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    MOSFET

    MOSFET是什么?

    MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管,是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。

    MOSFET的分类

    • PMOSFET:箭头方向永远从P端指向N端,所以箭头从通道指向基极端的为P型的MOSFET,或简称PMOS(代表此元件的通道为P型)。
    • NMOSFET:若箭头从基极指向通道,则代表基极为P型,而通道为N型,此元件为N型的MOSFET,简称NMOS。
    • 增强型MOSFET:就像一个可变电阻器,比耗尽型MOSFET更常见。增强型MOSFET用于“常开型”的开关上。
    • 耗尽型MOSFET:就像一个闭合的开关一样工作。不施加电流时电流通过。如果施加负电压,电流将停止。耗尽型MOSFET最大的应用是在“常闭型”的开关。

    这样,MOSFET就有了4钟类型:P沟道增强型,P沟道耗尽型,N沟道增强型,N沟道耗尽型。

    MOSFET的工作原理

    MOSFET封装上的引脚为源极、栅极和漏极。当在栅极和源极端子之间施加电压时,电流可从漏极流至源极。当施加到栅极的电压发生变化时,从漏极到源极的电阻也将发生变化。施加的电压越低,电阻越大。随着电压升高,从漏极到源极的电阻减小。

    RS 欧时为您提供了不同品牌的MOSFET,如InfineonVishayON SemiconductorDiodesZetexSTMicroelectronics等多款不同规格、型号的产品供您挑选,从而满足不同的应用场景需求。

    欢迎查看和订购RS的MOSFET及相关产品,订购现货24小时内发货,线上下单满额免运费。

    18016 产品显示为 MOSFET

    个 (以每管装提供)
    RMB24.495
    STMicroelectronics
    N
    120 A
    100 V
    TO-220
    10.5 mΩ
    STripFET II
    通孔
    3
    -20 V、+20 V
    增强
    4V
    2V
    312000 mW
    -
    172 nC @ 10 V
    4.6mm
    Si
    +175 °C
    1
    10.4mm
    • RS 库存编号 145-5555
    • 制造商零件编号 MTP3055VL
    每管:50 个
    RMB6.154
    onsemi
    N
    12 A
    60 V
    TO-220
    180 mΩ
    -
    通孔
    3
    -15 V、+15 V
    增强
    -
    1V
    48 W
    -
    7.8 nC @ 5 V
    4.83mm
    Si
    +175 °C
    1
    10.67mm
    • RS 库存编号 277-050
    • 制造商零件编号 NXH008P120M3F1PTG
    RMB1,002.63
    onsemi
    N
    145 A
    1200V
    PIM18
    -
    NXH
    卡入式
    18
    -
    增强
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    SiC
    -
    -
    -
    RMB125.42
    STMicroelectronics
    N
    45 A
    650 V
    HiP247
    0.045 Ω
    SCTW35
    通孔
    3
    -
    增强
    5V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    SiC
    -
    1
    -
    RMB18.39
    Infineon
    N
    11 A
    800 V
    TO-220
    450 mΩ
    CoolMOS™ C3
    通孔
    3
    -20 V、+20 V
    增强
    3.9V
    2.1V
    41 W
    -
    64 nC @ 10 V
    4.85mm
    Si
    +150 °C
    1
    10.65mm
    RMB113.05
    Littelfuse
    N
    220 A
    200 V
    TO-247
    0.0055 Ω
    X4
    通孔
    3
    -
    增强
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    -
    个 (以每管装提供)
    RMB24.33
    onsemi
    P
    30 A
    60 V
    TO-220F
    26 mΩ
    QFET
    通孔
    3
    -25 V、+25 V
    增强
    -
    2V
    62000 mW
    -
    84 nC @ 10 V
    4.7mm
    Si
    +175 °C
    1
    10.16mm
    RMB9.03
    Infineon
    N
    18 A
    200 V
    TO-220AB
    150 mΩ
    HEXFET
    通孔
    3
    -20 V、+20 V
    增强
    4V
    2V
    150 W
    -
    67 nC @ 10 V
    4.83mm
    Si
    +175 °C
    1
    10.67mm
    RMB26.40
    onsemi
    N
    8 A
    150 V
    TO-220AB
    16 mΩ
    PowerTrench
    通孔
    3
    -20 V、+20 V
    增强
    -
    2V
    310000 mW
    -
    82 nC @ 10 V
    4.83mm
    Si
    +175 °C
    1
    10.67mm
    • RS 库存编号 688-9124P
    • 制造商零件编号 NTD20P06LT4G
    个 (以每卷装提供)
    RMB4.68
    onsemi
    P
    15.5 A
    60 V
    DPAK (TO-252)
    150 mΩ
    -
    贴片
    3
    -20 V、+20 V
    增强
    2V
    -
    65000 mW
    -
    15 nC @ 5 V
    6.22mm
    Si
    +175 °C
    1
    6.73mm
    个 (以每卷装提供)
    RMB7.862
    STMicroelectronics
    P
    60 A
    40 V
    PowerFLAT 5 x 6
    19 mΩ
    STripFET
    贴片
    8
    -20 V、+20 V
    增强
    -
    1V
    100 W
    -
    34 nC @ 4.5 V
    5.4mm
    Si
    +175 °C
    1
    6.35mm
    每管:50 个
    RMB14.747
    onsemi
    P
    30 A
    60 V
    TO-220F
    26 mΩ
    QFET
    通孔
    3
    -25 V、+25 V
    增强
    -
    2V
    62 W
    -
    84 nC @ 10 V
    4.7mm
    Si
    +175 °C
    1
    10.16mm
    • RS 库存编号 103-5069
    • 制造商零件编号 NTF2955T1G
    个(每带 1000 )
    RMB4.113
    onsemi
    P
    2.6 A
    60 V
    SOT-223
    185 mΩ
    -
    贴片
    3
    -20 V、+20 V
    增强
    4V
    -
    2.3 W
    -
    14.3 nC @ 10 V
    3.5mm
    Si
    +175 °C
    1
    6.5mm
    个(每托盘 3 )
    RMB19.56
    onsemi
    N
    76 A
    80 V
    PQFN8
    5 mΩ
    PowerTrench
    贴片
    8
    -20 V、+20 V
    增强
    -
    2.5V
    125 W
    -
    72 nC @ 10 V
    5.85mm
    Si
    +150 °C
    1
    5.1mm
    每管:50 个
    RMB9.18
    onsemi
    P
    27 A
    60 V
    TO-220AB
    70 mΩ
    QFET
    通孔
    3
    -25 V、+25 V
    增强
    4V
    2V
    120 W
    -
    33 nC @ 10 V
    4.7mm
    Si
    +175 °C
    1
    10.1mm
    RMB11.05
    onsemi
    N
    61 A
    200 V
    TO-220AB
    41 mΩ
    UniFET
    通孔
    3
    -30 V、+30 V
    增强
    -
    3V
    417 W
    -
    58 nC @ 10 V
    4.83mm
    Si
    +150 °C
    1
    10.67mm
    个(每托盘 10 )
    RMB8.221
    onsemi
    N
    17 A
    60 V
    DPAK (TO-252)
    40 mΩ
    NVD5C688NL-D
    贴片
    3
    ±16 V
    增强
    2.1V
    1.2V
    18 W
    -
    7 nC @ 10 V
    6.22mm
    -
    +175 °C
    1
    6.73mm
    个(每托盘 10 )
    RMB6.427
    onsemi
    N
    35 A
    55 V
    TO-220AB
    34 mΩ
    UltraFET
    通孔
    3
    -20 V、+20 V
    增强
    -
    2V
    93 W
    -
    36 nC @ 20 V
    4.7mm
    Si
    +175 °C
    1
    10.67mm
    • RS 库存编号 166-2856
    • 制造商零件编号 2N7002KW
    个(每带 3000 )
    RMB0.502
    onsemi
    N
    300 mA
    60 V
    SOT-323
    4.8 Ω
    -
    贴片
    3
    -20 V、+20 V
    增强
    -
    1.1V
    350 mW
    -
    -
    1.3mm
    Si
    +150 °C
    1
    2.92mm
    • RS 库存编号 248-5818P
    • 制造商零件编号 NTHL025N065SC1
    个 (以每管装提供)
    RMB113.05
    onsemi
    N
    99 A
    650 V
    TO-247
    -
    -
    通孔
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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