | 引脚数目 | 开关速度 | 晶体管配置 | 尺寸 | |
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RS 库存编号
253-3500
制造商零件编号BIDD05N60T
品牌Bourns
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RMB10.26
/个 (每包:5个)
单位
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5 A | 600 V | ±30V | 1 | 82 W | TO-252 | 单二极管 | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
253-3509
制造商零件编号BIDW50N65T
品牌Bourns
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RMB36.595
/个 (每包:2个)
单位
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50 A | 650 V | ±20V | 1 | 416 W | TO-247 | 单二极管 | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
253-3499
制造商零件编号BIDD05N60T
品牌Bourns
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RMB5.223
个 (在毎卷:2500)
单位
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5 A | 600 V | ±30V | 1 | 82 W | TO-252 | 单二极管 | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
253-3508
制造商零件编号BIDW50N65T
品牌Bourns
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RMB23.205
毎管:600 个
单位
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50 A | 650 V | ±20V | 1 | 416 W | TO-247 | 单二极管 | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
253-3503
制造商零件编号BIDNW30N60H3
品牌Bourns
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RMB25.65
/个 (每包:2个)
单位
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30 A | 600 V | ±20V | 1 | 230 W | TO-247N | 单二极管 | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
253-3505
制造商零件编号BIDW20N60T
品牌Bourns
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RMB22.915
/个 (每包:2个)
单位
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20 A | 600 V | ±20V | 1 | 192 W | TO-247 | 单二极管 | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
253-3501
制造商零件编号BIDNW30N60H3
品牌Bourns
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RMB16.244
毎管:600 个
单位
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30 A | 600 V | ±20V | 1 | 230 W | TO-247N | 单二极管 | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
253-3504
制造商零件编号BIDW20N60T
品牌Bourns
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RMB14.513
毎管:600 个
单位
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20 A | 600 V | ±20V | 1 | 192 W | TO-247 | 单二极管 | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
253-3507
制造商零件编号BIDW30N60T
品牌Bourns
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RMB28.385
/个 (每包:2个)
单位
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30 A | 600 V | ±20V | 1 | 230 W | TO-247 | 单二极管 | - | - | - | - | - | - |
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RS 库存编号
253-3506
制造商零件编号BIDW30N60T
品牌Bourns
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RMB17.987
毎管:600 个
单位
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30 A | 600 V | ±20V | 1 | 230 W | TO-247 | 单二极管 | - | - | - | - | - | - |
IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。
IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。
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