MOSFET
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筛选条件
显示 1 - 17 个产品，共 17 个
| 描述 | 价格 | 通道类型 | 最大连续漏极电流 | 最大漏源电压 | 封装类型 | 最大漏源电阻值 | 系列 | 安装类型 | 引脚数目 | 最大栅源电压 | 通道模式 | 最大栅阈值电压 | 最小栅阈值电压 | 最大功率耗散 | 晶体管配置 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RS 库存编号
162-8556
制造商零件编号CSD18533Q5A
品牌德州仪器
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RMB5.155
个 (在毎卷：2500)
单位
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N | 100 A | 60 V | VSONP | 8.5 mΩ | NexFET | 贴片 | 8 | -20 V、+20 V | 增强 | 2.3V | 1.5V | 3.2 W | 单 |
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RS 库存编号
162-8558
制造商零件编号CSD19506KCS
品牌德州仪器
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RMB27.155
毎管：50 个
单位
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N | 273 A | 80 V | TO-220 | 2.8 mΩ | NexFET | 通孔 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 3.2V | 2.1V | 375 W | 单 |
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RS 库存编号
121-9764
制造商零件编号CSD19536KCS
品牌德州仪器
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RMB26.402
毎管：50 个
单位
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N | 259 A | 100 V | TO-220 | 3.2 mΩ | NexFET | 通孔 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 3.2V | 2.1V | 375 W | 单 |
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RS 库存编号
162-9739
制造商零件编号CSD19536KTTT
品牌德州仪器
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RMB34.063
个 (在毎卷：50)
单位
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N | 272 A | 100 V | D2PAK (TO-263) | 2.8 mΩ | NexFET | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | - | - | 375 W | 单 |
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RS 库存编号
921-3066
制造商零件编号CSD18504Q5A
品牌德州仪器
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RMB4.595
个 (在毎卷：2500)
单位
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N | 75 A | 40 V | VSONP | 9.8 mΩ | NexFET | 贴片 | 8 | -20 V、+20 V | 增强 | 2.4V | 1.5V | 3.1 W | 单 |
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RS 库存编号
162-8553
制造商零件编号CSD18531Q5A
品牌德州仪器
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RMB6.948
个 (在毎卷：2500)
单位
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N | 134 A | 60 V | VSONP | 5.8 mΩ | NexFET | 贴片 | 8 | -20 V、+20 V | 增强 | 2.3V | 1.5V | 3.1 W | 单 |
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RS 库存编号
145-1334
制造商零件编号CSD19534KCS
品牌德州仪器
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RMB8.96
毎管：50 个
单位
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N | 100 A | 100 V | TO-220 | 20 MΩ | NexFET | 通孔 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | - | - | 118 W | 单 |
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RS 库存编号
827-4886
制造商零件编号CSD18531Q5A
品牌德州仪器
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RMB13.474
/个 (每包:5个)
单位
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N | 134 A | 60 V | VSONP | 5.8 mΩ | NexFET | 贴片 | 8 | -20 V、+20 V | 增强 | 2.3V | 1.5V | 3.1 W | 单 |
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RS 库存编号
162-8551
制造商零件编号CSD18502Q5B
品牌德州仪器
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RMB11.879
个 (在毎卷：2500)
单位
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N | 204 A | 40 V | VSON-CLIP | 3.3 mΩ | NexFET | 贴片 | 8 | -20 V、+20 V | 增强 | 2.2V | 1.5V | 3.2 W | 单 |
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RS 库存编号
162-8526
制造商零件编号CSD16321Q5
品牌德州仪器
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RMB7.621
个 (在毎卷：2500)
单位
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N | 100 A | 25 V | VSON-CLIP | 3.8 mΩ | NexFET | 贴片 | 8 | -8 V，+10 V | 增强 | 1.4V | 0.9V | 3.1 W | 单 |
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RS 库存编号
168-4942
制造商零件编号CSD25404Q3T
品牌德州仪器
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RMB5.569
个 (在毎卷：250)
单位
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P | 104 A | 20 V | VSON-CLIP | 150 mΩ | NexFET | 贴片 | 8 | -12 V、+12 V | 增强 | 1.15V | 0.65V | 96 W | 单 |
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RS 库存编号
168-4940
制造商零件编号CSD19502Q5BT
品牌德州仪器
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RMB13.785
个 (在毎卷：250)
单位
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N | 157 A | 80 V | VSON-CLIP | 4.8 mΩ | NexFET | 贴片 | 8 | -20 V、+20 V | 增强 | 3.3V | 2.2V | 195 W | 单 |
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RS 库存编号
168-4377
制造商零件编号CSD18563Q5A
品牌德州仪器
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RMB5.267
个 (在毎卷：2500)
单位
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N | 100 A | 60 V | VSONP | 10.8 mΩ | NexFET | 贴片 | 8 | -20 V、+20 V | 增强 | 2.4V | 1.7V | 3.2 W | 单 |
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RS 库存编号
162-8525
制造商零件编号CSD16301Q2
品牌德州仪器
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RMB1.569
个 (在毎卷：3000)
单位
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N | 5 A | 25 V | WSON | 34 mΩ | NexFET | 贴片 | 6 | -8 V，+10 V | 增强 | 1.55V | 0.9V | 2.3 W | 单 |
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RS 库存编号
162-8540
制造商零件编号CSD17307Q5A
品牌德州仪器
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RMB2.914
个 (在毎卷：2500)
单位
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N | 73 A | 30 V | VSONP | 17.3 mΩ | NexFET | 贴片 | 8 | -8 V，+10 V | 增强 | 1.8V | 0.9V | 3 W | 单 |
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RS 库存编号
162-8145
制造商零件编号CSD19531Q5AT
品牌德州仪器
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RMB10.092
个 (在毎卷：250)
单位
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N | 110 A | 100 V | VSONP | 7.8 mΩ | NexFET | 贴片 | 8 | -20 V、+20 V | 增强 | 3.3V | 2.2V | 125 W | 单 |
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RS 库存编号
168-4358
制造商零件编号CSD17381F4T
品牌德州仪器
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RMB3.625
个 (在毎卷：250)
单位
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N | 3.1 A | 30 V | PICOSTAR | 250 mΩ | FemtoFET | 贴片 | 3 | -12 V、+12 V | 增强 | 1.1V | 0.65V | 500 mW | 单 |
MOSFET
MOSFET是什么？
MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。
MOSFET的分类
- PMOSFET：箭头方向永远从P端指向N端，所以箭头从通道指向基极端的为P型的MOSFET，或简称PMOS（代表此元件的通道为P型）。
- NMOSFET：若箭头从基极指向通道，则代表基极为P型，而通道为N型，此元件为N型的MOSFET，简称NMOS。
- 增强型MOSFET：就像一个可变电阻器，比耗尽型MOSFET更常见。增强型MOSFET用于“常开型”的开关上。
- 耗尽型MOSFET：就像一个闭合的开关一样工作。不施加电流时电流通过。如果施加负电压，电流将停止。耗尽型MOSFET最大的应用是在“常闭型”的开关。
这样，MOSFET就有了4钟类型：P沟道增强型，P沟道耗尽型，N沟道增强型，N沟道耗尽型。
MOSFET的工作原理
MOSFET封装上的引脚为源极、栅极和漏极。当在栅极和源极端子之间施加电压时，电流可从漏极流至源极。当施加到栅极的电压发生变化时，从漏极到源极的电阻也将发生变化。施加的电压越低，电阻越大。随着电压升高，从漏极到源极的电阻减小。
RS 欧时为您提供了不同品牌的MOSFET，如Infineon、Vishay、ON Semiconductor、DiodesZetex、STMicroelectronics等多款不同规格、型号的产品供您挑选，从而满足不同的应用场景需求。
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