描述 | 价格 | 逻辑类型 | 输出电流 | 电源电压 | 引脚数目 | 下降时间 | 封装类型 | 输出数目 | 上升时间 | 拓扑 | 高压侧和低压侧相关性 | 延时 | 驱动器数目 | 电桥类型 | 极性 | |
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RS 库存编号
177-3084
制造商零件编号MIC4604YMT-TR
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RMB7.835
/个 (每包:20个)
单位
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TTL | - | 16V | 10 | 20ns | TDFN | 1 | 20ns | 半桥 | 独立 | 75ns | 1 | 半桥 | 非反相 |
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RS 库存编号
177-0745
制造商零件编号MIC4468YWM
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RMB37.48
/个 (每包:2个)
单位
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CMOS | 1.2 A | 18V | 16 | 25ns | SOIC | 1 | 25ns | 低侧 | - | 75ns | 1 | 半桥 | 反相 |
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RS 库存编号
144-9279
制造商零件编号TC4431VPA
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RMB28.366
毎管:60 个
单位
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CMOS,TTL | 1.5 A | 30V | 8 | - | PDIP | 1 | - | 高侧 | - | - | 1 | - | 反相 |
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RS 库存编号
177-0915
制造商零件编号MIC4426ZN
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RMB15.39
/个 (每包:10个)
单位
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CMOS,TTL | 1.5 A | 18V | 8 | 40ns | DIP | 2 | 40ns | 低侧 | 独立 | 60ns | 2 | - | - |
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RS 库存编号
176-5503
制造商零件编号MCP14A0305-E/SN
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RMB9.071
/个 (每包:10个)
单位
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CMOS | 3 A | 18V | 8 | 19ns | SOIC | 2 | 19ns | 低侧 | - | 31ns | 2 | - | 反相,非反相 |
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RS 库存编号
177-9682
制造商零件编号TC4422AVMF
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RMB17.298
毎管:60 个
单位
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CMOS,TTL | 10 A | 18V | 8 | 40ns | DFN | 1 | 45ns | 低侧 | - | 60ns | 1 | - | 反相 |
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RS 库存编号
177-0425
制造商零件编号MIC4468YWM
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RMB31.379
毎管:47 个
单位
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CMOS | 1.2 A | 18V | 16 | 25ns | SOIC | 1 | 25ns | 低侧 | - | 75ns | 1 | 半桥 | 反相 |
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RS 库存编号
188-0244
制造商零件编号MCP14A0901-E/SN
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RMB14.754
/个 (每包:10个)
单位
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CMOS | 9 A | 18V | 8 | 32ns | SOIC | 2 | 32ns | 低侧 | - | 36ns | 1 | - | 反相 |
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RS 库存编号
177-0886
制造商零件编号MIC4420ZM
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RMB15.178
/个 (每包:5个)
单位
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CMOS,TTL | 6 A | 18V | 8 | 60ns | SOIC | 1 | 60ns | 低侧 | - | 100ns | 1 | - | 非反相 |
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RS 库存编号
187-9412
制造商零件编号MCP14A0901-E/SN
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RMB10.688
毎管:100 个
单位
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CMOS | 9 A | 18V | 8 | 32ns | SOIC | 2 | 32ns | 低侧 | - | 36ns | 1 | - | 反相 |
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RS 库存编号
177-9848
制造商零件编号TC4422AVMF
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RMB20.854
/个 (每包:5个)
单位
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CMOS,TTL | 10 A | 18V | 8 | 40ns | DFN | 1 | 45ns | 低侧 | - | 60ns | 1 | - | 反相 |
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RS 库存编号
176-5502
制造商零件编号MCP14A0305-E/SN
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RMB7.064
毎管:100 个
单位
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CMOS | 3 A | 18V | 8 | 19ns | SOIC | 2 | 19ns | 低侧 | - | 31ns | 2 | - | 反相,非反相 |
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RS 库存编号
177-0939
制造商零件编号MIC4101YM
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RMB19.488
/个 (每包:5个)
单位
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TTL | 2 a 、 2 a | 16V | 8 | 10ns | SOIC | 2 | 10ns | 半桥 | 独立 | 55ns | 2 | 半桥 | 非反相 |
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RS 库存编号
177-0397
制造商零件编号MIC4101YM
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RMB15.486
毎管:95 个
单位
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TTL | 2 A | 16V | 8 | 10ns | SOIC | 2 | 10ns | 半桥 | 独立 | 55ns | 2 | 半桥 | 非反相 |
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RS 库存编号
177-2900
制造商零件编号MIC4604YMT-TR
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RMB7.723
个 (在毎卷:5000)
单位
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TTL | - | 16V | 10 | 20ns | TDFN | 1 | 20ns | 半桥 | 独立 | 75ns | 1 | 半桥 | 非反相 |
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RS 库存编号
177-0418
制造商零件编号MIC4426ZN
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RMB11.703
毎管:50 个
单位
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CMOS,TTL | 1.5 A | 18V | 8 | 40ns | DIP | 2 | 40ns | 低侧 | 独立 | 60ns | 2 | - | - |
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RS 库存编号
177-0405
制造商零件编号MIC4420ZM
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RMB12.249
毎管:95 个
单位
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CMOS,TTL | 6 A | 18V | 8 | 60ns | SOIC | 1 | 60ns | 低侧 | - | 100ns | 1 | - | 非反相 |
栅极驱动器是一个用于放大来自微控制器或其他来源的低电压或低电流的缓冲电路。它们设计用于高功率晶体管器件,例如MOSFET或IGBT。栅极驱动器位于DAC(数模转换器)的输出信号和电源开关(IGBT或MOSFET)之间。因此,栅极驱动就是起到驱动开关电源导通与关闭的作用。
广义地说,栅极驱动器分为两类:非隔离式栅极驱动器和隔离式栅极驱动器。大多数用于在高电压下运行的非隔离式栅极驱动器都是半桥驱动器。
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