串行外设接口（ SPI ）、带多输入 / 输出
SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3
双倍数据速率 (DDR) 选项
扩展寻址– 24 或 32 位地址选项
串行命令子集和占用空间与兼容
S25FL － A 、 S25FL － K 、 S25FL － P 和 S25FL － S SPI 系列
与兼容的多 I/O 命令子集和占用空间
S25FL － P 和 S25FL － S SPI 系列
阅读
命令：正常、快速、双 I/O 、四 I/O 、 DDR 四路 I/O
模式：脉冲环绕、连续 (XIP) 、 QPI
串行闪存可发现参数（ SFDP ）和通用
闪存接口 (CFI) ，用于配置信息。
程序
256 或 512 字节页面编程缓冲器
程序暂停和恢复
自动错误检查和纠正 (ECC) –内部硬件 ECC ，带单位错误纠正
擦除
混合扇区选项
物理集，包含八个 4-KB 扇区和一个
地址空间的 TOP 或底部有 224-Kbytes 扇区，其余所有扇区均为 256-Kbytes
统一扇区选项
均匀的 256 KB 块
擦除暂停和恢复
擦除状态评估
自行车耐力
最少 100 、 000 个程序擦除周期
数据保留
20 年数据保留、最小值
安全特征
一个时间程序 (OTP) 1024 字节的阵列
块保护：
状态寄存器位，用于控制对程序的保护或对连续扇区范围的擦除。
硬件和软件控制选项
Advanced Sector Protection （ ASP
由引导代码或密码控制的单个扇区保护
读取访问的密码控制选项
技术
Cypress 65 纳米镜面
 采用 Eclipse μ m 技术
体系结构
电压
1.7 V 至 2.0 V
温度范围 / 等级
工业（ 40 °C 至 +85 °C ）
工业 Plus （ 40 °C 至 +105 °C ）
封装（所有无铅）
16 引线 SOIC 300 mil （ SO3016 ）
WSON 6  8 mm （ WNH008 ）
BGA-24 6  8 mm
• 5  5 球（ FAB024 ）占地面积
已知良好的芯片和已知测试的芯片

选择全部	属性	值
	品牌	Cypress Semiconductor
	存储器大小	512Mbit
	接口类型	SPI
	封装类型	SOIC
	引脚数目	16
	组织	64M x 8 位
	安装类型	贴片
	单元类型	NOR
	最小工作电源电压	1.7 V
	最大工作电源电压	2 V
	尺寸	10.3 x 7.5 x 2.55mm
	每字组的位元数目	8Bit
	字组数目	64M
	最高工作温度	+85 °C
	最低工作温度	-40°C

	选择全部
	品牌 Cypress Semiconductor
	存储器大小 512Mbit
	接口类型 SPI
	封装类型 SOIC
	引脚数目 16
	组织 64M x 8 位
	安装类型贴片
	单元类型 NOR
	最小工作电源电压 1.7 V
	最大工作电源电压 2 V
	尺寸 10.3 x 7.5 x 2.55mm
	每字组的位元数目 8Bit
	字组数目 64M
	最高工作温度 +85 °C
	最低工作温度 -40°C

Cypress Semiconductor NOR闪存芯片, 512Mbit, SPI接口, SOIC, 16针, 1.7 V→2 V, 64M x 8 位