SRAM

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描述 价格 存储器大小 组织 字组数目 每字组的位元数目 最长随机存取时间 位址总线宽 时钟频率 低功率 计时类型 安装类型 封装类型 引脚数目 尺寸 最大工作电源电压
RS 库存编号 273-5252
制造商零件编号CY14B104NA-BA25XI
品牌Infineon
RMB430.21
单位
4Mbit 256K x 16 256k 16Bit 20 ns, 25 ns, 45 ns - - - - - - - - -
RS 库存编号 181-7591
制造商零件编号CY62148ELL-55SXIT
品牌Infineon
RMB53.80
/个 (每包:2个)
单位
4Mbit 512K x 8 位 512k 8Bit 45ns 8Bit 1MHz 异步 贴片 SOIC 32 20.75 x 11.43 x 2.81mm 5.5 V
RS 库存编号 249-2441
制造商零件编号71V016SA10PHG8
RMB19.288
/个 (每包:5个)
单位
1Mbit 64 k x 16 - - 10ns - - - - - - - - -
RS 库存编号 171-0982
制造商零件编号CY62167EV30LL-45ZXA
品牌Infineon
RMB110.849
Each (In a Tray of 96)
单位
16Mbit 16M x 1 位 1M 16Bit 45ns 16Bit 1MHz 异步 贴片 TSOP 48 18.4 x 12 x 1.05mm 3.6 V
RS 库存编号 194-8855
制造商零件编号CY62128ELL-45ZAXI
品牌Infineon
RMB22.321
Each (In a Tray of 234)
单位
1Mbit 128k x 8 - - - - - - - - - - - -

SRAM

SRAM是什么?

SRAM,即静态随机存取存储器(Static Random Access Memory),是一种半导体存储器,使用双稳态闭锁电路(触发器)存储每个数据位。它在供电期间将数据位保存在存储器中。如果断电,它将无法保存数据。SRAM适用于需要快速传输或低功率的应用。它的密度高于DRAM,结构简单,非常适用于使用高容量存储器的半导体存储器应用,如计算机中的工作存储器。

  • SRAM不同于DRAM(动态RAM,可将数据位存储在由电容器和晶体管组成的单元中),因为SRAM不需要像动态RAM一样刷新(除了定期刷新以外,动态RAM刷新会丢失数据)。此外,SRAM比DRAM更快,价格更昂贵。
  • SRAM常用于计算机的高速缓存存储器,也是视频卡上的RAM数模转换器的组成部分。SRAM可采用通用CMOS技术流程设计,使用六个晶体管(6T存储器单元),不带电容器。由于晶体管不需要电源来防止泄漏,因此SRAM不需要定期刷新。

SRAM的特点与优点

  • 数据静态保存–数据保存在半导体存储器中,只要存储器上通电,就无需在每次读取数据操作后刷新数据
  • 三种操作状态,即保持、写入和读取
  • 双稳态(交叉耦合)INV,适合存储
  • 存取晶体管MAL和MAR–访问存储数据以读取和写入
  • 文字行(Word Line)WL,控制访问–WL=0(保持操作)、WL=1(读/写操作)
  • 使用寿命长

SRAM的应用

  • 计算机
  • 工作站
  • 路由器
  • LCD屏幕和打印机
  • 电子产品
  • 微处理器

RS 欧时为您提供了不同品牌的SRAM,如赛普拉斯、美信半导体微芯等多款不同规格、型号的产品供您挑选,从而满足不同的应用场景需求。

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