IGBT
1686
筛选条件
| 描述 | 价格 | 最大连续集电极电流 | 最大集电极-发射极电压 | 最大栅极发射极电压 | 晶体管数 | 最大功率耗散 | 封装类型 | 配置 | 安装类型 | 通道类型 | 引脚数目 | 开关速度 | 晶体管配置 | 尺寸 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RS 库存编号
761-3754
制造商零件编号FF200R12KT4HOSA1
品牌Infineon
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RMB887.70
个
单位
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320 A | 1200 V | ±20V | - | 1100 W | 62MM 模块 | 串行 | 面板 | N | 3 | - | 串行 | 106.4 x 61.4 x 30.9mm |
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RS 库存编号
920-1000
制造商零件编号IXYX120N120C3
品牌IXYS
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RMB197.608
毎管：30 个
单位
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240 A | 1200 V | ±20V | - | 1500 W | PLUS247 | - | 通孔 | N | 3 | 50kHz | 单 | 16.13 x 5.21 x 21.34mm |
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RS 库存编号
808-0234
制造商零件编号IXYX120N120C3
品牌IXYS
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RMB236.05
个
单位
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240 A | 1200 V | ±20V | - | 1500 W | PLUS247 | - | 通孔 | N | 3 | 50kHz | 单 | 16.13 x 5.21 x 21.34mm |
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RS 库存编号
892-2197
制造商零件编号IKW20N60H3FKSA1
品牌Infineon
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RMB18.57
/个 (每包:4个)
单位
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40 A | 600 V | ±20V | - | 170 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | 100kHz | 单 | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
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RS 库存编号
124-9046
制造商零件编号FF200R12KT4HOSA1
品牌Infineon
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RMB874.308
个 (以毎盒：10)
单位
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320 A | 1200 V | ±20V | - | 1100 W | 62MM 模块 | 串行 | 面板 | N | 3 | - | 串行 | 106.4 x 61.4 x 30.9mm |
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RS 库存编号
804-7619
制造商零件编号IXYN100N120C3H1
品牌IXYS
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RMB371.75
个
单位
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134 A | 1200 V | ±20V | - | 690 W | SOT-227B | - | 贴片 | N | 4 | 20 → 50kHz | 单 | 38.2 x 25 x 9.6mm |
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RS 库存编号
168-4780
制造商零件编号IXYH40N120C3
品牌IXYS
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RMB62.186
毎管：30 个
单位
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70 A | 1200 V | ±20V | - | 577 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | 50kHz | 单 | 16.26 x 5.3 x 21.46mm |
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RS 库存编号
808-0275
制造商零件编号IXYH40N120C3
品牌IXYS
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RMB72.58
个
单位
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70 A | 1200 V | ±20V | - | 577 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | 50kHz | 单 | 16.26 x 5.3 x 21.46mm |
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RS 库存编号
505-3138
制造商零件编号SKM145GB066D
品牌Semikron
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RMB727.88
个
单位
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195 A | 600 V | ±20V | - | - | SEMITRANS2 | 双半桥 | 面板 | N | 7 | - | 串行 | 94 x 34 x 29.5mm |
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RS 库存编号
111-6083
制造商零件编号FF200R12KS4HOSA1
品牌Infineon
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RMB1,112.94
个
单位
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275 A | 1200 V | ±20V | - | 1400 W | AG-62MM-1 | 串行 | 面板 | N | - | - | 串行 | 106.4 x 61.4 x 30.5mm |
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RS 库存编号
906-2798
制造商零件编号STGD5H60DF
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RMB5.954
/个 (每包:10个)
单位
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10 A | 600 V | ±20V | - | 83 W | DPAK (TO-252) | - | 贴片 | N | 3 | - | 单 | 6.6 x 6.2 x 2.4mm |
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RS 库存编号
796-5046
制造商零件编号GT15J341
品牌Toshiba
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RMB14.97
/个 (每包:5个)
单位
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15 A | 600 V | ±25V | - | 30 W | TO-220SIS | - | 通孔 | N | 3 | 100kHz | 单 | 10 x 4.5 x 15mm |
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RS 库存编号
808-0290
制造商零件编号IXYH82N120C3
品牌IXYS
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RMB110.80
个
单位
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200 A | 1200 V | ±20V | - | 1250 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | 50kHz | 单 | 16.26 x 5.3 x 21.46mm |
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RS 库存编号
686-8354
制造商零件编号STGW20NC60VD
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RMB19.94
个
单位
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60 A | 600 V | ±20V | - | - | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 15.75 x 5.15 x 20.15mm |
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RS 库存编号
168-4435
制造商零件编号IXGH40N120B2D1
品牌IXYS
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RMB114.98
毎管：30 个
单位
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75 A | 1200 V | ±20V | - | - | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 16.26 x 5.3 x 21.46mm |
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RS 库存编号
168-6464
制造商零件编号STGW20NC60VD
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RMB16.752
毎管：30 个
单位
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60 A | 600 V | ±20V | - | - | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 15.75 x 5.15 x 20.15mm |
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RS 库存编号
168-6470
制造商零件编号STGP6NC60HD
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RMB5.857
毎管：50 个
单位
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15 A | 600 V | ±20V | - | - | TO-220 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 10.4 x 4.6 x 9.15mm |
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RS 库存编号
917-3384
制造商零件编号STGIF10CH60TS-L
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RMB96.58
个
单位
|
15 A | 600 V | - | - | 33 W | SDIP2F | 阵列 | 通孔 | N | 26 | - | 3 相 | 38 x 24 x 3.5mm |
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RS 库存编号
111-6095
制造商零件编号FP75R12KE3BOSA1
品牌Infineon
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RMB1,364.38
个
单位
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105 A | 1200 V | ±20V | - | 355 W | AG-ECONO3-3 | 3 相桥接 | 面板 | N | - | - | 3 相 | 122 x 62 x 17mm |
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RS 库存编号
124-9045
制造商零件编号FF450R12KT4HOSA1
品牌Infineon
|
RMB1,468.892
个 (以毎盒：10)
单位
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580 A | 1200 V | ±20V | - | 2.4 kW | 62MM 模块 | 串行 | 面板 | N | 3 | - | 串行 | 106.4 x 61.4 x 30.9mm |
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IGBT
IGBT是什么？
IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT与MOSFET的对比
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。
- 优点：热稳定性好、安全工作区大。
- 缺点：击穿电压低，工作电流小。
IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。它的三个极分别是集电极（C）、发射极（E）和栅极（G）。
- 特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。
IGBT的典型应用
- 电动机
- 不间断电源
- 太阳能面板安装
- 电焊机
- 电源转换器与反相器
- 电感充电器
- 电磁炉
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