描述 | 价格 | 通道类型 | 最大连续漏极电流 | 最大漏源电压 | 封装类型 | 最大漏源电阻值 | 系列 | 安装类型 | 引脚数目 | 最大栅源电压 | 通道模式 | 最大栅阈值电压 | 最小栅阈值电压 | 最大功率耗散 | 晶体管配置 | |
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RS 库存编号
168-6002
制造商零件编号IRFR7440TRPBF
品牌Infineon
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RMB4.515
个 (在毎卷:2000)
单位
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N | 180 A | 40 V | DPAK (TO-252) | 2.4 mΩ | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 3.9V | 2.2V | 140 W | - |
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RS 库存编号
130-0989
制造商零件编号IRFR7440TRPBF
品牌Infineon
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RMB9.422
/个 (每包:5个)
单位
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N | 180 A | 40 V | DPAK (TO-252) | 2.4 mΩ | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 3.9V | 2.2V | 140 W | - |
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RS 库存编号
820-8867
制造商零件编号IRFS7530TRL7PP
品牌Infineon
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RMB23.26
/个 (每包:2个)
单位
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N | 240 A | 60 V | D2PAK-7 | 1.4 mΩ | - | 贴片 | 7 | -20 V、+20 V | 增强 | 3.7V | 2.1V | 375 W | 单 |
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RS 库存编号
110-7749
制造商零件编号IPB180P04P4L02ATMA1
品牌Infineon
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RMB21.841
Each (On a Tape of 10)
单位
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P | 180 A | 40 V | D2PAK-7 | 3.9 mΩ | - | 贴片 | 7 | -16 V、+16 V | 增强 | 2.2V | 1.2V | 150 W | 单 |
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RS 库存编号
752-7773
制造商零件编号2N7002H6327XTSA2
品牌Infineon
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RMB0.523
/个 (每包:100个)
单位
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N | 300 mA | 60 V | SOT-23 | 4 Ω | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 2.5V | 1.5V | 500 mW | 单 |
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RS 库存编号
124-9035
制造商零件编号2N7002H6327XTSA2
品牌Infineon
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RMB0.308
个 (在毎卷:3000)
单位
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N | 300 mA | 60 V | SOT-23 | 4 Ω | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 2.5V | 1.5V | 500 mW | 单 |
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RS 库存编号
166-1130
制造商零件编号IPB180P04P4L02ATMA1
品牌Infineon
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RMB15.185
个 (在毎卷:1000)
单位
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P | 180 A | 40 V | D2PAK (TO-263) | 3.9 mΩ | - | 贴片 | 7 | -16 V、+16 V | 增强 | 2.2V | 1.2V | 150 W | 单 |
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RS 库存编号
911-0780
制造商零件编号BSC123N08NS3GATMA1
品牌Infineon
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RMB4.244
个 (在毎卷:5000)
单位
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N | 55 A | 80 V | TDSON | 24 mΩ | - | 贴片 | 8 | -20 V、+20 V | 增强 | 3.5V | 2V | 66 W | 单 |
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RS 库存编号
754-5301
制造商零件编号BSC123N08NS3GATMA1
品牌Infineon
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RMB9.808
/个 (每包:5个)
单位
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N | 55 A | 80 V | TDSON | 24 mΩ | - | 贴片 | 8 | -20 V、+20 V | 增强 | 3.5V | 2V | 66 W | 单 |
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RS 库存编号
650-4277
制造商零件编号IRFB4227PBF
品牌Infineon
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RMB21.41
个
单位
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N | 65 A | 200 V | TO-220AB | 24 mΩ | - | 通孔 | 3 | -30 V、+30 V | 增强 | 5V | 3V | 330 W | 单 |
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RS 库存编号
913-3932
制造商零件编号IRFB4227PBF
品牌Infineon
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RMB18.673
毎管:50 个
单位
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N | 65 A | 200 V | TO-220AB | 24 mΩ | - | 通孔 | 3 | -30 V、+30 V | 增强 | 5V | 3V | 330 W | 单 |
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RS 库存编号
906-4347
制造商零件编号BSC047N08NS3GATMA1
品牌Infineon
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RMB13.33
/个 (每包:10个)
单位
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N | 100 A | 80 V | TDSON | 8.9 mΩ | - | 贴片 | 8 | -20 V、+20 V | 增强 | - | - | 125 W | 单 |
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RS 库存编号
178-7494
制造商零件编号BSC047N08NS3GATMA1
品牌Infineon
|
RMB10.222
个 (在毎卷:5000)
单位
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N | 100 A | 80 V | TDSON | 8.9 mΩ | - | 贴片 | 8 | -20 V、+20 V | 增强 | - | - | 125 W | 单 |
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RS 库存编号
178-7485
制造商零件编号BSC028N06NSATMA1
品牌Infineon
|
RMB10.587
个 (在毎卷:5000)
单位
|
N | 100 A | 60 V | TDSON | 4.2 mΩ | - | 贴片 | 8 | -20 V、+20 V | 增强 | - | - | 83 W | 单 |
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RS 库存编号
906-4296
制造商零件编号BSC028N06NSATMA1
品牌Infineon
|
RMB10.60
/个 (每包:10个)
单位
|
N | 100 A | 60 V | TDSON | 4.2 mΩ | - | 贴片 | 8 | -20 V、+20 V | 增强 | - | - | 83 W | 单 |
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RS 库存编号
919-4808
制造商零件编号IRFP064NPBF
品牌Infineon
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RMB13.451
毎管:25 个
单位
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N | 110 A | 55 V | TO-247AC | 8 mΩ | - | 通孔 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 4V | 2V | 200 W | 单 |
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RS 库存编号
541-0008
制造商零件编号IRFP064NPBF
品牌Infineon
|
RMB13.45
个
单位
|
N | 110 A | 55 V | TO-247AC | 8 mΩ | - | 通孔 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 4V | 2V | 200 W | 单 |
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RS 库存编号
911-4842
制造商零件编号BSS84PH6327XTSA2
品牌Infineon
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RMB0.357
个 (在毎卷:3000)
单位
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P | 170 mA | 60 V | SOT-23 | 8 Ω | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 2V | 1V | 360 mW | 单 |
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RS 库存编号
892-2217
制造商零件编号BSS84PH6327XTSA2
品牌Infineon
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RMB0.624
/个 (每包:250个)
单位
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P | 170 mA | 60 V | SOT-23 | 12 Ω | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 2V | 1V | 360 mW | 单 |
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RS 库存编号
653-2288
制造商零件编号BSS84PH6327XTSA2
品牌Infineon
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RMB0.865
/个 (每包:10个)
单位
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P | 170 mA | 60 V | SOT-23 | 8 Ω | - | 贴片 | 3 | -20 V、+20 V | 增强 | 2V | 1V | 360 mW | 单 |
MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管,是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。
这样,MOSFET就有了4钟类型:P沟道增强型,P沟道耗尽型,N沟道增强型,N沟道耗尽型。
MOSFET封装上的引脚为源极、栅极和漏极。当在栅极和源极端子之间施加电压时,电流可从漏极流至源极。当施加到栅极的电压发生变化时,从漏极到源极的电阻也将发生变化。施加的电压越低,电阻越大。随着电压升高,从漏极到源极的电阻减小。
RS 欧时为您提供了不同品牌的MOSFET,如Infineon、Vishay、ON Semiconductor、DiodesZetex、STMicroelectronics等多款不同规格、型号的产品供您挑选,从而满足不同的应用场景需求。
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