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    SRAM

    SRAM是什么?

    SRAM,即静态随机存取存储器(Static Random Access Memory),是一种半导体存储器,使用双稳态闭锁电路(触发器)存储每个数据位。它在供电期间将数据位保存在存储器中。如果断电,它将无法保存数据。SRAM适用于需要快速传输或低功率的应用。它的密度高于DRAM,结构简单,非常适用于使用高容量存储器的半导体存储器应用,如计算机中的工作存储器。

    • SRAM不同于DRAM(动态RAM,可将数据位存储在由电容器和晶体管组成的单元中),因为SRAM不需要像动态RAM一样刷新(除了定期刷新以外,动态RAM刷新会丢失数据)。此外,SRAM比DRAM更快,价格更昂贵。
    • SRAM常用于计算机的高速缓存存储器,也是视频卡上的RAM数模转换器的组成部分。SRAM可采用通用CMOS技术流程设计,使用六个晶体管(6T存储器单元),不带电容器。由于晶体管不需要电源来防止泄漏,因此SRAM不需要定期刷新。

    SRAM的特点与优点

    • 数据静态保存–数据保存在半导体存储器中,只要存储器上通电,就无需在每次读取数据操作后刷新数据
    • 三种操作状态,即保持、写入和读取
    • 双稳态(交叉耦合)INV,适合存储
    • 存取晶体管MAL和MAR–访问存储数据以读取和写入
    • 文字行(Word Line)WL,控制访问–WL=0(保持操作)、WL=1(读/写操作)
    • 使用寿命长

    SRAM的应用

    • 计算机
    • 工作站
    • 路由器
    • LCD屏幕和打印机
    • 电子产品
    • 微处理器

    RS 欧时为您提供了不同品牌的SRAM,如赛普拉斯、美信半导体微芯等多款不同规格、型号的产品供您挑选,从而满足不同的应用场景需求。

    欢迎查看和订购RS的SRAM及相关产品,订购现货24小时内发货,线上下单满额免运费。

    449 产品显示为 SRAM

    Infineon
    -
    4Mbit
    512k x 16 位
    512k
    8Bit
    10ns
    -
    100MHz
    异步
    贴片
    SOJ
    36
    0.93 x 0.4 x 0.12mm
    5.5 V
    0.12mm
    Alliance Memory
    低功率
    1Mbit
    128K x 8 位
    128k
    8Bit
    55ns
    17Bit
    -
    异步
    通孔
    PDIP
    32
    41.91 x 13.818 x 3.81mm
    5.5 V
    3.81mm
    Renesas Electronics
    低功率
    256Kbit
    16K x 16
    16K
    16Bit
    25ns
    32Bit
    -
    异步
    贴片
    TQFP-100
    100
    14 x 14 x 1.4mm
    3.6 V
    1.4mm
    Microchip
    低功率
    4Kbit
    512K x 8 位
    512k
    8Bit
    400ns
    -
    1000kHz
    同步
    贴片
    SOIC
    8
    4.9 x 3.9 x 1.25mm
    3.6 V
    1.25mm
    Infineon
    -
    4Mbit
    256k x 16
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Microchip
    低功率
    4Kbit
    512K x 8 位
    512k
    8Bit
    400ns
    -
    1000kHz
    同步
    贴片
    SOIC
    8
    4.9 x 3.9 x 1.25mm
    3.6 V
    1.25mm
    Infineon
    -
    2Mbit
    128k x 16
    128k
    16Bit
    10ns
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Infineon
    低功率
    4Mbit
    512K x 8 位
    512k
    8Bit
    45ns
    8Bit
    1MHz
    异步
    贴片
    SOIC
    32
    20.75 x 11.43 x 2.81mm
    5.5 V
    2.81mm
    Infineon
    低功率
    1Mbit
    128K x 8 位
    128k
    8Bit
    10ns
    -
    100MHz
    异步
    贴片
    SOJ
    32
    0.83 x 0.305 x 0.11mm
    5 V
    0.11mm
    Renesas Electronics
    低功率
    256Kbit
    16K x 16
    16K
    16Bit
    25ns
    32Bit
    -
    异步
    贴片
    TQFP-100
    100
    14 x 14 x 1.4mm
    3.6 V
    1.4mm
    Infineon
    低功率
    4096Kbit
    512K x 8 位
    512k
    8Bit
    45ns
    8Bit
    1MHz
    异步
    贴片
    TSOP-32
    32
    8.1 x 11.9 x 1.05mm
    3.6 V
    1.05mm
    Infineon
    低功率
    512Kbit
    32k x 16
    32k
    16Bit
    10ns
    16Bit
    1MHz
    异步
    贴片
    TSOP-44
    44
    18.51 x 10.26 x 1.05mm
    3.6 V
    1.05mm
    Microchip
    低功率
    16Kbit
    2048k x 8 位
    2048k
    8Bit
    400ns
    -
    1000kHz
    同步
    贴片
    SOIC
    8
    4.9 x 3.9 x 1.25mm
    3.6 V
    1.25mm
    Microchip
    低功率
    16Kbit
    2048k x 8 位
    2048k
    8Bit
    400ns
    -
    1000kHz
    同步
    贴片
    SOIC
    8
    4.9 x 3.9 x 1.25mm
    5.5 V
    1.25mm
    Infineon
    低功率
    4096Kbit
    512K x 8 位
    512k
    8Bit
    45ns
    8Bit
    1MHz
    异步
    贴片
    TSOP-32
    32
    8.1 x 11.9 x 1.05mm
    3.6 V
    1.05mm
    Infineon
    低功率
    4096Kbit
    512K x 8 位
    512k
    16Bit
    10ns
    8Bit
    1MHz
    异步
    贴片
    SOJ-32
    32
    23.62 x 10.29 x 2.62mm
    3.6 V
    2.62mm
    Infineon
    -
    2Mbit
    128k x 16
    128k
    16Bit
    45ns
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Infineon
    -
    2Mbit
    256k x 8
    256k
    8Bit
    45ns
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Microchip
    低功率
    16Kbit
    2048k x 8 位
    2048k
    8Bit
    400ns
    -
    1000kHz
    同步
    贴片
    SOIC
    8
    4.9 x 3.9 x 1.25mm
    5.5 V
    1.25mm
    Microchip
    低功率
    16Kbit
    2048k x 8 位
    2048k
    8Bit
    400ns
    -
    1000kHz
    同步
    贴片
    SOIC
    8
    4.9 x 3.9 x 1.25mm
    3.6 V
    1.25mm
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