1 GB 串行 NAND 闪存,具有统一的 2 KB + 64 B 页大小,并将缓冲器读取模式设置为默认
Vcc:2.7 V 至 3.6 V
总线宽度:x1/x2/x4
工作温度:工业:-40 °C 至 85 °C
单层单元 (SLC) 技术
密度:1 GB/128M 字节
页大小:2112 字节(2048 + 64 字节)
块大小:64 页(128K + 4K 字节)
ECC 启用时的页读取:50 us
SPI 时钟频率:104 MHz
页编程时间:250 us(典型值)
块擦除时间:2 ms(典型值)
支持 OTP 存储区域
该产品的行业包装为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。