MOSFET

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描述 价格 通道类型 最大连续漏极电流 最大漏源电压 封装类型 最大漏源电阻值 系列 安装类型 引脚数目 最大栅源电压 通道模式 最大栅阈值电压 最小栅阈值电压 最大功率耗散 晶体管配置
RS 库存编号 485-7715
制造商零件编号STP55NF06
RMB9.292
/个 (每包:5个)
单位
N 50 A 60 V TO-220 18 mΩ - 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 4V 2V 110 W
RS 库存编号 920-8789
制造商零件编号STP55NF06
RMB8.824
毎管:50 个
单位
N 50 A 60 V TO-220 18 mΩ - 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 4V 2V 110 W
RS 库存编号 103-2012
制造商零件编号STH3N150-2
RMB27.538
个 (在毎卷:1000)
单位
N 2.5 A 1500 V H2PAK-2 9 Ω - 贴片 3 -30 V、+30 V 增强 5V 3V 140 W
RS 库存编号 792-5861
制造商零件编号STH3N150-2
RMB39.875
/个 (每包:2个)
单位
N 2.5 A 1500 V H2PAK-2 9 Ω - 贴片 3 -30 V、+30 V 增强 5V 3V 140 W
RS 库存编号 917-3356
制造商零件编号SD2931-10W
RMB522.48
单位
N 20 A 125 V M174 - - 贴片 4 -20 V、+20 V 增强 - - 389 W
RS 库存编号 178-1388
制造商零件编号SD2931-10W
RMB735.369
Each (In a Tray of 25)
单位
N 20 A 125 V M174 - - 贴片 4 -20 V、+20 V 增强 - - 389 W
RS 库存编号 876-5685
制造商零件编号STL42P6LLF6
RMB9.928
/个 (每包:10个)
单位
P 42 A 60 V PowerFLAT 5 x 6 34 mΩ - 贴片 8 -20 V、+20 V 增强 2.5V 1V 100 W
RS 库存编号 178-7402
制造商零件编号STL42P6LLF6
RMB7.886
个 (在毎卷:3000)
单位
P 42 A 60 V PowerFLAT 5 x 6 34 mΩ - 贴片 8 -20 V、+20 V 增强 2.5V 1V 100 W
RS 库存编号 907-4741
制造商零件编号SCT30N120
RMB169.29
单位
N 45 A 1200 V HiP247 100 mΩ - 通孔 3 -10 V, +25 V 增强 - - 270 W
RS 库存编号 168-8966
制造商零件编号SCT30N120
RMB159.751
毎管:30 个
单位
N 45 A 1200 V HiP247 100 mΩ - 通孔 3 -10 V, +25 V 增强 - - 270 W
RS 库存编号 920-6591
制造商零件编号STN1HNK60
RMB3.201
个 (在毎卷:4000)
单位
N 400 mA 600 V SOT-223 8.5 Ω - 贴片 3 -30 V、+30 V 增强 3.7V 2.25V 3.3 W
RS 库存编号 687-5131
制造商零件编号STN1HNK60
RMB7.054
/个 (每包:10个)
单位
N 400 mA 600 V SOT-223 8.5 Ω - 贴片 3 -30 V、+30 V 增强 3.7V 2.25V 3.3 W
RS 库存编号 791-9298
制造商零件编号STD25NF20
RMB13.192
Each (On a Tape of 5)
单位
N 18 A 200 V DPAK (TO-252) 125 mΩ - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 4V 2V 110 W
RS 库存编号 165-6596
制造商零件编号STD25NF20
RMB10.685
个 (在毎卷:2500)
单位
N 18 A 200 V DPAK (TO-252) 125 mΩ - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 4V 2V 110 W
RS 库存编号 168-8842
制造商零件编号STW56N60M2
RMB54.716
毎管:30 个
单位
N 52 A 650 V TO-247 55 mΩ - 通孔 3 -25 V、+25 V 增强 4V 2V 350 W
RS 库存编号 920-8761
制造商零件编号STP20NF06L
RMB7.458
毎管:50 个
单位
N 20 A 60 V TO-220 85 mΩ - 通孔 3 -18 V、+18 V 增强 - - 60 W
RS 库存编号 876-5720
制造商零件编号STW56N60M2
RMB55.14
单位
N 52 A 650 V TO-247 55 mΩ - 通孔 3 -25 V、+25 V 增强 4V 2V 350 W
RS 库存编号 168-8065
制造商零件编号STP15N95K5
RMB25.205
毎管:50 个
单位
N 12 A 950 V TO-220 500 MΩ - 通孔 3 -30 V、+30 V 增强 5V 3V 170 W
RS 库存编号 168-7024
制造商零件编号STP25N80K5
RMB30.831
毎管:50 个
单位
N 19.5 A 800 V TO-220 260 mΩ - 通孔 3 -30 V、+30 V 增强 5V 3V 250 W
RS 库存编号 791-7826
制造商零件编号STP25N80K5
RMB30.83
/个 (每包:5个)
单位
N 19.5 A 800 V TO-220 260 mΩ - 通孔 3 -30 V、+30 V 增强 5V 3V 250 W

MOSFET

MOSFET是什么?

MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管,是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。

MOSFET的分类

  • PMOSFET:箭头方向永远从P端指向N端,所以箭头从通道指向基极端的为P型的MOSFET,或简称PMOS(代表此元件的通道为P型)。
  • NMOSFET:若箭头从基极指向通道,则代表基极为P型,而通道为N型,此元件为N型的MOSFET,简称NMOS。
  • 增强型MOSFET:就像一个可变电阻器,比耗尽型MOSFET更常见。增强型MOSFET用于“常开型”的开关上。
  • 耗尽型MOSFET:就像一个闭合的开关一样工作。不施加电流时电流通过。如果施加负电压,电流将停止。耗尽型MOSFET最大的应用是在“常闭型”的开关。

这样,MOSFET就有了4钟类型:P沟道增强型,P沟道耗尽型,N沟道增强型,N沟道耗尽型。

MOSFET的工作原理

MOSFET封装上的引脚为源极、栅极和漏极。当在栅极和源极端子之间施加电压时,电流可从漏极流至源极。当施加到栅极的电压发生变化时,从漏极到源极的电阻也将发生变化。施加的电压越低,电阻越大。随着电压升高,从漏极到源极的电阻减小。

RS 欧时为您提供了不同品牌的MOSFET,如InfineonVishayON SemiconductorDiodesZetexSTMicroelectronics等多款不同规格、型号的产品供您挑选,从而满足不同的应用场景需求。

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