X7R 配方称作温度稳定陶瓷,属于 EIA II 类材料,COG (NPO) 是最常用的温度补偿EIA I 类陶瓷材料
多层陶瓷电容器,其温度变化在 -55 ° C 至 +125 ° C 之间 ± 15%
电容变化是非线性的
AVX 高电压芯片具有高价值、低泄漏和小尺寸的优点,因此应用包括高频功率转换器中的减震器、 SMPS 中的谐振器和高电压耦合 / 直流阻隔
这些高电压芯片设计在高频率下表现出低 ESRS
提供降噪 X5R 版本
提供薄型型号
陶瓷电容器具有低的寄生效应和极佳的 EMI 滤波功能。它们可多层配置,在宽温度范围内显示高电容值和各种额定电压。提供多种类型,如 MLCC 片式电容器、引线型电容器、堆叠型电容器以及采用独特几何形状的电容器。
C0G (NP0) 配方显示无老化特性
C0G (NP0) 是最受欢迎的温度补偿配方,EIA I 类陶瓷材料。现代 C0G (NP0) 配方中含有钕、钐和其他稀土氧化物。C0G (NP0) 陶瓷提供最稳定的电容器电介质之一。电容随温度的变化关系为 0±30ppm/℃,从 -55℃ 至 +125℃ 小于 ±0.3% C。与高达 ±2% 的薄膜电容器相比,C0G (NP0) 陶瓷的电容偏移或滞后少于 ±0.05%,可忽略不计。C0G (NP0) 的典型电容随时间的变化小于 ±0.1%,是大多数其他电介质的五分之一。
镍挡层端接外覆镀锡 (NiSn) 层。应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是非常受欢迎的温度补偿方案,EIA I 级陶瓷材料、X7R、X5R 方案称为温度稳定陶瓷且使用 EIA II 级材料;Y5V、Z5U 方案通用于有限温度范围,EIA II 级材料;这些特性十分适用于去耦应用。
属性 | 数值 |
---|---|
电容值 | 220 pF |
电压 | 100 V 直流 |
封装/外壳 | 0805 (2012M) |
安装类型 | 表面贴装 |
尺寸 | 2.01 x 1.25 x 0.94mm |
长度 | 2.01mm |
深度 | 1.25mm |
高度 | 0.94mm |
最低工作温度 | -55°C |
最高工作温度 | +125°C |