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    MOSFET

    MOSFET是什么?

    MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管,是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。

    MOSFET的分类

    • PMOSFET:箭头方向永远从P端指向N端,所以箭头从通道指向基极端的为P型的MOSFET,或简称PMOS(代表此元件的通道为P型)。
    • NMOSFET:若箭头从基极指向通道,则代表基极为P型,而通道为N型,此元件为N型的MOSFET,简称NMOS。
    • 增强型MOSFET:就像一个可变电阻器,比耗尽型MOSFET更常见。增强型MOSFET用于“常开型”的开关上。
    • 耗尽型MOSFET:就像一个闭合的开关一样工作。不施加电流时电流通过。如果施加负电压,电流将停止。耗尽型MOSFET最大的应用是在“常闭型”的开关。

    这样,MOSFET就有了4钟类型:P沟道增强型,P沟道耗尽型,N沟道增强型,N沟道耗尽型。

    MOSFET的工作原理

    MOSFET封装上的引脚为源极、栅极和漏极。当在栅极和源极端子之间施加电压时,电流可从漏极流至源极。当施加到栅极的电压发生变化时,从漏极到源极的电阻也将发生变化。施加的电压越低,电阻越大。随着电压升高,从漏极到源极的电阻减小。

    RS 欧时为您提供了不同品牌的MOSFET,如InfineonVishayON SemiconductorDiodesZetexSTMicroelectronics等多款不同规格、型号的产品供您挑选,从而满足不同的应用场景需求。

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    18058 产品显示为 MOSFET

    • RS 库存编号 827-6163
    • 制造商零件编号 TK20J60W,S1VQ(O
    个(每托盘 2 )
    RMB40.795
    Toshiba
    N
    20 A
    600 V
    TO-3PN
    155 mΩ
    TK
    通孔
    3
    -30 V、+30 V
    增强
    3.7V
    -
    165 W
    -
    48 nC @ 10 V
    4.5mm
    Si
    +150 °C
    1
    15.5mm
    • RS 库存编号 708-4752
    • 制造商零件编号 IRF840SPBF
    个(每托盘 5 )
    RMB10.722
    Vishay
    N
    8 A
    500 V
    D2PAK (TO-263)
    850 mΩ
    -
    贴片
    3
    -20 V、+20 V
    增强
    -
    2V
    3100 mW
    -
    63 nC @ 10 V
    9.65mm
    Si
    +150 °C
    1
    10.41mm
    RMB14.91
    onsemi
    N
    18 A
    500 V
    TO-220F
    265 mΩ
    UniFET
    通孔
    3
    -30 V、+30 V
    增强
    -
    3V
    38.5 W
    -
    45 nC @ 10 V
    4.7mm
    Si
    +150 °C
    1
    10.16mm
    个 (以每卷装提供)
    RMB6.696
    onsemi
    N
    57 A
    40 V
    DPAK (TO-252)
    14 mΩ
    PowerTrench
    贴片
    3
    -20 V、+20 V
    增强
    -
    1V
    44 W
    -
    37 nC @ 10 V
    6.22mm
    Si
    +150 °C
    1
    6.73mm
    个(每带 2500 )
    RMB8.796
    STMicroelectronics
    N
    12 A
    600 V
    DPAK (TO-252)
    338 米Ω
    -
    贴片
    3
    -
    -
    4.75V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    -
    • RS 库存编号 180-7284
    • 制造商零件编号 SI4154DY-T1-GE3
    个(每带 2500 )
    RMB5.622
    Vishay
    N
    36 A
    40 V
    SOIC
    0.0039 O
    TrenchFET
    贴片
    8
    -
    增强
    2.5V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    -
    个 (以每卷装提供)
    RMB59.26
    STMicroelectronics
    N
    7A
    -
    D2PAK (TO-263)
    630 mΩ
    -
    贴片
    3
    ±25 V
    增强
    5V
    3V
    70W
    -
    15 nC @ 10 V
    9.35mm
    -
    +150 °C
    1
    10.4mm
    • RS 库存编号 284-635P
    • 制造商零件编号 BSC007N04LS6SCATMA1
    个 (以每卷装提供)
    RMB26.95
    Infineon
    N
    381 A
    40V
    PG-WSON-8
    -
    OptiMOS
    贴片
    8
    -
    增强
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    SiC
    -
    1
    -
    个(每托盘 5 )
    RMB17.12
    onsemi
    N
    51 A
    250 V
    TO-220AB
    60 mΩ
    UniFET
    通孔
    3
    -30 V、+30 V
    增强
    -
    3V
    320000 mW
    -
    55 nC @ 10 V
    4.83mm
    Si
    +150 °C
    1
    10.67mm
    个(每托盘 25 )
    RMB2.671
    DiodesZetex
    P
    10.5 A
    40 V
    DPAK (TO-252)
    85 mΩ
    -
    贴片
    3
    -20 V、+20 V
    增强
    3V
    -
    8.9 W
    -
    14 nC @ 10 V
    6.2mm
    Si
    +150 °C
    1
    6.7mm
    • RS 库存编号 241-2329
    • 制造商零件编号 SH8M24TB1
    个(每托盘 5 )
    RMB12.188
    ROHM
    N
    6 A
    45 V
    SOP
    -
    -
    贴片
    8
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    个(每带 2500 )
    RMB2.546
    Infineon
    N
    30 A
    55 V
    D2PAK (TO-263)
    0.035 Ω
    OptiMOS™
    贴片
    3
    -
    增强
    2V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Si
    -
    1
    -
    • RS 库存编号 827-6179
    • 制造商零件编号 TK30A06N1,S4X(S
    个(每托盘 10 )
    RMB4.994
    Toshiba
    N
    30 A
    60 V
    TO-220SIS
    15 mΩ
    TK
    通孔
    3
    -20 V、+20 V
    增强
    4V
    -
    25 W
    -
    16 nC @ 10 V
    4.5mm
    Si
    +150 °C
    1
    10mm
    • RS 库存编号 235-2686
    • 制造商零件编号 R6507END3TL1
    个(每托盘 5 )
    RMB14.146
    ROHM
    N
    7 A
    650 V
    DPAK (TO-252)
    0.665 Ω
    -
    贴片
    3
    -
    增强
    4V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    -
    • RS 库存编号 262-5850
    • 制造商零件编号 IPB014N04NF2SATMA1
    个(每托盘 5 )
    RMB13.544
    Infineon
    N
    191 A
    40 V
    PG-TO263-3
    -
    -
    贴片
    3
    -
    增强
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    SiC
    -
    2
    -
    • RS 库存编号 241-9875
    • 制造商零件编号 BSC027N06LS5ATMA1
    个(每托盘 2 )
    RMB18.51
    Infineon
    N
    134 A
    60 V
    TDSON
    -
    OptiMOS™
    贴片
    8
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    -
    • RS 库存编号 751-4102
    • 制造商零件编号 DMG4413LSS-13
    个(每托盘 10 )
    RMB4.702
    DiodesZetex
    P
    12 A
    30 V
    SOIC
    10.2 mΩ
    -
    贴片
    8
    -20 V、+20 V
    增强
    2.1V
    -
    2.2 W
    -
    46 nC @ 5 V
    3.95mm
    Si
    +150 °C
    1
    4.95mm
    • RS 库存编号 256-7303
    • 制造商零件编号 IRFR020TRPBF
    个(每托盘 5 )
    RMB12.114
    Vishay
    N
    14 A
    60 V
    DPAK (TO-252)
    -
    -
    贴片
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    • RS 库存编号 239-5376
    • 制造商零件编号 SIHG24N80AEF-GE3
    毎管:25 个
    RMB23.327
    Vishay
    N
    20 A
    850 V
    TO-247AC
    -
    -
    通孔
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    • RS 库存编号 172-3421
    • 制造商零件编号 FCH023N65S3L4
    毎管:450 个
    RMB128.085
    onsemi
    N
    75 A
    650 V
    TO-247-4
    23 mΩ
    -
    通孔
    4
    ±30 V
    增强
    4.5V
    2.5V
    595 W
    -
    222 nC @ 10 V
    5.2mm
    -
    +150 °C
    1
    15.8mm
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