Infineon 1Mbit FRAM, 8p, SPI接口, 最长随机存取18ns, SOIC封装, 128K x 8 位, FM25V10-G
- RS 库存编号 124-2988
- 制造商零件编号 FM25V10-G
- 制造商 Infineon
FRAM，Cypress Semiconductor
铁电随机存储器 (F-RAM) 是高能效且高可靠性的非易失 RAM，用于串行和并行接口。 后缀为 A 的部件专为汽车应用而设计，并通过了 AEC-Q100 认证。
非易失性铁电 RAM 存储器
写入速度快
高耐受性
低功耗
1-Mbit 铁电随机存取存储器 (F-RAM) ，按逻辑组织为 128K x 8
高耐久性 100 万亿（ 1014 ）读 / 写
151 年数据保留
NoDelay ™写入
Advanced High － Reliability FerroElectric
非常快速的串行外设接口 (SPI)
频率高达 40MHz
直接硬件更换，用于串行闪存和 EEPROM
支持 SPI 模式 0 （ 0 ， 0 ）和模式 3 （ 1 ， 1 ）
完善的写保护方案
使用写保护 (WP) PIN 进行硬件保护
使用写禁用指令进行软件保护
1/4 ， 1/2 或整个阵列的软件块保护
设备 ID 和序列号
制造商 ID 和产品 ID
唯一序列号 (FM25VN10)
低功耗
1 MHz 时为 300 μ A 有源电流
90 μ A （典型值）待机电流
5 μ A 睡眠模式电流
低电压操作： VDD = 2.0 V 至 3.6 V
工业温度： -40 ° C 至 +85 ° C
软件包
8 引脚小型集成电路 (SOIC) 封装
8 引脚双扁平无引线 (DFN) 封装
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
FRAM（铁电 RAM）
FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 存储器大小 | 1Mbit |
| 组织 | 128K x 8 位 |
| 接口类型 | SPI |
| 数据总线宽度 | 8Bit |
| 最长随机存取时间 | 18ns |
| 安装类型 | 贴片 |
| 封装类型 | SOIC |
| 引脚数目 | 8 |
| 尺寸 | 4.97 x 3.98 x 1.47mm |
| 长度 | 4.97mm |
| 最大工作电源电压 | 3.6 V |
| 宽度 | 3.98mm |
| 高度 | 1.47mm |
| 最高工作温度 | +85 °C |
