SRAM
SRAM是什么？
SRAM，即静态随机存取存储器（Static Random Access Memory），是一种半导体存储器，使用双稳态闭锁电路（触发器）存储每个数据位。它在供电期间将数据位保存在存储器中。如果断电，它将无法保存数据。SRAM适用于需要快速传输或低功率的应用。它的密度高于DRAM，结构简单，非常适用于使用高容量存储器的半导体存储器应用，如计算机中的工作存储器。
- SRAM不同于DRAM（动态RAM，可将数据位存储在由电容器和晶体管组成的单元中），因为SRAM不需要像动态RAM一样刷新（除了定期刷新以外，动态RAM刷新会丢失数据）。此外，SRAM比DRAM更快，价格更昂贵。
- SRAM常用于计算机的高速缓存存储器，也是视频卡上的RAM数模转换器的组成部分。SRAM可采用通用CMOS技术流程设计，使用六个晶体管（6T存储器单元），不带电容器。由于晶体管不需要电源来防止泄漏，因此SRAM不需要定期刷新。
SRAM的特点与优点
- 数据静态保存–数据保存在半导体存储器中，只要存储器上通电，就无需在每次读取数据操作后刷新数据
- 三种操作状态，即保持、写入和读取
- 双稳态（交叉耦合）INV，适合存储
- 存取晶体管MAL和MAR–访问存储数据以读取和写入
- 文字行（Word Line）WL，控制访问–WL=0（保持操作）、WL=1（读/写操作）
- 使用寿命长
SRAM的应用
- 计算机
- 工作站
- 路由器
- LCD屏幕和打印机
- 电子产品
- 微处理器
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39 产品
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比较 产品详述 单价（不含税） | 品牌 | 存储器大小 | 组织 | 字组数目 | 每字组的位元数目 | 最长随机存取时间 | 位址总线宽 | 时钟频率 | 低功率 | 计时类型 | 安装类型 | 封装类型 | 引脚数目 | 尺寸 | 最大工作电源电压 | 高度 |
|---|
个（每托盘 2 ） RMB21.815 | Microchip | 1Mbit | 128K x 8 位 | 128k | 8Bit | 5ns | 24Bit | 20MHz | 是 | 同步 | 通孔 | PDIP | 8 | 0.4 x 0.28 x 0.195in | 5.5 V | 4.95mm | |||
个（每托盘 2 ） RMB21.29 | Microchip | 1Mbit | 128K x 8 位 | 128k | 8Bit | - | 24Bit | 20MHz | 是 | 同步 | 贴片 | TSSOP | 8 | 3.1 x 4.5 x 1.05mm | 5.5 V | 1.05mm | |||
毎管：100 个 RMB6.292 | Microchip | 16Kbit | 2048k x 8 位 | 2048k | 8Bit | 400ns | - | 1000kHz | 是 | 同步 | 贴片 | SOIC | 8 | 4.9 x 3.9 x 1.25mm | 3.6 V | 1.25mm | |||
毎管：100 个 RMB6.739 | Microchip | 16Kbit | 2048k x 8 位 | 2048k | 8Bit | 400ns | - | 1000kHz | 是 | 同步 | 贴片 | TSSOP | 8 | 3.1 x 4.5 x 1.05mm | 3.6 V | 1.05mm | |||
个（每托盘 5 ） RMB11.492 | Microchip | 256Kbit | 32768 x 8 位 | 32k | 8Bit | 25ns | 16Bit | 20MHz | 是 | 同步 | 贴片 | SOIC | 8 | 4.9 x 3.9 x 1.25mm | 3.6 V | 1.25mm | |||
个（每托盘 5 ） RMB24.246 | Microchip | 1Mbit | 128K x 8 位 | 128k | 8Bit | 5ns | 24Bit | 20MHz | 是 | 同步 | 通孔 | PDIP | 8 | 10.16 x 7.11 x 4.95mm | 5.5 V | 4.95mm | |||
个（每托盘 5 ） RMB24.016 | Microchip | 1Mbit | 128K x 8 位 | 128k | 8Bit | 5ns | 24Bit | 20MHz | 是 | 同步 | 贴片 | TSSOP | 8 | 3.1 x 4.5 x 1.05mm | 5.5 V | 1.05mm | |||
毎管：60 个 RMB16.471 | Microchip | 512Kbit | 64k x 8 位 | 64k | 8Bit | 5ns | 16Bit | 20MHz | 是 | 同步 | 通孔 | PDIP | 8 | 10.16 x 7.11 x 4.95mm | 5.5 V | 4.95mm | |||
个（每托盘 5 ） RMB11.646 | Microchip | 256Kbit | 32768 x 8 位 | 32k | 8Bit | 25ns | 16Bit | 20MHz | 是 | 同步 | 通孔 | PDIP | 8 | 9.27 x 6.35 x 3.3mm | 3.6 V | 3.3mm | |||
毎管：100 个 RMB22.539 | Microchip | 1Mbit | 128K x 8 位 | 128k | 8Bit | 5ns | 24Bit | 20MHz | 是 | 同步 | 贴片 | SOIC | 8 | 4.9 x 3.9 x 1.25mm | 5.5 V | 1.25mm | |||
毎管：100 个 RMB14.031 | Microchip | 512Kbit | 64k x 8 位 | 64k | 8Bit | 5ns | 8Bit | 20MHz | 是 | 同步 | 贴片 | SOIC | 8 | 4.9 x 3.9 x 1.5mm | 5.5 V | 1.5mm | |||
个（每托盘 5 ） RMB5.846 | Microchip | 64Kbit | 8192 x 8 位 | 8k | 8Bit | 25ns | 16Bit | 20MHz | 是 | 同步 | 贴片 | SOIC | 8 | 4.9 x 3.9 x 1.25mm | 3.6 V | 1.25mm | |||
N | Microchip | 1Mbit | 128k x 8 位 | 128kB | 32Bit | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |||
毎管：100 个 RMB5.862 | Microchip | 64Kbit | 8192 x 8 位 | 8k | 8Bit | 25ns | 16Bit | 20MHz | 是 | 同步 | 贴片 | SOIC | 8 | 4.9 x 3.9 x 1.25mm | 3.6 V | 1.25mm | |||
毎管：60 个 RMB8.205 | Microchip | 16Kbit | 2048k x 8 位 | 2048k | 8Bit | 400ns | - | 1000kHz | 是 | 同步 | 通孔 | DIP | 8 | 10.2 x 7.1 x 4.83mm | 5.5 V | 4.83mm | |||
个（每托盘 5 ） RMB15.03 | Microchip | 512Kbit | 64k x 8 位 | 64k | 8Bit | 25ns | 16Bit | 20MHz | 是 | 同步 | 通孔 | TSSOP | 8 | 0.4 x 0.28 x 0.195in | 5.5 V | 4.95mm | |||
个（每托盘 2 ） RMB20.615 | Microchip | 1Mbit | 128K x 8 位 | 128k | 8Bit | 5ns | 24Bit | 20MHz | 是 | 同步 | 贴片 | SOIC | 8 | 4.9 x 3.9 x 1.5mm | 5.5 V | 1.5mm | |||
个（每托盘 10 ） RMB6.308 | Microchip | 16Kbit | 2048k x 8 位 | 2048k | 8Bit | 400ns | - | 1000kHz | 是 | 同步 | 贴片 | SOIC | 8 | 4.9 x 3.9 x 1.25mm | 5.5 V | 1.25mm | |||
毎管：100 个 RMB5.539 | Microchip | 4Kbit | 512K x 8 位 | 512k | 8Bit | 400ns | - | 1000kHz | 是 | 同步 | 贴片 | SOIC | 8 | 4.9 x 3.9 x 1.25mm | 3.6 V | 1.25mm | |||
个（每托盘 10 ） RMB6.738 | Microchip | 16Kbit | 2048k x 8 位 | 2048k | 8Bit | 400ns | - | 1000kHz | 是 | 同步 | 贴片 | TSSOP | 8 | 3.1 x 4.5 x 1.05mm | 5.5 V | 1.05mm | |||
