Toshiba 2 GByte NAND闪存芯片, 并行接口, TSOP-48, 18.4 x 12.4 x 1mm
- RS 库存编号:
- 168-4150
- 制造商零件编号:
- TC58NVG1S3ETAI0
- 制造商:
- Toshiba
不可供应
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- 制造商零件编号:
- TC58NVG1S3ETAI0
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 存储器大小 | 2 GByte | |
| 接口类型 | 并行 | |
| 封装类型 | TSOP | |
| 引脚数目 | 48 | |
| 组织 | 256M x 8 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 单元类型 | NAND | |
| 最小工作电源电压 | -0.6 V | |
| 最大工作电源电压 | 4.6 V | |
| 块组织 | 对称 | |
| 尺寸 | 18.4 x 12.4 x 1mm | |
| 最高工作温度 | +85 °C | |
| 最低工作温度 | -40 °C | |
| 最长随机存取时间 | 25ns | |
| 字组数目 | 256M | |
| 每字组的位元数目 | 8Bit | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
存储器大小 2 GByte | ||
接口类型 并行 | ||
封装类型 TSOP | ||
引脚数目 48 | ||
组织 256M x 8 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
单元类型 NAND | ||
最小工作电源电压 -0.6 V | ||
最大工作电源电压 4.6 V | ||
块组织 对称 | ||
尺寸 18.4 x 12.4 x 1mm | ||
最高工作温度 +85 °C | ||
最低工作温度 -40 °C | ||
最长随机存取时间 25ns | ||
字组数目 256M | ||
每字组的位元数目 8Bit | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
闪存存储器,Toshiba
快闪存储器
闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。
