铁电随机存储器 (F-RAM) 是高能效且高可靠性的非易失 RAM,用于串行和并行接口。 后缀为 A 的部件专为汽车应用而设计,并通过了 AEC-Q100 认证。
非易失性铁电 RAM 存储器
写入速度快
高耐受性
低功耗
FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。
属性 | 数值 |
---|---|
存储器大小 | 64Kbit |
组织 | 8K x 8 位 |
接口类型 | 串行2线、串行I2C |
安装类型 | 贴片 |
封装类型 | SOIC |
引脚数目 | 8 |
尺寸 | 4.97 x 3.98 x 1.48mm |
长度 | 4.97mm |
宽度 | 3.98mm |
最大工作电源电压 | 3.6 V |
高度 | 1.48mm |
最高工作温度 | +125 °C |