MOSFET

筛选条件

显示 1 - 20 个产品,共 4282 个
每页显示搜索结果
描述 价格 通道类型 最大连续漏极电流 最大漏源电压 封装类型 最大漏源电阻值 系列 安装类型 引脚数目 最大栅源电压 通道模式 最大栅阈值电压 最小栅阈值电压 最大功率耗散 晶体管配置
RS 库存编号 168-6002
制造商零件编号IRFR7440TRPBF
品牌Infineon
RMB4.515
个 (在毎卷:2000)
单位
N 180 A 40 V DPAK (TO-252) 2.4 mΩ - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 3.9V 2.2V 140 W -
RS 库存编号 130-0989
制造商零件编号IRFR7440TRPBF
品牌Infineon
RMB9.422
/个 (每包:5个)
单位
N 180 A 40 V DPAK (TO-252) 2.4 mΩ - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 3.9V 2.2V 140 W -
RS 库存编号 820-8867
制造商零件编号IRFS7530TRL7PP
品牌Infineon
RMB23.26
/个 (每包:2个)
单位
N 240 A 60 V D2PAK-7 1.4 mΩ - 贴片 7 -20 V、+20 V 增强 3.7V 2.1V 375 W
RS 库存编号 110-7749
制造商零件编号IPB180P04P4L02ATMA1
品牌Infineon
RMB21.841
Each (On a Tape of 10)
单位
P 180 A 40 V D2PAK-7 3.9 mΩ - 贴片 7 -16 V、+16 V 增强 2.2V 1.2V 150 W
RS 库存编号 752-7773
制造商零件编号2N7002H6327XTSA2
品牌Infineon
RMB0.523
/个 (每包:100个)
单位
N 300 mA 60 V SOT-23 4 Ω - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 2.5V 1.5V 500 mW
RS 库存编号 124-9035
制造商零件编号2N7002H6327XTSA2
品牌Infineon
RMB0.308
个 (在毎卷:3000)
单位
N 300 mA 60 V SOT-23 4 Ω - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 2.5V 1.5V 500 mW
RS 库存编号 166-1130
制造商零件编号IPB180P04P4L02ATMA1
品牌Infineon
RMB15.185
个 (在毎卷:1000)
单位
P 180 A 40 V D2PAK (TO-263) 3.9 mΩ - 贴片 7 -16 V、+16 V 增强 2.2V 1.2V 150 W
RS 库存编号 911-0780
制造商零件编号BSC123N08NS3GATMA1
品牌Infineon
RMB4.244
个 (在毎卷:5000)
单位
N 55 A 80 V TDSON 24 mΩ - 贴片 8 -20 V、+20 V 增强 3.5V 2V 66 W
RS 库存编号 754-5301
制造商零件编号BSC123N08NS3GATMA1
品牌Infineon
RMB9.808
/个 (每包:5个)
单位
N 55 A 80 V TDSON 24 mΩ - 贴片 8 -20 V、+20 V 增强 3.5V 2V 66 W
RS 库存编号 650-4277
制造商零件编号IRFB4227PBF
品牌Infineon
RMB21.41
单位
N 65 A 200 V TO-220AB 24 mΩ - 通孔 3 -30 V、+30 V 增强 5V 3V 330 W
RS 库存编号 913-3932
制造商零件编号IRFB4227PBF
品牌Infineon
RMB18.673
毎管:50 个
单位
N 65 A 200 V TO-220AB 24 mΩ - 通孔 3 -30 V、+30 V 增强 5V 3V 330 W
RS 库存编号 906-4347
制造商零件编号BSC047N08NS3GATMA1
品牌Infineon
RMB13.33
/个 (每包:10个)
单位
N 100 A 80 V TDSON 8.9 mΩ - 贴片 8 -20 V、+20 V 增强 - - 125 W
RS 库存编号 178-7494
制造商零件编号BSC047N08NS3GATMA1
品牌Infineon
RMB10.222
个 (在毎卷:5000)
单位
N 100 A 80 V TDSON 8.9 mΩ - 贴片 8 -20 V、+20 V 增强 - - 125 W
RS 库存编号 178-7485
制造商零件编号BSC028N06NSATMA1
品牌Infineon
RMB10.587
个 (在毎卷:5000)
单位
N 100 A 60 V TDSON 4.2 mΩ - 贴片 8 -20 V、+20 V 增强 - - 83 W
RS 库存编号 906-4296
制造商零件编号BSC028N06NSATMA1
品牌Infineon
RMB10.60
/个 (每包:10个)
单位
N 100 A 60 V TDSON 4.2 mΩ - 贴片 8 -20 V、+20 V 增强 - - 83 W
RS 库存编号 919-4808
制造商零件编号IRFP064NPBF
品牌Infineon
RMB13.451
毎管:25 个
单位
N 110 A 55 V TO-247AC 8 mΩ - 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 4V 2V 200 W
RS 库存编号 541-0008
制造商零件编号IRFP064NPBF
品牌Infineon
RMB13.45
单位
N 110 A 55 V TO-247AC 8 mΩ - 通孔 3 -20 V、+20 V 增强 4V 2V 200 W
RS 库存编号 911-4842
制造商零件编号BSS84PH6327XTSA2
品牌Infineon
RMB0.357
个 (在毎卷:3000)
单位
P 170 mA 60 V SOT-23 8 Ω - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 2V 1V 360 mW
RS 库存编号 892-2217
制造商零件编号BSS84PH6327XTSA2
品牌Infineon
RMB0.624
/个 (每包:250个)
单位
P 170 mA 60 V SOT-23 12 Ω - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 2V 1V 360 mW
RS 库存编号 653-2288
制造商零件编号BSS84PH6327XTSA2
品牌Infineon
RMB0.865
/个 (每包:10个)
单位
P 170 mA 60 V SOT-23 8 Ω - 贴片 3 -20 V、+20 V 增强 2V 1V 360 mW

MOSFET

MOSFET是什么?

MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管,是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。

MOSFET的分类

  • PMOSFET:箭头方向永远从P端指向N端,所以箭头从通道指向基极端的为P型的MOSFET,或简称PMOS(代表此元件的通道为P型)。
  • NMOSFET:若箭头从基极指向通道,则代表基极为P型,而通道为N型,此元件为N型的MOSFET,简称NMOS。
  • 增强型MOSFET:就像一个可变电阻器,比耗尽型MOSFET更常见。增强型MOSFET用于“常开型”的开关上。
  • 耗尽型MOSFET:就像一个闭合的开关一样工作。不施加电流时电流通过。如果施加负电压,电流将停止。耗尽型MOSFET最大的应用是在“常闭型”的开关。

这样,MOSFET就有了4钟类型:P沟道增强型,P沟道耗尽型,N沟道增强型,N沟道耗尽型。

MOSFET的工作原理

MOSFET封装上的引脚为源极、栅极和漏极。当在栅极和源极端子之间施加电压时,电流可从漏极流至源极。当施加到栅极的电压发生变化时,从漏极到源极的电阻也将发生变化。施加的电压越低,电阻越大。随着电压升高,从漏极到源极的电阻减小。

RS 欧时为您提供了不同品牌的MOSFET,如InfineonVishayON SemiconductorDiodesZetexSTMicroelectronics等多款不同规格、型号的产品供您挑选,从而满足不同的应用场景需求。

欢迎查看和订购RS的MOSFET及相关产品,订购现货24小时内发货,线上下单满额免运费。