IGBT

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描述 价格 最大连续集电极电流 最大集电极-发射极电压 最大栅极发射极电压 晶体管数 最大功率耗散 封装类型 配置 安装类型 通道类型 引脚数目 开关速度 晶体管配置 尺寸
RS 库存编号 165-8040
制造商零件编号STGD5H60DF
RMB4.35
个 (在毎卷:2500)
单位
10 A 600 V ±20V - 83 W DPAK (TO-252) - 表面贴装 N 3 - 6.6 x 6.2 x 2.4mm
RS 库存编号 111-6095
制造商零件编号FP75R12KE3BOSA1
品牌Infineon
RMB1,364.38
单位
105 A 1200 V ±20V - 355 W AG-ECONO3-3 3 相桥接 面板 N - - 3 相 122 x 62 x 17mm
RS 库存编号 791-7416
制造商零件编号IXGH48N60B3
品牌IXYS
RMB86.695
/个 (每包:2个)
单位
280 A 600 V ±20V - 300 W TO-247 - 通孔 N 3 40kHz 16.26 x 5.3 x 21.46mm
RS 库存编号 917-3384
制造商零件编号STGIF10CH60TS-L
RMB96.58
单位
15 A 600 V - - 33 W SDIP2F 阵列 通孔 N 26 - 3 相 38 x 24 x 3.5mm
RS 库存编号 166-0887
制造商零件编号FF1400R12IP4BOSA1
品牌Infineon
RMB5,154.91
Each (In a Tray of 2)
单位
1.4 kA 1200 V ±20V - 7.65 kW AG-PRIME3-1 串行 面板 N - - 串行 250 x 89 x 38mm
RS 库存编号 111-6100
制造商零件编号FF1400R12IP4BOSA1
品牌Infineon
RMB5,154.98
单位
1.4 kA 1200 V ±20V - 7.65 kW AG-PRIME3-1 串行 面板 N - - 串行 250 x 89 x 38mm
RS 库存编号 505-3217
制造商零件编号SKM200GB176D
品牌Semikron
RMB2,412.35
单位
260 A 1700 V ±20V - - SEMITRANS3 双半桥 面板 N 7 - 串行 106.4 x 61.4 x 30mm
RS 库存编号 168-6464
制造商零件编号STGW20NC60VD
RMB16.752
毎管:30 个
单位
60 A 600 V ±20V - - TO-247 - 通孔 N 3 - 15.75 x 5.15 x 20.15mm
RS 库存编号 124-9045
制造商零件编号FF450R12KT4HOSA1
品牌Infineon
RMB1,468.892
个 (以毎盒:10)
单位
580 A 1200 V ±20V - 2.4 kW 62MM 模块 串行 面板 N 3 - 串行 106.4 x 61.4 x 30.9mm
RS 库存编号 906-2798
制造商零件编号STGD5H60DF
RMB5.954
/个 (每包:10个)
单位
10 A 600 V ±20V - 83 W DPAK (TO-252) - 表面贴装 N 3 - 6.6 x 6.2 x 2.4mm
RS 库存编号 168-6470
制造商零件编号STGP6NC60HD
RMB5.857
毎管:50 个
单位
15 A 600 V ±20V - - TO-220 - 通孔 N 3 - 10.4 x 4.6 x 9.15mm
RS 库存编号 146-1729
制造商零件编号IXGH48N60B3
品牌IXYS
RMB87.332
毎管:60 个
单位
280 A 600 V ±20V - 300 W TO-247 - 通孔 N 3 40kHz 16.26 x 5.3 x 21.46mm
RS 库存编号 110-7153
制造商零件编号IGW15N120H3FKSA1
品牌Infineon
RMB26.733
/个 (每包:4个)
单位
15 A 1200 V ±20V - 217 W TO-247 - 通孔 N 3 - 16.13 x 5.21 x 21.1mm
RS 库存编号 796-5046
制造商零件编号GT15J341
品牌Toshiba
RMB14.97
/个 (每包:5个)
单位
15 A 600 V ±25V - 30 W TO-220SIS - 通孔 N 3 100kHz 10 x 4.5 x 15mm
RS 库存编号 145-9167
制造商零件编号IGW15N120H3FKSA1
品牌Infineon
RMB23.803
毎管:30 个
单位
15 A 1200 V ±20V - 217 W TO-247 - 通孔 N 3 - 16.13 x 5.21 x 21.1mm
RS 库存编号 166-0895
制造商零件编号FP75R12KE3BOSA1
品牌Infineon
RMB1,362.80
Each (In a Tray of 10)
单位
105 A 1200 V ±20V - 355 W AG-ECONO3-3 3 相桥接 面板 N - - 3 相 122 x 62 x 17mm
RS 库存编号 165-5899
制造商零件编号FP15R12W1T4B3BOMA1
品牌Infineon
RMB238.99
Each (In a Tray of 24)
单位
28 A 1200 V ±20V - 130 W EASY1B 共集电极 印刷电路板 N 23 1MHz 3 相 48 x 33.8 x 12mm
RS 库存编号 178-7564
制造商零件编号FGD3040G2-F085
品牌onsemi
RMB8.594
个 (在毎卷:2500)
单位
41 A 300 V ±10V - 150 W DPAK (TO-252) - 表面贴装 N 3 1MHz 6.73 x 6.22 x 2.39mm
RS 库存编号 165-6737
制造商零件编号IGW75N60TFKSA1
品牌Infineon
RMB32.36
毎管:30 个
单位
150 A 600 V ±20V - 428 W TO-247 - 通孔 - 3 - 16.13 x 21.1 x 5.21mm
RS 库存编号 168-8808
制造商零件编号STGW30H60DFB
RMB19.07
毎管:30 个
单位
60 A 600 V ±20V - 260 W TO-247 - 通孔 N 3 - 15.75 x 5.15 x 20.15mm

IGBT

IGBT是什么?

IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT与MOSFET的对比

MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。

  • 优点:热稳定性好、安全工作区大。
  • 缺点:击穿电压低,工作电流小。

IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。

  • 特点:击穿电压可达1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作频率可达20kHz。

IGBT的典型应用

  • 电动机
  • 不间断电源
  • 太阳能面板安装
  • 电焊机
  • 电源转换器与反相器
  • 电感充电器
  • 电磁炉

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