MOSFET

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描述 价格 通道类型 最大连续漏极电流 最大漏源电压 封装类型 最大漏源电阻值 安装类型 引脚数目 最大栅源电压 通道模式 最大栅阈值电压 最小栅阈值电压 最大功率耗散 晶体管配置 类别
RS 库存编号 170-3033
制造商零件编号MDP1932TH
品牌MagnaChip
RMB10.28
毎管:50 个
单位
N 175 A 80 V TO-220 3.4 mΩ 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 4V - 209 W -
RS 库存编号 759-9655
制造商零件编号FDN86246
RMB5.78
/个 (每包:5个)
单位
N 1.6 A 150 V SOT-23 481 mΩ 表面贴装 3 -20 V、+20 V 增强 - 2V 1.5 W -
RS 库存编号 166-2695
制造商零件编号FDN86246
RMB2.716
个 (在毎卷:3000)
单位
N 1.6 A 150 V SOT-23 481 mΩ 表面贴装 3 -20 V、+20 V 增强 - 2V 1.5 W -
RS 库存编号 168-6002
制造商零件编号IRFR7440TRPBF
品牌Infineon
RMB3.625
个 (在毎卷:2000)
单位
N 180 A 40 V DPAK (TO-252) 2.4 mΩ 表面贴装 3 -20 V、+20 V 增强 3.9V 2.2V 140 W - -
RS 库存编号 130-0989
制造商零件编号IRFR7440TRPBF
品牌Infineon
RMB7.864
/个 (每包:5个)
单位
N 180 A 40 V DPAK (TO-252) 2.4 mΩ 表面贴装 3 -20 V、+20 V 增强 3.9V 2.2V 140 W - -
RS 库存编号 162-8554
制造商零件编号CSD18532KCS
品牌德州仪器
RMB12.455
毎管:50 个
单位
N 169 A 60 V TO-220 5.3 mΩ 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 2.2V 1.5V 250 W -
RS 库存编号 820-8867
制造商零件编号IRFS7530TRL7PP
品牌Infineon
RMB21.26
/个 (每包:2个)
单位
N 240 A 60 V D2PAK (TO-263) 1.4 mΩ 表面贴装 7 -20 V、+20 V 增强 3.7V 2.1V 375 W -
RS 库存编号 872-4170
制造商零件编号IRFH7085TRPBF
品牌Infineon
RMB7.133
/个 (每包:10个)
单位
N 147 A 60 V PQFN 3.2 mΩ 表面贴装 8 -20 V、+20 V 增强 3.7V 2.1V 156 W -
RS 库存编号 165-5340
制造商零件编号IRFH7085TRPBF
品牌Infineon
RMB4.778
个 (在毎卷:4000)
单位
N 147 A 60 V PQFN 3.2 mΩ 表面贴装 8 -20 V、+20 V 增强 3.7V 2.1V 156 W -
RS 库存编号 827-6274
制造商零件编号TK7P60W,RVQ(S
品牌Toshiba
RMB4.843
/个 (每包:8个)
单位
N 7 A 600 V DPAK (TO-252) 600 mΩ 表面贴装 3 -30 V、+30 V 增强 3.7V - 60 W -
RS 库存编号 162-9833
制造商零件编号MDU1511RH
品牌MagnaChip
RMB2.796
个 (在毎卷:3000)
单位
N 100 A 30 V PowerDFN56 3.5 mΩ 表面贴装 8 -20 V、+20 V 增强 2.7V - 78.1 W -
RS 库存编号 173-2850
制造商零件编号TK7P60W,RVQ(S
品牌Toshiba
RMB4.298
个 (在毎卷:2000)
单位
N 7 A 600 V DPAK (TO-252) 600 mΩ 表面贴装 3 -30 V、+30 V 增强 3.7V - 60 W -
RS 库存编号 799-5214
制造商零件编号TK7P60W,RVQ(S
品牌Toshiba
RMB5.50
/个 (每包:5个)
单位
N 7 A 600 V DPAK (TO-252) 600 mΩ 表面贴装 3 -30 V、+30 V 增强 3.7V - 60 W -
RS 库存编号 178-0835
制造商零件编号IRF840APBF
品牌Vishay
RMB9.316
毎管:50 个
单位
- - - - - - - - - - - - - -
RS 库存编号 542-9440
制造商零件编号IRF840APBF
品牌Vishay
RMB11.36
单位
N 8 A 500 V TO-220AB 850 mΩ 通孔 3 -30 V、+30 V 增强 - 2V 125 W -
RS 库存编号 485-7715
制造商零件编号STP55NF06
RMB7.464
/个 (每包:5个)
单位
N 50 A 60 V TO-220 18 mΩ 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 4V 2V 110 W -
RS 库存编号 920-8789
制造商零件编号STP55NF06
RMB6.344
毎管:50 个
单位
N 50 A 60 V TO-220 18 mΩ 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 4V 2V 110 W -
RS 库存编号 436-7379
制造商零件编号2N7002,215
品牌Nexperia
RMB0.979
/个 (每包:25个)
单位
N 300 mA 60 V SOT-23 (TO-236AB) 5 Ω 表面贴装 3 -30 V、+30 V 增强 2.5V 1V 830 mW -
RS 库存编号 103-8398
制造商零件编号2N7002,215
品牌Nexperia
RMB0.218
个 (在毎卷:3000)
单位
N 300 mA 60 V SOT-23 (TO-236AB) 5 Ω 表面贴装 3 -30 V、+30 V 增强 2.5V 1V 830 mW -
RS 库存编号 162-9720
制造商零件编号CAS120M12BM2
品牌Wolfspeed
RMB2,631.074
个 (以毎盒:10)
单位
N 193 A 1200 V 半桥 30 mΩ 面板安装 7 -10 V, +25 V 增强 2.6V 1.8V 925 W 串行 -

MOSFET

MOSFET 也称为 MOSFET 晶体管,表示"金属氧化物半导体场效应晶体管"。MOSFET 是由电容器控制的晶体管设备。"场效应"代表设备受电压控制。MOSFET 的作用是控制从源极到漏极端子的电流。它的作用与开关非常相似,可用于切换或放大电子信号。


这些半导体设备是安装在印刷电路板上的 IC(集成电路)。MOSFET 有多种标准封装类型,如 DPAK、D2PAK、DFN、I2PAK、SOIC、SOT-223 和 TO-220。


什么是耗尽型和增强型模式?


MOSFET 晶体管具有两种模式:耗尽型和增强型。
耗尽型 MOSFET 的工作原理与封闭式开关相似。当没有施加电流时,电流通过。当施加负电压时,电流停止流动。
增强型 MOSFET 类似于可变电阻器,通常比耗尽型 MOSFET 应用更广泛。它们可分为 N 沟道或 P 通道类型。


MOSFET 是如何工作的?


MOSFET 封装上的引脚是源极、栅极和漏极。当在栅极和源极端子之间施加电压时,电流可以从漏极流至源极引脚。当施加到栅极的电压发生变化时,从漏极到源极的电阻也会发生变化。施加的电压越低,电阻越高。随着电压增大,从漏极到源极的电阻减小。
功率 MOSFET 与标准 MOSFET 类似,但适用于处理更高的功率。


N 沟道对比P 沟道 MOSFET


MOSFET 由 P 型或 N 型掺杂硅制成。


  • N 沟道 MOSFET 包含可自由移动的附加电子。这种沟道类型的应用更为广泛。在栅极接线端子上施加正电荷时,N 沟道 MOSFET 发挥作用。


  • P 沟道 MOSFET 基板包含电子和电子空穴。P 沟道 MOSFET 连接到正电压。当栅极接线端子的供电电压低于源电压时,这些 MOSFET 打开。

MOSFET 有哪些用途?


MOSFET 可用于许多应用中,例如微处理器和其他存储器组件。MOSFET 晶体管最常用作电路中的电压控制开关。



是否在寻找 MOSFET 驱动器?