最近搜索

    MOSFET

    MOSFET是什么？

    MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。

    MOSFET的分类

    • PMOSFET：箭头方向永远从P端指向N端，所以箭头从通道指向基极端的为P型的MOSFET，或简称PMOS（代表此元件的通道为P型）。
    • NMOSFET：若箭头从基极指向通道，则代表基极为P型，而通道为N型，此元件为N型的MOSFET，简称NMOS。
    • 增强型MOSFET：就像一个可变电阻器，比耗尽型MOSFET更常见。增强型MOSFET用于“常开型”的开关上。
    • 耗尽型MOSFET：就像一个闭合的开关一样工作。不施加电流时电流通过。如果施加负电压，电流将停止。耗尽型MOSFET最大的应用是在“常闭型”的开关。

    这样，MOSFET就有了4钟类型：P沟道增强型，P沟道耗尽型，N沟道增强型，N沟道耗尽型。

    MOSFET的工作原理

    MOSFET封装上的引脚为源极、栅极和漏极。当在栅极和源极端子之间施加电压时，电流可从漏极流至源极。当施加到栅极的电压发生变化时，从漏极到源极的电阻也将发生变化。施加的电压越低，电阻越大。随着电压升高，从漏极到源极的电阻减小。

    RS 欧时为您提供了不同品牌的MOSFET，如Infineon、Vishay、ON Semiconductor、DiodesZetex、STMicroelectronics等多款不同规格、型号的产品供您挑选，从而满足不同的应用场景需求。

    欢迎查看和订购RS的MOSFET及相关产品，订购现货24小时内发货，线上下单满额免运费。

    1 / 4
    77 产品
    已选择条件 (1)
    品牌移除
    Texas Instruments
    移除所有

    Broadcom (2)

    DiodesZetex (1105)

    Infineon (4572)

    International Rectifier (4)

    IXYS (247)

    Littelfuse (16)

    Microchip (133)

    Nexperia (541)

    onsemi (1658)

    Renesas Electronics (11)

    ROHM (707)

    Semelab (6)

    Semikron Danfoss (16)

    STMicroelectronics (1065)

    Taiwan Semiconductor (58)

    Texas Instruments (77)

    Toshiba (132)

    Vishay (1874)

    Vishay Siliconix (47)

    Wolfspeed (57)

    N (67)

    P (10)

    Select a Range

    1.5 A (2)

    2.1 A (2)

    2.3 A (2)

    2.9 A (4)

    3 A (4)

    3.1 A (2)

    3.5 A (2)

    –3.6 A (2)

    5 A (4)

    8 A (2)

    12 A (2)

    14 A (6)

    20 A (2)

    50 A (2)

    73 A (2)

    75 A (2)

    76 A (2)

    100 A (11)

    104 A (2)

    110 A (2)

    134 A (2)

    157 A (2)

    200 A (6)

    204 A (2)

    259 A (2)

    272 A (2)

    273 A (2)

    Select a Range

    –12 V (2)

    12 V (6)

    –20 V (2)

    20 V (8)

    25 V (6)

    30 V (16)

    40 V (4)

    60 V (10)

    80 V (4)

    100 V (17)

    52 A (2)

    Select a Range

    D2PAK (TO-263) (2)

    DDPAK/ TO-263 (4)

    DSBGA (2)

    D²PAK (2)

    PICOSTAR (14)

    Picostar YSE 6 (2)

    TO-220 (5)

    VSON-CLIP (10)

    VSONP (16)

    Vsonp (14)

    WSON (6)

    Select a Range

    2.8 mΩ (4)

    3.2 mΩ (2)

    3.3 mΩ (2)

    3.8 mΩ (2)

    4.8 mΩ (2)

    5.8 mΩ (2)

    7.8 mΩ (2)

    8.5 mΩ (2)

    9.8 mΩ (2)

    10.8 mΩ (2)

    17.3 mΩ (2)

    34 mΩ (2)

    150 mΩ (2)

    250 mΩ (2)

    1.2e+006 Ω (1)

    1.28e+008 Ω (1)

    2.3e+006 Ω (1)

    2.39e+006 Ω (1)

    2.9e+006 Ω (1)

    6.4e+006 Ω (1)

    8.9e+006 Ω (1)

    12 万 Ω (1)

    2300000 Ω (1)

    2390000 Ω (1)

    2900000 Ω (1)

    6400000 Ω (1)

    8900000 Ω (1)

    20 MΩ (1)

    128000000 Ω (1)

    1.51e+007 o (2)

    FemtoFET (2)

    NexFET (45)

    贴片 (70)

    通孔 (5)

    3 (11)

    6 (4)

    8 (36)

    -20 V、+20 V (21)

    -12 V、+12 V (4)

    -8 V，+10 V (6)

    增强 (51)

    Select a Range

    0.55V (2)

    0.65V (4)

    1.1V (4)

    1.15V (2)

    1.4V (2)

    1.5V (2)

    1.55V (2)

    1.6V (2)

    1.8V (2)

    2.2V (2)

    2.3V (4)

    2.4V (6)

    2.7V (2)

    3.2V (4)

    3.3V (4)

    0.65V (4)

    0.9V (6)

    1.5V (8)

    1.7V (2)

    2.1V (4)

    2.2V (4)

    Select a Range

    500 mW (2)

    2.3 W (2)

    3 W (2)

    3.1 W (6)

    3.2 W (3)

    96 W (2)

    118 W (1)

    125 W (2)

    195 W (2)

    375 W (6)

    3.2 瓦 (3)

    单 (31)

    Select a Range

    1.04 nC @ 4.5 V (2)

    2 nC @ 4.5 V (2)

    4 nC @ 4.5 V (2)

    7.7 nC @ 4.5 V (2)

    10.8 nc @ 4.5 v (2)

    14 nC @ 4.5 V (4)

    15 nC @ 10 V (2)

    17.1 nC @ 0 V (1)

    18 nC @ 4.5 V (2)

    25 nC @ 4.5 V (2)

    37 nC @ 10 V (2)

    118 nC @ 0 V (2)

    118 nC @ 10 V (2)

    120 nC @ 10 V (2)

    130 nC @ 10 V (2)

    0.64mm (2)

    2mm (2)

    3.4mm (2)

    4.7mm (5)

    5mm (12)

    5.1mm (6)

    9.65mm (2)

    Si (43)

    硅 (2)

    +150 °C (24)

    +175 °C (7)

    1 (51)

    1.04mm (2)

    2mm (2)

    3.4mm (2)

    5.8mm (10)

    6.1mm (8)

    10.67mm (7)

    77 产品
    单价（不含税）
    品牌
    通道类型
    最大连续漏极电流
    最大漏源电压
    封装类型
    最大漏源电阻值
    系列
    安装类型
    引脚数目
    最大栅源电压
    通道模式
    最大栅阈值电压
    最小栅阈值电压
    最大功率耗散
    晶体管配置
    类别
    典型栅极电荷@Vgs
    宽度
    晶体管材料
    最高工作温度
    每片芯片元件数目
    长度
    产品详述
    单价（不含税）
    品牌
    通道类型
    最大连续漏极电流
    最大漏源电压
    封装类型
    最大漏源电阻值
    系列
    安装类型
    引脚数目
    最大栅源电压
    通道模式
    最大栅阈值电压
    最小栅阈值电压
    最大功率耗散
    晶体管配置
    类别
    典型栅极电荷@Vgs
    宽度
    晶体管材料
    最高工作温度
    每片芯片元件数目
    长度
    Texas Instruments N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 100 A, VSONP, 贴片安装, 8引脚, NexFET系列
    • RS 库存编号 162-8556
    • 制造商零件编号 CSD18533Q5A
    个（每带 2500 ）
    RMB4.963
    Texas Instruments
    N
    100 A
    60 V
    VSONP
    8.5 mΩ
    NexFET
    贴片
    8
    -20 V、+20 V
    增强
    2.3V
    1.5V
    3.2 W
    单
    -
    14 nC @ 4.5 V
    5mm
    Si
    +150 °C
    1
    5.8mm
    Texas Instruments N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 100 A, VSONP, 贴片安装, 8引脚, NexFET系列
    • RS 库存编号 827-4892
    • 制造商零件编号 CSD18533Q5A
    个（每托盘 5 ）
    RMB9.812
    Texas Instruments
    N
    100 A
    60 V
    VSONP
    8.5 mΩ
    NexFET
    贴片
    8
    -20 V、+20 V
    增强
    2.3V
    1.5V
    3.2 瓦
    单
    -
    14 nC @ 4.5 V
    5mm
    Si
    +150 °C
    1
    5.8mm
    Texas Instruments N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 75 A, VSONP, 贴片安装, 8引脚, NexFET系列
    • RS 库存编号 921-3066
    • 制造商零件编号 CSD18504Q5A
    个（每带 2500 ）
    RMB4.963
    Texas Instruments
    N
    75 A
    40 V
    VSONP
    9.8 mΩ
    NexFET
    贴片
    8
    -20 V、+20 V
    增强
    2.4V
    1.5V
    3.1 W
    单
    -
    7.7 nC @ 4.5 V
    5mm
    Si
    +150 °C
    1
    5.8mm
    Texas Instruments N沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 273 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, NexFET系列
    • RS 库存编号 162-8558
    • 制造商零件编号 CSD19506KCS
    每管：50 个
    RMB24.581
    Texas Instruments
    N
    273 A
    80 V
    TO-220
    2.8 mΩ
    NexFET
    通孔
    3
    -20 V、+20 V
    增强
    3.2V
    2.1V
    375 W
    单
    -
    120 nC @ 10 V
    4.7mm
    Si
    +175 °C
    1
    10.67mm
    Texas Instruments N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 259 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, NexFET系列
    • RS 库存编号 827-4919
    • 制造商零件编号 CSD19536KCS
    个（每托盘 2 ）
    RMB32.165
    Texas Instruments
    N
    259 A
    100 V
    TO-220
    3.2 mΩ
    NexFET
    通孔
    3
    -20 V、+20 V
    增强
    3.2V
    2.1V
    375 W
    单
    -
    118 nC @ 10 V
    4.7mm
    Si
    +175 °C
    1
    10.67mm
    Texas Instruments N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 272 A, D2PAK (TO-263), 贴片安装, 3引脚, NexFET系列
    • RS 库存编号 900-9857
    • 制造商零件编号 CSD19536KTTT
    个
    RMB43.03
    Texas Instruments
    N
    272 A
    100 V
    D2PAK (TO-263)
    2.8 mΩ
    NexFET
    贴片
    3
    -20 V、+20 V
    增强
    -
    -
    375 W
    单
    -
    118 nC @ 0 V
    9.65mm
    Si
    +175 °C
    1
    10.67mm
    Texas Instruments N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 272 A, D2PAK (TO-263), 贴片安装, 3引脚, NexFET系列
    • RS 库存编号 162-9739
    • 制造商零件编号 CSD19536KTTT
    个（每带 50 ）
    RMB35.952
    Texas Instruments
    N
    272 A
    100 V
    D2PAK (TO-263)
    2.8 mΩ
    NexFET
    贴片
    3
    -20 V、+20 V
    增强
    -
    -
    375 W
    单
    -
    118 nC @ 0 V
    9.65mm
    Si
    +175 °C
    1
    10.67mm
    Texas Instruments N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 75 A, VSONP, 贴片安装, 8引脚, NexFET系列
    • RS 库存编号 827-4883
    • 制造商零件编号 CSD18504Q5A
    个（每托盘 5 ）
    RMB8.572
    Texas Instruments
    N
    75 A
    40 V
    VSONP
    9.8 mΩ
    NexFET
    贴片
    8
    -20 V、+20 V
    增强
    2.4V
    1.5V
    3.1 W
    单
    -
    7.7 nC @ 4.5 V
    5mm
    Si
    +150 °C
    1
    5.8mm
    Texas Instruments N沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 273 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, NexFET系列
    • RS 库存编号 827-4903
    • 制造商零件编号 CSD19506KCS
    个
    RMB28.07
    Texas Instruments
    N
    273 A
    80 V
    TO-220
    2.8 mΩ
    NexFET
    通孔
    3
    -20 V、+20 V
    增强
    3.2V
    2.1V
    375 W
    单
    -
    120 nC @ 10 V
    4.7mm
    Si
    +175 °C
    1
    10.67mm
    Texas Instruments N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 259 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, NexFET系列
    • RS 库存编号 121-9764
    • 制造商零件编号 CSD19536KCS
    每管：50 个
    RMB24.581
    Texas Instruments
    N
    259 A
    100 V
    TO-220
    3.2 mΩ
    NexFET
    通孔
    3
    -20 V、+20 V
    增强
    3.2V
    2.1V
    375 W
    单
    -
    118 nC @ 10 V
    4.7mm
    Si
    +175 °C
    1
    10.67mm
    Texas Instruments N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 134 A, VSONP, 贴片安装, 8引脚, NexFET系列
    • RS 库存编号 827-4886
    • 制造商零件编号 CSD18531Q5A
    个（每托盘 5 ）
    RMB11.462
    Texas Instruments
    N
    134 A
    60 V
    VSONP
    5.8 mΩ
    NexFET
    贴片
    8
    -20 V、+20 V
    增强
    2.3V
    1.5V
    3.1 W
    单
    -
    18 nC @ 4.5 V
    5mm
    Si
    +150 °C
    1
    5.8mm
    Texas Instruments N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 100 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, NexFET系列
    • RS 库存编号 900-9964
    • 制造商零件编号 CSD19534KCS
    个（每托盘 5 ）
    RMB10.39
    Texas Instruments
    N
    100 A
    100 V
    TO-220
    20 MΩ
    NexFET
    通孔
    3
    -20 V、+20 V
    增强
    -
    -
    118 W
    单
    -
    17.1 nC @ 0 V
    4.7mm
    Si
    +175 °C
    1
    10.67mm
    Texas Instruments N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 134 A, VSONP, 贴片安装, 8引脚, NexFET系列
    • RS 库存编号 162-8553
    • 制造商零件编号 CSD18531Q5A
    个（每带 2500 ）
    RMB6.779
    Texas Instruments
    N
    134 A
    60 V
    VSONP
    5.8 mΩ
    NexFET
    贴片
    8
    -20 V、+20 V
    增强
    2.3V
    1.5V
    3.1 W
    单
    -
    18 nC @ 4.5 V
    5mm
    Si
    +150 °C
    1
    5.8mm
    Texas Instruments N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 204 A, VSON-CLIP, 贴片安装, 8引脚, NexFET系列
    • RS 库存编号 162-8551
    • 制造商零件编号 CSD18502Q5B
    个（每带 2500 ）
    RMB12.832
    Texas Instruments
    N
    204 A
    40 V
    VSON-CLIP
    3.3 mΩ
    NexFET
    贴片
    8
    -20 V、+20 V
    增强
    2.2V
    1.5V
    3.2 W
    单
    -
    25 nC @ 4.5 V
    5.1mm
    Si
    +150 °C
    1
    6.1mm
    Texas Instruments N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 204 A, VSON-CLIP, 贴片安装, 8引脚, NexFET系列
    • RS 库存编号 827-4870
    • 制造商零件编号 CSD18502Q5B
    个（每托盘 5 ）
    RMB16.70
    Texas Instruments
    N
    204 A
    40 V
    VSON-CLIP
    3.3 mΩ
    NexFET
    贴片
    8
    -20 V、+20 V
    增强
    2.2V
    1.5V
    3.2 瓦
    单
    -
    25 nC @ 4.5 V
    5.1mm
    Si
    +150 °C
    1
    6.1mm
    Texas Instruments N沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 157 A, VSON-CLIP, 贴片安装, 8引脚, NexFET系列
    • RS 库存编号 133-0154
    • 制造商零件编号 CSD19502Q5BT
    个（每托盘 2 ）
    RMB15.615
    Texas Instruments
    N
    157 A
    80 V
    VSON-CLIP
    4.8 mΩ
    NexFET
    贴片
    8
    -20 V、+20 V
    增强
    3.3V
    2.2V
    195 W
    单
    -
    130 nC @ 10 V
    5.1mm
    -
    +150 °C
    1
    6.1mm
    Texas Instruments P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 104 A, VSON-CLIP, 贴片安装, 8引脚, NexFET系列
    • RS 库存编号 168-4942
    • 制造商零件编号 CSD25404Q3T
    个（每带 250 ）
    RMB6.048
    Texas Instruments
    P
    104 A
    20 V
    VSON-CLIP
    150 mΩ
    NexFET
    贴片
    8
    -12 V、+12 V
    增强
    1.15V
    0.65V
    96 W
    单
    -
    10.8 nc @ 4.5 v
    3.4mm
    -
    +150 °C
    1
    3.4mm
    Texas Instruments N沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 157 A, VSON-CLIP, 贴片安装, 8引脚, NexFET系列
    • RS 库存编号 168-4940
    • 制造商零件编号 CSD19502Q5BT
    个（每带 250 ）
    RMB14.887
    Texas Instruments
    N
    157 A
    80 V
    VSON-CLIP
    4.8 mΩ
    NexFET
    贴片
    8
    -20 V、+20 V
    增强
    3.3V
    2.2V
    195 W
    单
    -
    130 nC @ 10 V
    5.1mm
    -
    +150 °C
    1
    6.1mm
    Texas Instruments N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 100 A, VSONP, 贴片安装, 8引脚, NexFET系列
    • RS 库存编号 827-4909
    • 制造商零件编号 CSD18563Q5A
    个（每托盘 5 ）
    RMB10.562
    Texas Instruments
    N
    100 A
    60 V
    VSONP
    10.8 mΩ
    NexFET
    贴片
    8
    -20 V、+20 V
    增强
    2.4V
    1.7V
    3.2 瓦
    单
    -
    15 nC @ 10 V
    5mm
    Si
    +150 °C
    1
    5.8mm
    Texas Instruments N沟道增强型MOS管, Vds=25 V, 100 A, VSON-CLIP, 贴片安装, 8引脚, NexFET系列
    • RS 库存编号 162-8526
    • 制造商零件编号 CSD16321Q5
    个（每带 2500 ）
    RMB8.232
    Texas Instruments
    N
    100 A
    25 V
    VSON-CLIP
    3.8 mΩ
    NexFET
    贴片
    8
    -8 V，+10 V
    增强
    1.4V
    0.9V
    3.1 W
    单
    -
    14 nC @ 4.5 V
    5.1mm
    Si
    +150 °C
    1
    6.1mm
    每页结果数
    1
    2
    3
    4