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存储器芯片
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闪存芯片
Microchip 分门闪存芯片, 8Mbit, 串行 - SPI接口, SOIC, 8针, 2.7 V→3.6 V, 1M x 8 位, SST25系列
RS 库存编号:
177-9657
制造商零件编号:
SST25VF080B-50-4I-S2AE
制造商:
Microchip
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SST25VF080B-50-4I-S2AE
制造商:
Microchip
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
产品技术参数
Datasheet
符合
符合声明
SST25VF080B 设备通过提升工作频率得以增强,进而降低功耗。SST25VF080B SPI 串行闪存存储器采用 SST 专有的高性能 CMOS SuperFlash 技术制造。与替换方案相比,分离式栅极单元电池设计和厚氧化物隧道馈电器可以获得更高可靠性和可制造性。
单电压读取和写入操作 – 2.7-3.6V
串行接口体系结构
支持 50 MHz SPI 时钟(不再提供 80 MHz)
卓越的可靠性
低功耗:
缩短字节编程操作的总芯片编程时间
End-of-Write 检测
在状态寄存器中对 BUSY 位进行软件轮询
AAI 模式中 SO 引脚上的 Busy 状态读数
保持引脚 (HOLD#)
暂停存储器串行序列,无需取消选择设备
写入保护 (WP#)
启用/禁用状态寄存器的锁定功能
软件写入保护
在状态寄存器中通过块保护位提供写入保护
该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。
属性
数值
存储器大小
8Mbit
接口类型
串行 - SPI
封装类型
SOIC
引脚数目
8
组织
1M x 8 位
安装类型
贴片
单元类型
分门
最小工作电源电压
2.7 V
最大工作电源电压
3.6 V
块组织
对称
长度
5mm
高度
1.5mm
宽度
4mm
尺寸
5 x 4 x 1.5mm
最低工作温度
-40 °C
最高工作温度
+85 °C
字组数目
1MB
最长随机存取时间
8ns
每字组的位元数目
8Bit
系列
SST25
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