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    MOSFET

    MOSFET是什么?

    MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管,是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。

    MOSFET的分类

    • PMOSFET:箭头方向永远从P端指向N端,所以箭头从通道指向基极端的为P型的MOSFET,或简称PMOS(代表此元件的通道为P型)。
    • NMOSFET:若箭头从基极指向通道,则代表基极为P型,而通道为N型,此元件为N型的MOSFET,简称NMOS。
    • 增强型MOSFET:就像一个可变电阻器,比耗尽型MOSFET更常见。增强型MOSFET用于“常开型”的开关上。
    • 耗尽型MOSFET:就像一个闭合的开关一样工作。不施加电流时电流通过。如果施加负电压,电流将停止。耗尽型MOSFET最大的应用是在“常闭型”的开关。

    这样,MOSFET就有了4钟类型:P沟道增强型,P沟道耗尽型,N沟道增强型,N沟道耗尽型。

    MOSFET的工作原理

    MOSFET封装上的引脚为源极、栅极和漏极。当在栅极和源极端子之间施加电压时,电流可从漏极流至源极。当施加到栅极的电压发生变化时,从漏极到源极的电阻也将发生变化。施加的电压越低,电阻越大。随着电压升高,从漏极到源极的电阻减小。

    RS 欧时为您提供了不同品牌的MOSFET,如InfineonVishayON SemiconductorDiodesZetexSTMicroelectronics等多款不同规格、型号的产品供您挑选,从而满足不同的应用场景需求。

    欢迎查看和订购RS的MOSFET及相关产品,订购现货24小时内发货,线上下单满额免运费。

    18064 产品显示为 MOSFET

    • RS 库存编号 262-6750P
    • 制造商零件编号 IRFHM9331TRPBF
    个 (以每卷装提供)
    RMB3.164
    Infineon
    P
    11 A
    30 V
    PQFN
    -
    HEXFET
    贴片
    8
    -
    增强
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2
    -
    个 (以每卷装提供)
    RMB5.479
    Infineon
    N
    1.9 A
    150 V
    SO-8
    -
    HEXFET
    贴片
    8
    -
    增强
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2
    -
    • RS 库存编号 232-0399P
    • 制造商零件编号 IMW65R107M1HXKSA1
    个 (以每管装提供)
    RMB39.76
    Infineon
    N
    20 A
    650 V
    TO-247
    0.142. Ω
    CoolSiC
    通孔
    3
    -
    增强
    5.7V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    -
    • RS 库存编号 232-0391P
    • 制造商零件编号 IMW65R048M1HXKSA1
    个 (以每管装提供)
    RMB50.45
    Infineon
    N
    39 A
    650 V
    TO-247
    0.064 Ω
    CoolSiC
    通孔
    3
    -
    增强
    5.7V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    -
    个(每托盘 10 )
    RMB14.843
    Infineon
    N
    60 A
    60 V
    TO-220 FP
    5.7 mΩ
    OptiMOS™ 3
    通孔
    3
    -20 V、+20 V
    增强
    4V
    2V
    38 W
    -
    61 nC @ 10 V
    4.85mm
    Si
    +175 °C
    1
    10.65mm
    个 (以每管装提供)
    RMB8.38
    Infineon
    N
    92 A
    30 V
    TO-220
    -
    HEXFET
    通孔
    3
    -
    增强
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    -
    个 (以每管装提供)
    RMB16.42
    Infineon
    N
    270 A
    60 V
    TO-220
    -
    HEXFET
    通孔
    3
    -
    增强
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    -
    • RS 库存编号 268-8349P
    • 制造商零件编号 SISS5710DN-T1-GE3
    个 (以每卷装提供)
    RMB13.574
    Vishay
    N
    26.2 A
    150 V
    PowerPAK 1212-8S
    -
    -
    贴片
    8
    -
    增强
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2
    -
    • RS 库存编号 268-8347P
    • 制造商零件编号 SISS5708DN-T1-GE3
    个 (以每卷装提供)
    RMB14.32
    Vishay
    N
    33.8 A
    150 V
    PowerPAK 1212-8S
    -
    -
    贴片
    8
    -
    增强
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2
    -
    • RS 库存编号 268-8342P
    • 制造商零件编号 SIS184LDN-T1-GE3
    个 (以每卷装提供)
    RMB12.40
    Vishay
    N
    69.4 A
    60 V
    PowerPAK 1212-8
    -
    -
    贴片
    8
    -
    增强
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2
    -
    个 (以每管装提供)
    RMB6.154
    Infineon
    N
    16 A
    650 V
    TO-220 FP
    0.6. Ω
    CoolMOS™ P7
    通孔
    3
    -
    增强
    4V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    -
    个(每带 4000 )
    RMB4.801
    Infineon
    N
    18 A
    40 V
    SOIC
    5.9 mΩ
    HEXFET
    贴片
    8
    -20 V、+20 V
    增强
    2.25V
    1.35V
    2.5 W
    -
    33 nC @ 4.5 V
    4mm
    Si
    +150 °C
    1
    5mm
    个 (以每管装提供)
    RMB342.58
    STMicroelectronics
    N
    91 A
    1200 V
    HiP247
    0.021 Ω
    SCTW70N
    通孔
    3
    -
    增强
    4.9V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    SiC
    -
    1
    -
    个(每托盘 10 )
    RMB7.613
    Infineon
    N
    13 A
    600 V
    ThinPAK 8 x 8
    0.285 Ω
    CoolMOS™ CFD7
    贴片
    5
    -
    增强
    4V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Si
    -
    1
    -
    • RS 库存编号 230-9092P
    • 制造商零件编号 NTMC083NP10M5L
    个 (以每卷装提供)
    RMB4.506
    onsemi
    P
    4.5 A
    100 V
    SOIC
    0.083 Ω
    NTMC0
    贴片
    8
    -
    -
    4V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2
    -
    个 (以每管装提供)
    RMB54.53
    onsemi
    N
    57 A
    600 V
    TO-247
    0.041 Ω
    SUPERFET V
    通孔
    3
    -
    增强
    4.3V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Si
    -
    1
    -
    • RS 库存编号 268-8323P
    • 制造商零件编号 SiJA54ADP-T1-GE3
    个 (以每卷装提供)
    RMB14.346
    Vishay
    N
    126 A
    40 V
    PowerPAK SO-8L
    -
    -
    贴片
    4
    -
    增强
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2
    -
    个 (以每卷装提供)
    RMB27.40
    onsemi
    N
    101 A
    150 V
    D2PAK (TO-263)
    0.073 Ω
    NTB7D
    贴片
    3
    -
    增强
    4.5V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Si
    -
    1
    -
    个 (以每卷装提供)
    RMB3.156
    Infineon
    N
    6 A
    700 V
    SOT-223
    0.9. Ω
    CoolMOS™ P7
    贴片
    3
    -
    增强
    3.5V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Si
    -
    1
    -
    个 (以每卷装提供)
    RMB4.002
    Infineon
    N
    27 A
    100 V
    DPAK (TO-252)
    0.033 Ω
    OptiMOS™ 2
    贴片
    3
    -
    增强
    4V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Si
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