描述 | 价格 | 最大连续集电极电流 | 最大集电极-发射极电压 | 最大栅极发射极电压 | 晶体管数 | 最大功率耗散 | 封装类型 | 配置 | 安装类型 | 通道类型 | 引脚数目 | 开关速度 | 晶体管配置 | 尺寸 | |
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RS 库存编号
165-8040
制造商零件编号STGD5H60DF
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RMB4.35
个 (在毎卷:2500)
单位
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10 A | 600 V | ±20V | - | 83 W | DPAK (TO-252) | - | 表面贴装 | N | 3 | - | 单 | 6.6 x 6.2 x 2.4mm |
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RS 库存编号
111-6095
制造商零件编号FP75R12KE3BOSA1
品牌Infineon
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RMB1,364.38
个
单位
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105 A | 1200 V | ±20V | - | 355 W | AG-ECONO3-3 | 3 相桥接 | 面板 | N | - | - | 3 相 | 122 x 62 x 17mm |
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RS 库存编号
791-7416
制造商零件编号IXGH48N60B3
品牌IXYS
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RMB86.695
/个 (每包:2个)
单位
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280 A | 600 V | ±20V | - | 300 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | 40kHz | 单 | 16.26 x 5.3 x 21.46mm |
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RS 库存编号
917-3384
制造商零件编号STGIF10CH60TS-L
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RMB96.58
个
单位
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15 A | 600 V | - | - | 33 W | SDIP2F | 阵列 | 通孔 | N | 26 | - | 3 相 | 38 x 24 x 3.5mm |
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RS 库存编号
166-0887
制造商零件编号FF1400R12IP4BOSA1
品牌Infineon
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RMB5,154.91
Each (In a Tray of 2)
单位
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1.4 kA | 1200 V | ±20V | - | 7.65 kW | AG-PRIME3-1 | 串行 | 面板 | N | - | - | 串行 | 250 x 89 x 38mm |
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RS 库存编号
111-6100
制造商零件编号FF1400R12IP4BOSA1
品牌Infineon
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RMB5,154.98
个
单位
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1.4 kA | 1200 V | ±20V | - | 7.65 kW | AG-PRIME3-1 | 串行 | 面板 | N | - | - | 串行 | 250 x 89 x 38mm |
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RS 库存编号
505-3217
制造商零件编号SKM200GB176D
品牌Semikron
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RMB2,412.35
个
单位
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260 A | 1700 V | ±20V | - | - | SEMITRANS3 | 双半桥 | 面板 | N | 7 | - | 串行 | 106.4 x 61.4 x 30mm |
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RS 库存编号
168-6464
制造商零件编号STGW20NC60VD
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RMB16.752
毎管:30 个
单位
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60 A | 600 V | ±20V | - | - | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 15.75 x 5.15 x 20.15mm |
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RS 库存编号
124-9045
制造商零件编号FF450R12KT4HOSA1
品牌Infineon
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RMB1,468.892
个 (以毎盒:10)
单位
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580 A | 1200 V | ±20V | - | 2.4 kW | 62MM 模块 | 串行 | 面板 | N | 3 | - | 串行 | 106.4 x 61.4 x 30.9mm |
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RS 库存编号
906-2798
制造商零件编号STGD5H60DF
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RMB5.954
/个 (每包:10个)
单位
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10 A | 600 V | ±20V | - | 83 W | DPAK (TO-252) | - | 表面贴装 | N | 3 | - | 单 | 6.6 x 6.2 x 2.4mm |
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RS 库存编号
168-6470
制造商零件编号STGP6NC60HD
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RMB5.857
毎管:50 个
单位
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15 A | 600 V | ±20V | - | - | TO-220 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 10.4 x 4.6 x 9.15mm |
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RS 库存编号
146-1729
制造商零件编号IXGH48N60B3
品牌IXYS
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RMB87.332
毎管:60 个
单位
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280 A | 600 V | ±20V | - | 300 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | 40kHz | 单 | 16.26 x 5.3 x 21.46mm |
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RS 库存编号
110-7153
制造商零件编号IGW15N120H3FKSA1
品牌Infineon
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RMB26.733
/个 (每包:4个)
单位
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15 A | 1200 V | ±20V | - | 217 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
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RS 库存编号
796-5046
制造商零件编号GT15J341
品牌Toshiba
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RMB14.97
/个 (每包:5个)
单位
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15 A | 600 V | ±25V | - | 30 W | TO-220SIS | - | 通孔 | N | 3 | 100kHz | 单 | 10 x 4.5 x 15mm |
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RS 库存编号
145-9167
制造商零件编号IGW15N120H3FKSA1
品牌Infineon
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RMB23.803
毎管:30 个
单位
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15 A | 1200 V | ±20V | - | 217 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
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RS 库存编号
166-0895
制造商零件编号FP75R12KE3BOSA1
品牌Infineon
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RMB1,362.80
Each (In a Tray of 10)
单位
|
105 A | 1200 V | ±20V | - | 355 W | AG-ECONO3-3 | 3 相桥接 | 面板 | N | - | - | 3 相 | 122 x 62 x 17mm |
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RS 库存编号
165-5899
制造商零件编号FP15R12W1T4B3BOMA1
品牌Infineon
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RMB238.99
Each (In a Tray of 24)
单位
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28 A | 1200 V | ±20V | - | 130 W | EASY1B | 共集电极 | 印刷电路板 | N | 23 | 1MHz | 3 相 | 48 x 33.8 x 12mm |
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RS 库存编号
178-7564
制造商零件编号FGD3040G2-F085
品牌onsemi
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RMB8.594
个 (在毎卷:2500)
单位
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41 A | 300 V | ±10V | - | 150 W | DPAK (TO-252) | - | 表面贴装 | N | 3 | 1MHz | 单 | 6.73 x 6.22 x 2.39mm |
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RS 库存编号
165-6737
制造商零件编号IGW75N60TFKSA1
品牌Infineon
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RMB32.36
毎管:30 个
单位
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150 A | 600 V | ±20V | - | 428 W | TO-247 | - | 通孔 | - | 3 | - | 单 | 16.13 x 21.1 x 5.21mm |
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RS 库存编号
168-8808
制造商零件编号STGW30H60DFB
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RMB19.07
毎管:30 个
单位
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60 A | 600 V | ±20V | - | 260 W | TO-247 | - | 通孔 | N | 3 | - | 单 | 15.75 x 5.15 x 20.15mm |
IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。
IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。
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