MOSFET
MOSFET是什么?
MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管,是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。
MOSFET的分类
- PMOSFET:箭头方向永远从P端指向N端,所以箭头从通道指向基极端的为P型的MOSFET,或简称PMOS(代表此元件的通道为P型)。
- NMOSFET:若箭头从基极指向通道,则代表基极为P型,而通道为N型,此元件为N型的MOSFET,简称NMOS。
- 增强型MOSFET:就像一个可变电阻器,比耗尽型MOSFET更常见。增强型MOSFET用于“常开型”的开关上。
- 耗尽型MOSFET:就像一个闭合的开关一样工作。不施加电流时电流通过。如果施加负电压,电流将停止。耗尽型MOSFET最大的应用是在“常闭型”的开关。
这样,MOSFET就有了4钟类型:P沟道增强型,P沟道耗尽型,N沟道增强型,N沟道耗尽型。
MOSFET的工作原理
MOSFET封装上的引脚为源极、栅极和漏极。当在栅极和源极端子之间施加电压时,电流可从漏极流至源极。当施加到栅极的电压发生变化时,从漏极到源极的电阻也将发生变化。施加的电压越低,电阻越大。随着电压升高,从漏极到源极的电阻减小。
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1660 产品
1660 产品
比较 产品详述 单价(不含税) | 品牌 | 通道类型 | 最大连续漏极电流 | 最大漏源电压 | 封装类型 | 最大漏源电阻值 | 系列 | 安装类型 | 引脚数目 | 最大栅源电压 | 通道模式 | 最大栅阈值电压 | 最小栅阈值电压 | 最大功率耗散 | 晶体管配置 | 类别 | 典型栅极电荷@Vgs | 宽度 | 晶体管材料 | 最高工作温度 | 每片芯片元件数目 | 长度 |
---|
个(每带 3000 ) RMB4.692 | onsemi | N | 1.6 A | 150 V | SOT-23 | 481 mΩ | PowerTrench | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | - | 2V | 1.5 W | 单 | - | 2.9 nC @ 10 V | 2.92mm | Si | +150 °C | 1 | 1.4mm |
个(每托盘 5 ) RMB10.02 | onsemi | N | 1.6 A | 150 V | SOT-23 | 481 mΩ | PowerTrench | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | - | 2V | 1.5 W | 单 | - | 2.9 nC @ 10 V | 2.92mm | Si | +150 °C | 1 | 1.4mm |
个(每托盘 5 ) RMB3.862 | onsemi | N | 20 A | 60 V | DPAK (TO-252) | 50 mΩ | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 2.5V | - | 36 W | 单 | - | 15 nC @ 10 V | 6.22mm | Si | +150 °C | 1 | 6.73mm |
个(每托盘 10 ) RMB1.773 | onsemi | N | 200 mA | 60 V | TO-92 | 5 Ω | - | 通孔 | 3 | -30 V、+30 V | 增强 | - | 0.3V | 400 mW | 单 | - | - | 4.19mm | Si | +150 °C | 1 | 5.2mm |
个(每带 10000 ) RMB1.005 | onsemi | N | 200 mA | 60 V | TO-92 | 5 Ω | - | 通孔 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | - | 0.8V | 400 mW | 单 | - | - | 4.19mm | Si | +150 °C | 1 | 5.2mm |
个(每托盘 10 ) RMB0.832 | onsemi | N | 170 mA | 100 V | SOT-23 | 6 Ω | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 2.8V | - | 225 mW | 单 | - | - | 1.3mm | Si | +150 °C | 1 | 2.9mm |
个(每托盘 20 ) RMB2.769 | onsemi | N | 200 mA | 60 V | TO-92 | 5 Ω | - | 通孔 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | - | 0.8V | 400 mW | 单 | - | - | 4.19mm | Si | +150 °C | 1 | 5.2mm |
个(每带 2000 ) RMB0.692 | onsemi | N | 200 mA | 60 V | TO-92 | 5 Ω | - | 通孔 | 3 | -30 V、+30 V | 增强 | - | 0.3V | 400 mW | 单 | - | - | 4.19mm | Si | +150 °C | 1 | 5.2mm |
个(每托盘 100 ) RMB0.939 | onsemi | N | 200 mA | 60 V | TO-92 | 9 Ω | - | 通孔 | 3 | -40 V、+40 V | 增强 | - | 0.8V | 400 mW | 单 | - | - | 4.19mm | Si | +150 °C | 1 | 5.2mm |
个(每带 3000 ) RMB0.325 | onsemi | N | 170 mA | 100 V | SOT-23 | 6 Ω | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 2.8V | - | 225 mW | 单 | - | - | 1.3mm | Si | +150 °C | 1 | 2.9mm |
个(每带 3000 ) RMB0.35 | onsemi | N | 200 mA | 50 V | SOT-23 | 3.5 Ω | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 1.5V | - | 225 mW | 单 | - | - | 1.3mm | Si | +150 °C | 1 | 2.9mm |
个(每带 2500 ) RMB2.145 | onsemi | P | 5.3 A | 30 V | SOIC | 50 mΩ | PowerTrench | 贴片 | 8 | -25 V、+25 V | 增强 | - | 1V | 2.5 W | 单 | - | 10 nC @ 10 V | 4mm | Si | +175 °C | 1 | 5mm |
个(每托盘 200 ) RMB0.487 | onsemi | N | 115 mA | 60 V | SOT-23 | 7.5 Ω | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 2.5V | - | 300 mW | 单 | - | - | 1.4mm | Si | +150 °C | 1 | 3.04mm |
个(每托盘 50 ) RMB0.919 | onsemi | N | 115 mA | 60 V | SOT-23 | 7.5 Ω | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 2.5V | - | 300 mW | 单 | - | - | 1.3mm | Si | +150 °C | 1 | 2.9mm |
个(每带 10000 ) RMB0.245 | onsemi | N | 115 mA | 60 V | SOT-23 | 7.5 Ω | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 2.5V | - | 300 mW | 单 | - | - | 1.4mm | Si | +150 °C | 1 | 3.04mm |
个(每带 10000 ) RMB0.329 | onsemi | N | 200 mA | 50 V | SOT-23 | 3.5. Ω | BSS138L | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 1.5V | 0.5V | 225 mW | 单 | - | - | 1.3mm | Si | +150 °C | 1 | 2.9mm |
个(每托盘 10 ) RMB3.718 | onsemi | P | 5.3 A | 30 V | SOIC | 50 mΩ | PowerTrench | 贴片 | 8 | -25 V、+25 V | 增强 | - | 1V | 2500 mW | 单 | - | 10 nC @ 10 V | 4mm | Si | +175 °C | 1 | 5mm |
个(每托盘 25 ) RMB1.719 | onsemi | N | 200 mA | 50 V | SOT-23 | 3.5 Ω | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 1.5V | - | 225 mW | 单 | - | - | 1.3mm | Si | +150 °C | 1 | 2.9mm |
个(每托盘 25 ) RMB0.588 | onsemi | N | 200 mA | 50 V | SOT-23 | 3.5 Ω | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 1.5V | 0.5V | 225 mW | 单 | - | - | 1.3mm | Si | +150 °C | 1 | 2.9mm |
个(每带 3000 ) RMB0.245 | onsemi | N | 115 mA | 60 V | SOT-23 | 7.5 Ω | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 2.5V | - | 300 mW | 单 | - | - | 1.3mm | Si | +150 °C | 1 | 2.9mm |