描述 | 价格 | 通道类型 | 最大连续漏极电流 | 最大漏源电压 | 封装类型 | 最大漏源电阻值 | 系列 | 安装类型 | 引脚数目 | 最大栅源电压 | 通道模式 | 最大栅阈值电压 | 最小栅阈值电压 | 最大功率耗散 | 晶体管配置 | |
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RS 库存编号
485-7715
制造商零件编号STP55NF06
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RMB9.292
/个 (每包:5个)
单位
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N | 50 A | 60 V | TO-220 | 18 mΩ | - | 通孔 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 4V | 2V | 110 W | 单 |
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RS 库存编号
920-8789
制造商零件编号STP55NF06
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RMB8.824
毎管:50 个
单位
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N | 50 A | 60 V | TO-220 | 18 mΩ | - | 通孔 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 4V | 2V | 110 W | 单 |
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RS 库存编号
103-2012
制造商零件编号STH3N150-2
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RMB27.538
个 (在毎卷:1000)
单位
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N | 2.5 A | 1500 V | H2PAK-2 | 9 Ω | - | 贴片 | 3 | -30 V、+30 V | 增强 | 5V | 3V | 140 W | 单 |
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RS 库存编号
792-5861
制造商零件编号STH3N150-2
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RMB39.875
/个 (每包:2个)
单位
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N | 2.5 A | 1500 V | H2PAK-2 | 9 Ω | - | 贴片 | 3 | -30 V、+30 V | 增强 | 5V | 3V | 140 W | 单 |
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RS 库存编号
917-3356
制造商零件编号SD2931-10W
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RMB522.48
个
单位
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N | 20 A | 125 V | M174 | - | - | 贴片 | 4 | -20 V、+20 V | 增强 | - | - | 389 W | 单 |
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RS 库存编号
178-1388
制造商零件编号SD2931-10W
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RMB735.369
Each (In a Tray of 25)
单位
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N | 20 A | 125 V | M174 | - | - | 贴片 | 4 | -20 V、+20 V | 增强 | - | - | 389 W | 单 |
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RS 库存编号
876-5685
制造商零件编号STL42P6LLF6
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RMB9.928
/个 (每包:10个)
单位
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P | 42 A | 60 V | PowerFLAT 5 x 6 | 34 mΩ | - | 贴片 | 8 | -20 V、+20 V | 增强 | 2.5V | 1V | 100 W | 单 |
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RS 库存编号
178-7402
制造商零件编号STL42P6LLF6
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RMB7.886
个 (在毎卷:3000)
单位
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P | 42 A | 60 V | PowerFLAT 5 x 6 | 34 mΩ | - | 贴片 | 8 | -20 V、+20 V | 增强 | 2.5V | 1V | 100 W | 单 |
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RS 库存编号
907-4741
制造商零件编号SCT30N120
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RMB169.29
个
单位
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N | 45 A | 1200 V | HiP247 | 100 mΩ | - | 通孔 | 3 | -10 V, +25 V | 增强 | - | - | 270 W | 单 |
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RS 库存编号
168-8966
制造商零件编号SCT30N120
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RMB159.751
毎管:30 个
单位
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N | 45 A | 1200 V | HiP247 | 100 mΩ | - | 通孔 | 3 | -10 V, +25 V | 增强 | - | - | 270 W | 单 |
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RS 库存编号
920-6591
制造商零件编号STN1HNK60
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RMB3.201
个 (在毎卷:4000)
单位
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N | 400 mA | 600 V | SOT-223 | 8.5 Ω | - | 贴片 | 3 | -30 V、+30 V | 增强 | 3.7V | 2.25V | 3.3 W | 单 |
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RS 库存编号
687-5131
制造商零件编号STN1HNK60
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RMB7.054
/个 (每包:10个)
单位
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N | 400 mA | 600 V | SOT-223 | 8.5 Ω | - | 贴片 | 3 | -30 V、+30 V | 增强 | 3.7V | 2.25V | 3.3 W | 单 |
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RS 库存编号
791-9298
制造商零件编号STD25NF20
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RMB13.192
Each (On a Tape of 5)
单位
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N | 18 A | 200 V | DPAK (TO-252) | 125 mΩ | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 4V | 2V | 110 W | 单 |
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RS 库存编号
165-6596
制造商零件编号STD25NF20
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RMB10.685
个 (在毎卷:2500)
单位
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N | 18 A | 200 V | DPAK (TO-252) | 125 mΩ | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 4V | 2V | 110 W | 单 |
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RS 库存编号
168-8842
制造商零件编号STW56N60M2
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RMB54.716
毎管:30 个
单位
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N | 52 A | 650 V | TO-247 | 55 mΩ | - | 通孔 | 3 | -25 V、+25 V | 增强 | 4V | 2V | 350 W | 单 |
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RS 库存编号
920-8761
制造商零件编号STP20NF06L
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RMB7.458
毎管:50 个
单位
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N | 20 A | 60 V | TO-220 | 85 mΩ | - | 通孔 | 3 | -18 V、+18 V | 增强 | - | - | 60 W | 单 |
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RS 库存编号
876-5720
制造商零件编号STW56N60M2
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RMB55.14
个
单位
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N | 52 A | 650 V | TO-247 | 55 mΩ | - | 通孔 | 3 | -25 V、+25 V | 增强 | 4V | 2V | 350 W | 单 |
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RS 库存编号
168-8065
制造商零件编号STP15N95K5
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RMB25.205
毎管:50 个
单位
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N | 12 A | 950 V | TO-220 | 500 MΩ | - | 通孔 | 3 | -30 V、+30 V | 增强 | 5V | 3V | 170 W | 单 |
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RS 库存编号
168-7024
制造商零件编号STP25N80K5
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RMB30.831
毎管:50 个
单位
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N | 19.5 A | 800 V | TO-220 | 260 mΩ | - | 通孔 | 3 | -30 V、+30 V | 增强 | 5V | 3V | 250 W | 单 |
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RS 库存编号
791-7826
制造商零件编号STP25N80K5
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RMB30.83
/个 (每包:5个)
单位
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N | 19.5 A | 800 V | TO-220 | 260 mΩ | - | 通孔 | 3 | -30 V、+30 V | 增强 | 5V | 3V | 250 W | 单 |
MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管,是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。
这样,MOSFET就有了4钟类型:P沟道增强型,P沟道耗尽型,N沟道增强型,N沟道耗尽型。
MOSFET封装上的引脚为源极、栅极和漏极。当在栅极和源极端子之间施加电压时,电流可从漏极流至源极。当施加到栅极的电压发生变化时,从漏极到源极的电阻也将发生变化。施加的电压越低,电阻越大。随着电压升高,从漏极到源极的电阻减小。
RS 欧时为您提供了不同品牌的MOSFET,如Infineon、Vishay、ON Semiconductor、DiodesZetex、STMicroelectronics等多款不同规格、型号的产品供您挑选,从而满足不同的应用场景需求。
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