Infineon 4Kbit FRAM, 8p, I2C接口, 最长随机存取3000ns, SOIC封装, 512 x 8 位, FM24C04B-G
- RS 库存编号 188-5395
- 制造商零件编号 FM24C04B-G
- 制造商 Infineon
FRAM，Cypress Semiconductor
铁电随机存储器 (F-RAM) 是高能效且高可靠性的非易失 RAM，用于串行和并行接口。 后缀为 A 的部件专为汽车应用而设计，并通过了 AEC-Q100 认证。
非易失性铁电 RAM 存储器
写入速度快
高耐受性
低功耗
2-Mbit 铁电随机存取存储器 (F-RAM) ，按逻辑组织为 128K x 16
可配置为 256K x 8 ，使用 UB 和 LB
高耐久性 100 万亿（ 1014 ）读 / 写
151 年数据保留
NoDelay ™写入
页面模式操作到 30 ns 周期时间
Advanced High － Reliability FerroElectric
SRAM 兼容
工业标准 128K x 16 SRAM 引脚
60 ns 访问时间， 90 ns 周期时间
高级功能
软件可编程块写保护
优于电池供电的 SRAM 模块
无电池问题
单片可靠性
真正的表面安装解决方案，无需再加工步骤
适用于潮湿，撞击和振动
低功耗
有源电流 7 mA （典型值）
待机电流 120 μ A （典型值）
低电压操作： VDD = 2.0 V 至 3.6 V
工业温度： -40 ° C 至 +85 ° C
44 引脚薄型小外形封装 (TSOP) 类型 II
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
FRAM（铁电 RAM）
FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 存储器大小 | 4Kbit |
| 组织 | 512 x 8 位 |
| 接口类型 | I2C |
| 数据总线宽度 | 8Bit |
| 最长随机存取时间 | 3000ns |
| 安装类型 | 贴片 |
| 封装类型 | SOIC |
| 引脚数目 | 8 |
| 尺寸 | 4.97 x 3.98 x 1.48mm |
| 长度 | 4.97mm |
| 最大工作电源电压 | 5.5 V |
| 宽度 | 3.98mm |
| 高度 | 1.48mm |
| 最高工作温度 | +85°C |
