MOSFET

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描述 价格 通道类型 最大连续漏极电流 最大漏源电压 封装类型 最大漏源电阻值 安装类型 引脚数目 最大栅源电压 通道模式 最大栅阈值电压 最小栅阈值电压 最大功率耗散 晶体管配置 类别
RS 库存编号 485-7715
制造商零件编号STP55NF06
RMB7.464
/个 (每包:5个)
单位
N 50 A 60 V TO-220 18 mΩ 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 4V 2V 110 W -
RS 库存编号 920-8789
制造商零件编号STP55NF06
RMB6.344
毎管:50 个
单位
N 50 A 60 V TO-220 18 mΩ 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 4V 2V 110 W -
RS 库存编号 103-2012
制造商零件编号STH3N150-2
RMB23.427
个 (在毎卷:1000)
单位
N 2.5 A 1500 V H2PAK-2 9 Ω 表面贴装 3 -30 V、+30 V 增强 5V 3V 140 W -
RS 库存编号 792-5861
制造商零件编号STH3N150-2
RMB15.485
/个 (每包:2个)
单位
N 2.5 A 1500 V H2PAK-2 9 Ω 表面贴装 3 -30 V、+30 V 增强 5V 3V 140 W -
RS 库存编号 178-1388
制造商零件编号SD2931-10W
RMB442.556
Each (In a Tray of 25)
单位
N 20 A 125 V M174 - 表面贴装 4 -20 V、+20 V 增强 - - 389 W -
RS 库存编号 917-3356
制造商零件编号SD2931-10W
RMB472.08
单位
N 20 A 125 V M174 - 表面贴装 4 -20 V、+20 V 增强 - - 389 W -
RS 库存编号 876-5685
制造商零件编号STL42P6LLF6
RMB7.797
/个 (每包:10个)
单位
P 42 A 60 V PowerFLAT 34 mΩ 表面贴装 8 -20 V、+20 V 增强 2.5V 1V 100 W -
RS 库存编号 178-7402
制造商零件编号STL42P6LLF6
RMB4.047
个 (在毎卷:3000)
单位
P 42 A 60 V PowerFLAT 34 mΩ 表面贴装 8 -20 V、+20 V 增强 2.5V 1V 100 W -
RS 库存编号 168-8966
制造商零件编号SCT30N120
RMB195.483
毎管:30 个
单位
N 45 A 1200 V Hip247 100 mΩ 通孔 3 -10 V, +25 V 增强 - - 270 W -
RS 库存编号 907-4741
制造商零件编号SCT30N120
RMB203.98
单位
N 45 A 1200 V Hip247 100 mΩ 通孔 3 -10 V, +25 V 增强 - - 270 W -
RS 库存编号 165-8085
制造商零件编号STL130N6F7
RMB5.549
个 (在毎卷:3000)
单位
N 130 A 60 V PowerFLAT 3 mΩ 表面贴装 8 -20 V、+20 V 增强 - - 125 W -
RS 库存编号 920-6591
制造商零件编号STN1HNK60
RMB2.239
个 (在毎卷:4000)
单位
N 400 mA 600 V SOT-223 8.5 Ω 表面贴装 3 + Tab -30 V、+30 V 增强 3.7V 2.25V 3.3 W -
RS 库存编号 906-4674
制造商零件编号STL130N6F7
RMB12.45
/个 (每包:5个)
单位
N 130 A 60 V PowerFLAT 3 mΩ 表面贴装 8 -20 V、+20 V 增强 - - 125 W -
RS 库存编号 687-5131
制造商零件编号STN1HNK60
RMB4.715
/个 (每包:10个)
单位
N 400 mA 600 V SOT-223 8.5 Ω 表面贴装 3 + Tab -30 V、+30 V 增强 3.7V 2.25V 3.3 W -
RS 库存编号 791-9298
制造商零件编号STD25NF20
RMB7.95
Each (On a Tape of 5)
单位
N 18 A 200 V DPAK (TO-252) 125 mΩ 表面贴装 3 -20 V、+20 V 增强 4V 2V 110 W -
RS 库存编号 165-6596
制造商零件编号STD25NF20
RMB7.366
个 (在毎卷:2500)
单位
N 18 A 200 V DPAK (TO-252) 125 mΩ 表面贴装 3 -20 V、+20 V 增强 4V 2V 110 W -
RS 库存编号 714-6784
制造商零件编号STP20NF06L
RMB6.654
/个 (每包:10个)
单位
N 20 A 60 V TO-220 70 mΩ 通孔 3 -18 V、+18 V 增强 4V 2V 60 W -
RS 库存编号 920-8761
制造商零件编号STP20NF06L
RMB3.164
毎管:50 个
单位
N 20 A 60 V TO-220 85 mΩ 通孔 3 -18 V、+18 V 增强 - - 60 W -
RS 库存编号 168-8842
制造商零件编号STW56N60M2
RMB37.985
毎管:30 个
单位
N 52 A 650 V TO-247 55 mΩ 通孔 3 -25 V、+25 V 增强 4V 2V 350 W -
RS 库存编号 876-5720
制造商零件编号STW56N60M2
RMB44.06
单位
N 52 A 650 V TO-247 55 mΩ 通孔 3 -25 V、+25 V 增强 4V 2V 350 W -

MOSFET

MOSFET 也称为 MOSFET 晶体管,表示"金属氧化物半导体场效应晶体管"。MOSFET 是由电容器控制的晶体管设备。"场效应"代表设备受电压控制。MOSFET 的作用是控制从源极到漏极端子的电流。它的作用与开关非常相似,可用于切换或放大电子信号。


这些半导体设备是安装在印刷电路板上的 IC(集成电路)。MOSFET 有多种标准封装类型,如 DPAK、D2PAK、DFN、I2PAK、SOIC、SOT-223 和 TO-220。


什么是耗尽型和增强型模式?


MOSFET 晶体管具有两种模式:耗尽型和增强型。
耗尽型 MOSFET 的工作原理与封闭式开关相似。当没有施加电流时,电流通过。当施加负电压时,电流停止流动。
增强型 MOSFET 类似于可变电阻器,通常比耗尽型 MOSFET 应用更广泛。它们可分为 N 沟道或 P 通道类型。


MOSFET 是如何工作的?


MOSFET 封装上的引脚是源极、栅极和漏极。当在栅极和源极端子之间施加电压时,电流可以从漏极流至源极引脚。当施加到栅极的电压发生变化时,从漏极到源极的电阻也会发生变化。施加的电压越低,电阻越高。随着电压增大,从漏极到源极的电阻减小。
功率 MOSFET 与标准 MOSFET 类似,但适用于处理更高的功率。


N 沟道对比P 沟道 MOSFET


MOSFET 由 P 型或 N 型掺杂硅制成。


  • N 沟道 MOSFET 包含可自由移动的附加电子。这种沟道类型的应用更为广泛。在栅极接线端子上施加正电荷时,N 沟道 MOSFET 发挥作用。


  • P 沟道 MOSFET 基板包含电子和电子空穴。P 沟道 MOSFET 连接到正电压。当栅极接线端子的供电电压低于源电压时,这些 MOSFET 打开。

MOSFET 有哪些用途?


MOSFET 可用于许多应用中,例如微处理器和其他存储器组件。MOSFET 晶体管最常用作电路中的电压控制开关。



是否在寻找 MOSFET 驱动器?