MOSFET

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描述 价格 通道类型 最大连续漏极电流 最大漏源电压 封装类型 最大漏源电阻值 系列 安装类型 引脚数目 最大栅源电压 通道模式 最大栅阈值电压 最小栅阈值电压 最大功率耗散 晶体管配置
RS 库存编号 263-0246
制造商零件编号ISL6144IRZA
RMB45.076
毎管:60 个
单位
N 8 A 12 V QFN - - 贴片 - - - - - - -
RS 库存编号 234-7157
制造商零件编号RJK0656DPB-00#J5
RMB18.02
/个 (每包:5个)
单位
N 40 A 60 V LFPAK,SOT-669 0.0056 Ω - 贴片 4 - 增强 2.5V - - -
RS 库存编号 261-5961
制造商零件编号2SK1317-E
RMB46.10
单位
N 7 A 1500 V SC-65 12 Ω 2SK1317 - 3 - 增强 4V - - -
RS 库存编号 234-7062
制造商零件编号2SK1835-E
RMB63.48
单位
N 4 A 1500 V TO-3PN 4.6 Ω - 通孔 3 - 增强 - - - -
RS 库存编号 263-0247
制造商零件编号ISL6144IRZA
RMB52.26
单位
N 8 A 12 V QFN - - 贴片 - - - - - - -
RS 库存编号 234-7156
制造商零件编号RJK0656DPB-00#J5
RMB15.015
个 (在毎卷:2500)
单位
N 40 A 60 V LFPAK,SOT-669 0.0056 Ω - 贴片 4 - 增强 2.5V - - -
RS 库存编号 261-5960
制造商零件编号2SK1317-E
RMB32.764
毎管:30 个
单位
N 7 A 1500 V SC-65 12 Ω 2SK1317 - 3 - 增强 4V - - -
RS 库存编号 234-7061
制造商零件编号2SK1835-E
RMB45.281
毎管:30 个
单位
N 4 A 1500 V TO-3PN 4.6 Ω - 通孔 3 - 增强 - - - -
RS 库存编号 264-1239
制造商零件编号NP100P06PDG-E1-AY
RMB35.50
/个 (每包:2个)
单位
P 100 A 60 V - - - 贴片 - - - - - - -
RS 库存编号 234-7155
制造商零件编号RJK0651DPB-00#J5
RMB11.70
/个 (每包:5个)
单位
N 25 A 60 V LFPAK,SOT-669 0.014 Ω - 贴片 4 - 增强 2.5V - - -
RS 库存编号 264-1238
制造商零件编号NP100P06PDG-E1-AY
RMB19.481
毎管:800 个
单位
P 100 A 60 V - - - 贴片 - - - - - - -
RS 库存编号 234-7154
制造商零件编号RJK0651DPB-00#J5
RMB6.032
个 (在毎卷:2500)
单位
N 25 A 60 V LFPAK,SOT-669 0.014 Ω - 贴片 4 - 增强 2.5V - - -
RS 库存编号 234-7153
制造商零件编号RJK0391DPA-00#J5A
RMB12.542
/个 (每包:5个)
单位
N 50 A 30 V WPAK 0.0029 Ω BEAM 贴片 8 - 增强 2.5V - - -
RS 库存编号 234-7152
制造商零件编号RJK0391DPA-00#J5A
RMB10.473
个 (在毎卷:3000)
单位
N 50 A 30 V WPAK 0.0029 Ω BEAM 贴片 8 - 增强 2.5V - - -

MOSFET

MOSFET是什么?

MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管,是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。

MOSFET的分类

  • PMOSFET:箭头方向永远从P端指向N端,所以箭头从通道指向基极端的为P型的MOSFET,或简称PMOS(代表此元件的通道为P型)。
  • NMOSFET:若箭头从基极指向通道,则代表基极为P型,而通道为N型,此元件为N型的MOSFET,简称NMOS。
  • 增强型MOSFET:就像一个可变电阻器,比耗尽型MOSFET更常见。增强型MOSFET用于“常开型”的开关上。
  • 耗尽型MOSFET:就像一个闭合的开关一样工作。不施加电流时电流通过。如果施加负电压,电流将停止。耗尽型MOSFET最大的应用是在“常闭型”的开关。

这样,MOSFET就有了4钟类型:P沟道增强型,P沟道耗尽型,N沟道增强型,N沟道耗尽型。

MOSFET的工作原理

MOSFET封装上的引脚为源极、栅极和漏极。当在栅极和源极端子之间施加电压时,电流可从漏极流至源极。当施加到栅极的电压发生变化时,从漏极到源极的电阻也将发生变化。施加的电压越低,电阻越大。随着电压升高,从漏极到源极的电阻减小。

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