稳压芯片-LDO稳压芯片-线性稳压芯片-调压芯片-RS 欧时
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    稳压芯片

    稳压芯片是什么?

    稳压芯片是指在输入电压、负载、环节温度、电路参数等发生变化时仍可以保持电路,并输出电压恒定的芯片。

    稳压芯片的工作原理

    稳压芯片的内部有一个基准电压电路和一个运算放大器,通过内部取样电路把输出的电压反馈回来,和基准电压送入运放比较,比出的结果作为控制一个调整管(是个三极管)的基极电压,从而调整三极管的输出。

    稳压芯片的作用

    稳压芯片可以保护电路,使电路不会因为脉冲而受到破坏。同时也起到一个调整、变压的作用,防止过大的电压烧断电路或造成一些危险性的破坏作用。

    稳压芯片的类型

    • 降压-升压开关稳压芯片
    • 电荷泵
    • 线性稳压芯片
    • LDO(低压差)稳压芯片

    稳压芯片的应用

    在大多数需要电压管理或电压调节的电子电路中都可以找到稳压芯片,包括充电器、电源装置(PSU)、电信和汽车应用。

    RS为您提供了不同品牌的稳压芯片,如onsemi、Texas Instruments、STMicroelectronics、Microchip、DiodesZetex等多款不同规格、型号的产品供您挑选,从而满足不同的应用场景需求。

    欢迎查看和订购RS的稳压芯片及相关产品,订购现货24小时内发货,线上下单满额免运费。

    7331 产品显示为 稳压芯片

    个(每带 3000 )
    RMB3.147
    Microchip
    -
    -
    250mA
    LDO
    1
    2.5 V
    0.75 %/V
    ±2%
    1 %
    贴片
    正极
    SOT-23
    0.0016mA
    -
    3
    固定
    -
    -
    -
    2.9 x 1.3 x 0.95mm
    -40 °C
    6 V
    2.3 V
    +125 °C
    0.95mm
    毎管:80 个
    RMB3.877
    Texas Instruments
    -
    -
    800mA
    LDO
    1
    3.3 V
    0.2%
    -
    0.4%
    贴片
    正极
    SOT-223
    5mA
    -
    3+Tab
    固定
    -
    -
    -
    6.5 x 3.5 x 1.6mm
    0 °C
    15 V
    4.7 V
    +125 °C
    1.6mm
    个(每带 2500 )
    RMB3.002
    Texas Instruments
    -
    LDO
    100mA
    LDO
    1
    -
    0.2 %/V
    3%
    0.2 %
    -
    -
    SOIC-8
    -
    -
    8
    可调、固定
    -
    100 kHz
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    毎管:45 个
    RMB10.525
    Texas Instruments
    -
    -
    500mA
    LDO
    1
    12 V
    36 mV
    ±5%
    12 mV
    通孔
    正极
    TO-220
    -
    -
    3
    固定
    -
    -
    -
    10.16 x 4.7 x 8.89mm
    -40 °C
    26 V
    -
    +125 °C
    8.89mm
    • RS 库存编号 244-0947
    • 制造商零件编号 TLE72742DATMA1
    个(每带 2500 )
    RMB7.904
    Infineon
    -
    电流限制
    800mA
    LDO
    1
    5 V
    20 mV
    ±2%
    40 mV
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    个(每托盘 5 )
    RMB4.194
    STMicroelectronics
    -
    -
    200mA
    LDO
    1
    3.3 V
    0.05 %/V
    ±3%
    0.003 %/mA
    贴片
    正极
    SOT-23
    100µA
    -
    5
    固定
    -
    -
    -
    2.2 x 1.35 x 1mm
    -40 °C
    13.2 V
    2.5 V
    +125 °C
    1mm
    个(每带 3000 )
    RMB1.525
    onsemi
    -
    -
    700mA
    LDO
    1
    3.3 V
    0.02 %/V
    ±2%
    0.002 %/mA
    贴片
    -
    XDFN
    18µA
    -
    4
    固定
    -
    -
    -
    1 x 1 x 0.38mm
    -
    5.5 V
    1.9 V
    +150 °C
    0.38mm
    个(每托盘 10 )
    RMB6.903
    Texas Instruments
    -
    -
    100mA
    LDO
    1
    3.3 V
    0.1 %
    ±0.5%
    0.1 %
    贴片
    正极
    SOIC
    -
    1.25V
    8
    固定
    -
    -
    -
    4.9 x 3.9 x 1.45mm
    -40°C
    30 V
    -
    +125 °C
    1.45mm
    个(每带 1000 )
    RMB7.387
    Texas Instruments
    -
    -
    1.5A
    LDO
    1
    1.25 → 13.8 V
    0.035 %
    ±1%
    0.2%
    贴片
    正极
    SOT-223
    -
    1.262V
    3+Tab
    可调
    -
    -
    -
    6.5 x 3.56 x 1.6mm
    -40 °C
    15 V
    -
    +125 °C
    1.6mm
    个(每托盘 50 )
    RMB2.011
    DiodesZetex
    -
    -
    50mA
    -
    1
    4.15 V
    -
    -
    -
    贴片
    -
    SOT25
    -
    -
    5
    固定
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    个 (以每管装提供)
    RMB10.332
    Texas Instruments
    -
    -
    800mA
    LDO
    1
    3.3 V
    <1 mV
    ±1%
    <1 mV
    通孔
    正极
    TO-220
    -
    -
    3
    固定
    -
    -
    -
    10.16 x 4.7 x 8.89mm
    0 °C
    15 V
    -
    +125 °C
    8.89mm
    个 (以每卷装提供)
    RMB11.798
    Texas Instruments
    -
    -
    1A
    LDO
    1
    3.3 V
    -
    2.5%
    -
    贴片
    -
    SOT-223
    -
    -
    4
    可调
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    个(每托盘 5 )
    RMB6.986
    Nisshinbo Micro Devices
    -
    LDO
    500mA
    LDO
    1
    3.3 V
    0.1 %/V
    ±1%
    9 %/a
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    个(每托盘 3 )
    RMB14.687
    ROHM
    -
    -
    500mA
    LDO
    1
    3.3 V
    20 mV
    ±2%
    20 mV
    贴片
    正极
    TO-252
    6µA
    3V
    3
    固定
    -
    -
    -
    6.5 x 5.5 x 2.3mm
    -40 °C
    45 V
    4.17 V
    +125 °C
    2.3mm
    个(每托盘 10 )
    RMB2.797
    onsemi
    -
    -
    150mA
    LDO
    1
    3.3 V
    30 mV
    2%
    65 mV
    贴片
    正极
    TSOP
    8µA
    -
    5
    固定
    -
    -
    -
    3 x 1.5 x 1mm
    -40 °C
    12 V
    0 V
    +85 °C
    1mm
    个(每托盘 5 )
    RMB14.08
    Nisshinbo Micro Devices
    -
    -
    1A
    LDO
    1
    1.5 → 20 V
    0.16 %/V
    ±2%
    1.4 %/A
    贴片
    正极
    TO-252-DL3
    5mA
    1.285V
    5
    可调
    1W
    -
    -
    6.54 x 6.04 x 2.29mm
    -40°C
    35 V
    3.8 V
    +85°C
    2.29mm
    RMB8.19
    Texas Instruments
    -
    -
    100mA
    LDO
    1
    3.3 V
    10 mV
    ±5%
    20 mV
    贴片
    正极
    SOT-23
    -
    -
    3
    固定
    -
    -
    -
    2.92 x 1.3 x 0.93mm
    -40°C
    30 V
    -
    +125 °C
    0.93mm
    • RS 库存编号 221-6638
    • 制造商零件编号 NCP4318BLCDR2G
    个(每托盘 15 )
    RMB6.778
    onsemi
    -
    -
    -
    -
    1
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    SOIC
    -
    -
    8
    -
    -
    500 kHz
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    个(每托盘 10 )
    RMB3.20
    Texas Instruments
    -
    -
    50mA
    LDO
    1
    1.23 → 15 V
    6 mV
    ±1%
    -
    贴片
    正极
    SOT-23
    -
    1.243V
    5
    可调
    -
    -
    -
    2.92 x 1.6 x 1.02mm
    -40°C
    16 V
    2.5 V
    +125 °C
    1.02mm
    毎管:45 个
    RMB17.921
    Texas Instruments
    -
    -
    1A
    LDO
    1
    -12 V
    60 mV
    ±5%
    50 mV
    通孔
    负极
    TO-220
    -
    -
    3
    固定
    -
    -
    -
    10.16 x 4.7 x 8.89mm
    -40 °C
    0.3 V
    -26 V
    +125 °C
    8.89mm
    每页结果数

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