JFET

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描述 价格 通道类型 Idss 漏-源切断电流 最大漏源电压 最大栅源电压 最大漏门电压 晶体管配置 配置 最大漏源电阻值 安装类型 封装类型 引脚数目 漏门导通电容值 源门导通电容值 尺寸
RS 库存编号 163-0037
制造商零件编号MMBFJ175LT1G
RMB0.834
个 (在毎卷:3000)
单位
P -7 → -60mA 15 V - -25V 125 Ω 表面贴装 SOT-23 3 11 pF @ 0 V 11 pF @ -10 V 3.04 x 1.4 x 1.01mm
RS 库存编号 864-7840
制造商零件编号MMBFJ175LT1G
RMB2.384
/个 (每包:25个)
单位
P -7 → -60mA 15 V - -25V 125 Ω 表面贴装 SOT-23 3 11 pF @ 0 V 11 pF @ -10 V 3.04 x 1.4 x 1.01mm
RS 库存编号 791-9403
制造商零件编号CPH6904-TL-E
RMB3.845
/个 (每包:10个)
单位
N 20 → 40mA 25 V - -25V 共源 - 表面贴装 CPH 6 6pF 2.3pF 2.9 x 1.6 x 0.9mm
RS 库存编号 162-9314
制造商零件编号CPH6904-TL-E
RMB1.984
个 (在毎卷:3000)
单位
N 20 → 40mA 25 V - -25V 共源 - 表面贴装 CPH 6 6pF 2.3pF 2.9 x 1.6 x 0.9mm
RS 库存编号 920-9928
制造商零件编号TF414T5G
RMB2.106
/个 (每包:50个)
单位
N 0.05 → 0.13mA 40 V - -40V - 表面贴装 SOT-883 3 0.7pF 0.3pF 1.07 x 0.67 x 0.41mm
RS 库存编号 166-3108
制造商零件编号MMBF4416A
RMB0.473
个 (在毎卷:3000)
单位
N 5 → 15mA 15 V -35 V 35V - 表面贴装 SOT-23 3 - - 2.9 x 1.3 x 1.04mm
RS 库存编号 163-0320
制造商零件编号TF414T5G
RMB0.652
个 (在毎卷:8000)
单位
N 0.05 → 0.13mA 40 V - -40V - 表面贴装 SOT-883 3 0.7pF 0.3pF 1.07 x 0.67 x 0.41mm
RS 库存编号 761-3688
制造商零件编号MMBFJ201
RMB1.813
/个 (每包:25个)
单位
N 0.3 → 1.5mA - -40 V 40V - 表面贴装 SOT-23 3 - - 2.92 x 1.3 x 0.93mm
RS 库存编号 166-1840
制造商零件编号MMBFJ201
RMB0.715
个 (在毎卷:3000)
单位
N 0.3 → 1.5mA - -40 V 40V - 表面贴装 SOT-23 3 - - 2.92 x 1.3 x 0.93mm
RS 库存编号 792-5161
制造商零件编号2SK3666-3-TB-E
RMB1.621
/个 (每包:50个)
单位
N 1.2 → 3mA 30 V - -30V 200 Ω 表面贴装 CP 3 4pF 1.1pF 2.9 x 1.5 x 1.1mm
RS 库存编号 145-4162
制造商零件编号2SK3666-3-TB-E
RMB0.544
个 (在毎卷:3000)
单位
N 1.2 → 3mA 30 V - -30V 200 Ω 表面贴装 CP 3 4pF 1.1pF 2.9 x 1.5 x 1.1mm
RS 库存编号 163-0319
制造商零件编号TF412ST5G
RMB0.62
个 (在毎卷:8000)
单位
N 1.2 → 3mA 30 V - -30V - 表面贴装 SOT-883 3 4pF 4pF 1.08 x 0.68 x 0.41mm
RS 库存编号 867-3287
制造商零件编号TF412ST5G
RMB2.267
/个 (每包:50个)
单位
N 1.2 → 3mA 30 V - -30V - 表面贴装 SOT-883 3 4pF 4pF 1.08 x 0.68 x 0.41mm
RS 库存编号 806-1741
制造商零件编号J107
RMB3.553
/个 (每包:20个)
单位
N 100mA - -25 V 25V 8 Ω 通孔 TO-92 3 160pF 160pF 5.2 x 4.19 x 5.33mm
RS 库存编号 170-3357
制造商零件编号MMBFJ310LT1G
RMB1.11
个 (在毎卷:3000)
单位
N 24 → 60mA 25 V +25 V - - 表面贴装 SOT-23 3 - - 2.9 x 1.3 x 0.94mm
RS 库存编号 166-2910
制造商零件编号J111
RMB0.53
个 (以毎袋:10000)
单位
N Min. 20mA - -35 V 35V 30 Ω 通孔 TO-92 3 28pF 28pF 5.2 x 4.19 x 5.33mm
RS 库存编号 625-5745
制造商零件编号MMBFJ310LT1G
RMB3.072
/个 (每包:5个)
单位
N 24 → 60mA 25 V +25 V - - 表面贴装 SOT-23 3 - - 2.9 x 1.3 x 0.94mm
RS 库存编号 792-5167
制造商零件编号2SK3557-7-TB-E
RMB2.494
/个 (每包:20个)
单位
N 16 → 32mA 15 V - -15V - 表面贴装 CP 3 10pF 2.9pF 2.9 x 1.5 x 1.1mm
RS 库存编号 806-1753
制造商零件编号J111
RMB1.879
/个 (每包:50个)
单位
N Min. 20mA - -35 V 35V 30 Ω 通孔 TO-92 3 28pF 28pF 5.2 x 4.19 x 5.33mm
RS 库存编号 163-2021
制造商零件编号2SK3557-7-TB-E
RMB0.999
个 (在毎卷:3000)
单位
N 16 → 32mA 15 V - -15V - 表面贴装 CP 3 10pF 2.9pF 2.9 x 1.5 x 1.1mm

JFET

<lt/>strong<gt/>JFET<lt/>/strong<gt/>JFET 是一种四端设备,接线端分别称为栅级、漏级、源级和体。体端始终连接至源级。JFET 可分为两种,即 N 沟道和 P 沟道。<lt/>strong<gt/>JFET 有哪些应用?<lt/>/strong<gt/>JFET 表示结型场效应晶体管。<lt/>strong<gt/>N 沟道 JFET 结构<lt/>/strong<gt/>N 沟道表示电子为多数载流子。如需形成 N 沟道,则以 N 型半导体作为主体,并在两端掺杂 P 型半导体。两个 P 区域电连接在一起,栅极形成欧姆接触。两个接线端子在相反端输出,成为漏极和源级。<lt/>strong<gt/>P 沟道 JFET 结构<lt/>/strong<gt/>P 沟道表示空穴为多数载流子。如需形成 P 沟道,则以 P 型半导体作为主体,并在两端掺杂 N 型半导体。两个 N 区域电连接在一起,栅极形成欧姆接触。两个接线端子在相反端输出,成为漏极和源级。<lt/>strong<gt/>特点和优势<lt/>/strong<gt/> 高输入阻抗 电压控制设备 输入和输出之间高度隔离 更低噪音<lt/>strong<gt/>它们还称为什么?<lt/>/strong<gt/>JUGFET<lt/>strong<gt/>JFET 晶体管有哪些应用?<lt/>/strong<gt/>JFET 晶体管在电子和通信领域有诸多应用。它可用作电控开关,以控制电源到负载的通电,还可用作放大器。<lt/>strong<gt/>JFET 和 BJT(双极结型晶体管)之间有哪些区别?<lt/>/strong<gt/>JFET 和 BJT 之间的主要差异在于,场效应晶体管仅为多数载流子流,而 BJT(双极结型晶体管)提供多数载流子流和少数载流子流。<lt/>strong<gt/>什么是半导体掺杂?<lt/>/strong<gt/>掺杂是指在本征半导体中添加杂质,以改变其电气性能的过程。将三价原子掺杂在硅中,使本征半导体成为 P 型半导体。将五价原子掺杂在硅中,使本征半导体成为 N 型半导体。